Unternehmensprofil
PresseerklärungSemiconductor Business
Semiconductor Business ist bestens gerüstet, um ganzheitliche mobile Lösungen zu entwickeln und auf den Markt zu bringen. Der SAMSUNG-Geschäftsbereich führt den Weltmarkt für Speicher-Business an – und dies hinsichtlich der Produkte sowie der bahnbrechenden Technologie.
Unsere Memory Division ist als Global Player fest etabliert. Ende 2006 haben wir uns als weltweit führender Hersteller von Speicherchips behauptet – dies bedeutet die Marktführung von 14 Jahren in Folge. Wir belegen seit 15 Jahren den ersten Rang bei DRAMs, seit 12 Jahren bei SRAMs und seit 4 Jahren bei Flash-Speicherchips.Weiters sind wir bei der Kommerzialisierung von Nanotechnologie und der Entwicklung neuer Speichergeräte sowie bei Multichip-Paketen und Fusion Memory führend.
Die Kompetenzen unserer System LSI Division konzentrieren sich auf fünf Hauptbereiche, in denen wir Weltmarktführer sind: Displaytreiber-ICs (DDIs), Smartcard-Chips für SIM-Karten, Prozessoren für Navigationsanwendungen, CMOS-Bildsensoren und Systems-on-a-chip (SoCs) für Medienabspielgeräte.
Unsere Storage Division stellt Festplatten her, die für eine hohe Datenspeicherkapazität bei mobilen Produkten und digitalen Anwendungen sorgen. Unser technologischer Führungsanspruch in diesem Bereich ist unbestritten. Im Jahr 2006 haben wir jeweils das weltweit erste Modell einer 1,8"-Festplatte und einer 2,5"-Hybridfestplatte eingeführt. In der ersten Hälfte des Jahres 2007 brachten wir eine 2,5"-Festplatte mit einer branchenweit unerreichten Speicherkapazität von 250 GB heraus.
Hauptprodukte
1 GB DDR2 SDRAM mit 50-nm-Schaltkreisen
- Der weltweit erste DRAM, der in einem 50-nm-Herstellungsverfahren produziert wurde
- 32 GB NAND-Flash-Speicher mit 40-nm-Schaltkreisen
- 155 Patente für technologische Neuerungen oder Veränderungen zugesprochen, Vermarktung der ersten Charge-Trap-Flash-Architektur (CTF)
- Durchbrach bei Herstellprozessen die 50-nm-Marke, ebnete den Weg für die Kommerzialisierung von Designregeln im Bereich 40 nm und kleiner
512 MB OneDRAMTM
- Fusion Memory mit mobilem DRAM und SRAM auf demselben Chip.
- Optimiert die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit zwischen CPUs.
4 GB Flex-OneNANDTM
- Vereint in sich das Beste aus beiden Welten: die atemberaubende Schnelligkeit von Single-Level Cell (SLC) NAND und die hohe Speicherkapazität von Multi-Level Cell (MLC).
- Alle Datentypen lassen sich auf demselben Chip speichern und können so die Abmessungen von Mobiltelefonen beträchtlich verkleinern.
512 MB PRAM
- Die weltweit höchste Kapazität eines Chips, der aus diesem neuartigen Material gefertigt wurde.
- Überträgt Daten 30 mal schneller als NOR-Flash-Speicher und hält bis zu 10 mal länger – dies steigert die Leistungsfähigkeit von Mobiltelefonen und anderen Handheld-Produkten beträchtlich.
„Intelligenter" DDI
- Einzigartiger Displaytreiber-IC, der das Umgebungslicht misst und so die Bildschirmdarstellung anpasst und qualitativ optimiert.
- Reduziert den Stromverbrauch des Displays im Innenbereich um mindestens 30 Prozent.
1 GB S-SIM-Karte
- Eine zukunftsweisende Kartenlösung, bei der NAND-Flash-Speicher in einen Smartcard-Chip integriert wird.
- Führt Sicherheitsfunktionen aus und speichert Multimedia-Daten.
1,8 Zoll 64 GB Solid-State-Drive (SSD)
- Verwendet 8 GB Single-Level Cell (SLC) NAND-Flash-Speicher mit 50-nm-Schaltkreisen anstelle einer Festplatte.
- Ein neuartig konzipiertes Gerät, das die Nutzung von NAND-Flash-Speicher auf kleine mobile Produkte und digitale Konsumentenelektronik – etwa auf PCs – ausweitet und Systemstabilität und –leistung erhöht.
| Produkt | Marktanteil | Rang |
|---|---|---|
| DRAM | 29,0% | 1st |
| SRAM | 27% | 1st |
| Flash-Speicher | 25,0% | 1st |
| LCD Driver IC | 19,0% | 1st |
Version mit niedriger Bandbreite
