Oh-Hyun Kwon Directeur général et vice-président de Samsung Electronics, responsable de Device Solutions

Oh-Hyun Kwon a officiellement été nommé au poste de directeur général de Samsung Electronics Co. par le conseil d’administration de l’entreprise ce 8 juin 2012.

En plus du rôle de supervision de l’entreprise que lui confère son poste de directeur général, le vice-président continuera de diriger la division Device Solutions de Samsung Electronics, qui se compose de trois activités distinctes : Memory, System LSI et LED.

Depuis que M. Kwon a rejoint la division Semiconductor en 1985, il a joué un rôle essentiel dans les progrès rapides qu’a connu Samsung Electronics dans le secteur des semi-conducteurs. Il géra avec succès le développement des premiers 64 Mbits de mémoire SDRAM du secteur en 1992 et fut promu au poste de vice-président de l’unité Memory Device Technology de Samsung trois ans plus tard. En 1998, M. Kwon accéda au poste de vice-président principal et de responsable de l’activité ASIC de la division System LSI. Ensuite, en 2000, il devint vice-président exécutif et responsable de LSI Technology. En janvier 2004, M. Kwon fut nommé au poste de président directeur général de la division System LSI. Au cours de ses dix années passées à la tête de la division System LSI, M. Kwon a acquis une reconnaissance toute particulière pour avoir obtenu les meilleures parts de marché en ce qui concerne les circuits intégrés pilotes d’affichage, les processeurs d’application et les capteurs d’image CMOS. En mai 2008, M. Kwon fut nommé au poste de président de la division Semiconductor (désormais appelée Device Solutions). En décembre 2011, il fut promu au poste de vice-président de Samsung Electronics.

M. Kwon a publié divers ouvrages lors de conférences et de colloques tels que ISSCC, VLSI Symposium et IEDM. Il a également apporté toute son expertise à plusieurs revues techniques portant sur des sujets liés aux semi-conducteurs.

M. Kwon est titulaire d’un diplôme scientifique en ingénierie électrique délivré par l’Université nationale de Séoul, d’une maîtrise en ingénierie électrique délivré par l’Institut supérieur coréen de science et technologie (KAIST), ainsi que d’un doctorat en Ingénierie électrique délivré par l’Université de Stanford.


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