Samsung започва масово производство на първата в света DRAM памет – базирана на най-новия High Bandwidth Memory интерфейс

Jan 19, 2016

Samsung започва масово производство на първата в света DRAM памет – базирана на най-новия High Bandwidth Memory интерфейс
  • Samsung започва масово производство на първата в света DRAM памет – базирана на най-новия High Bandwidth Memory интерфейс
  • Samsung започва масово производство на първата в света DRAM памет – базирана на най-новия High Bandwidth Memory интерфейс

София, 19 януари 2016 г. - Samsung Electronics обяви, че започва масово производство на първия в индустрията 4-гигабайтов (GB) DRAM модул, базиран на High Bandwidth Memory (HBM2) интерфейс от второ поколение. Моделът е предназначен за употреба при високо производителни компютърни системи, мрежови системи и сървъри от висок клас. Новото решение на Samsung с High Bandwidth Memory интерфейс ще предложи производителност без конкуренция – над седем пъти по-висока скорост спрямо сегашното поколение DRAM памет. Това ще позволи по-бърза работа при графичен рендеринг и паралелни изчисления.

„С масовото производство на следващото поколение HBM2 DRAM памет ние можем да допринесем за по-бързото въвеждане на следващото поколение високопроизводителни компютърни системи от глобалните IT компании“, каза Сеуон Чун, старши вицепрезидент, Memory Marketing, Samsung Electronics. „Чрез употребата на нашата 3D технология на паметта ние можем да се справим с разнообразните нужди на глобалните IT компании, докато в същото време поставяме основите на един по-бързо растящ пазар на DRAM памет“.

Новата 4 GB HBM2 DRAM памет, която използва най-ефективния 20-нанометров процес на Samsung и ново поколение HBM чип, отговаря на нуждите от висока производителност, енергийна ефективност, надеждност и компактност. Тези характеристики правят модела подходящ за следващото поколение високопроизводителни компютърни системи и графични карти.

След представянето на 128 GB 3D TSV DDR4 RDIMM (registered dual inline memory module) модул през октомври 2015 г., новият HBM2 DRAM e последното постижение при развитието на TSV (Through Silicon Via) DRAM технологията.

Модулът 4 GB HBM2 е създаден като е използван буферен чип и четири 8-гигабайтови (GB) ядра. Те са обединени в един пакет (монтирани еднo върху другo) и свързвани със силициевата подложка, посредством TSV (Trough Silicon Vias) и microbumps. По този начин, един 8 Gb HBM2 чип съдържа повече от 5.000 TSV дупки върху печатната платка, което е 36 пъти повече спрямо 8 Gb TSV DDR4 модулите и представлява драстично подобрение при предаването на данни спрямо традиционните модули.

Новият модул на Samsung предлага интервал от честоти от 256 GBps, който е почти два пъти повече спрямо този от HBM1 DRAM модулите. Това е повече от седем пъти по-голям интервал от честоти, в сравнение с 36 GBps на 4 Gb GDDR5 DRAM, който предлага най-бързата скорост на трансфер на данни на един пин (9 Gbps) сред наличните в момента на пазара DRAM модули. Samsung 4 GB HBM2 предлага и подобрена енергийна ефективност като удвоява интервала от честоти на един ват, в сравнение с 4 Gb-GDDR5 решенията. Модулът използва и хардуерна корекция на грешките (ECC) за по-голяма надеждност.

Samsung планира да пусне на пазара и 8 GB HBM2 DRAM модул в рамките на една година. Чрез употребата на 8 GB HBM2 DRAM във видеокарта дизайнерите ще могат да се наслаждават на 95% по-голямо пространство спрямо GDDR5 DRAM, което представлява по-ефективно решение за компактните устройства, които се използват за графична обработка.

Компанията постепенно ще увеличи производството на HBM2 DRAM модули през остатъка от годината, за да отговори на растящите нужди на мрежовите системи и сървъри. Samsung ще разшири продуктовата си линия от HBM2 DRAM решения, за да запази лидерската си позиция на пазара и да увеличи водещия си пазарен дял при производството на първокласни решения за памет.