Dr. Oh-Hyun Kwon Director Ejecutivo y Vicepresidente de Samsung Electronics; Jefe de Device Solutions (Soluciones de Dispositivos)

El Dr. Oh-Hyun Kwon fue designado oficialmente Director Ejecutivo (CEO) de Samsung Electronics Co. por la Junta de Directores de la compañía el 8 de junio de 2012.

Paralelamente a su función de supervisión de la compañía en su cargo de CEO, el Vicepresidente continúa al frente de la División Device Solutions de Samsung Electronics, que consta de tres negocios componentes: Memoria, LSI de Sistemas y LED.

Desde que el Dr. Kwon se incorporó al Negocio de Semiconductores de Samsung Electronics en 1985, ha desempeñado un papel transcendental en el rápido avance de la compañía en la industria de los semiconductores. Condujo exitosamente el desarrollo de la primera DRAM de 64 MB en 1992 y ascendió a Vicepresidente de la unidad de Tecnologías de Dispositivos de Memoria de Samsung tres años más tarde. En 1998 fue designado Vicepresidente Superior y jefe del negocio de ASIC de la División de LSI de Sistemas. En 2000, pasó a desempeñarse como Vicepresidente Ejecutivo y jefe de Tecnología LSI. En enero de 2004, el Dr. Kwon fue designado Presidente y Gerente General de la División LSI de Sistemas. Durante sus 10 años al frente de la División LSI de Sistemas, se ganó un reconocimiento especial por lograr participaciones máximas en el mercado de circuitos integrados de controladores de pantallas, procesadores de aplicaciones y sensores de imágenes CMOS. En mayo de 2008 fue designado Presidente del Negocio de Semiconductores (actualmente Device Solutions). En diciembre de 2011, ascendió a Vicepresidente de Samsung Electronics.

El Dr. Kwon ha publicado numerosos artículos en conferencias y simposios, que incluyen ISSCC, VLSI Symposium e IEDM. También contribuyó con su capacidad profesional a diversas publicaciones técnicas en temas relacionados con semiconductores.

El Dr. Kwon posee una licenciatura en Ingeniería Eléctrica de la Universidad Nacional de Seúl, una maestría en Ingeniería Eléctrica del KAIST (Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología Avanzadas de Corea) y un doctorado en Ingeniería Eléctrica de la Universidad de Stanford.


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