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850 EVO SATA III 2.5pouces SSD

MZ-75E2T0

850 EVO SATA III 2.5pouces SSD
  • Technologie Samsung V-NAND
  • Jusqu’à 540MB/s de lecture séquentielle et 520MB/s d’écriture séquentielle
  • Garantie limitée de 5 ans

Recyclage responsable des piles

  • La directive européenne sur les piles et les accumulateurs vise à réduire l'impact des piles sur l'environnement et à encourager la récupération des matériaux qu'elles contiennent. Au Canada, les règlements sur le recyclage des piles et des accumulateurs (piles rechargeables) ont été introduits en 2009. Les Waste Batteries Regulations visent à augmenter considérablement, au Canada, la collecte et le recyclage des piles portatives usées de 3 % en 2007 à 25 % en 2012, puis à au moins 45 % en 2016.

  • Le symbole de pile sur un produit ou son emballage signifie que le produit ne doit pas être jeté avec les déchets ménagers. Le client est plutôt responsable de se débarrasser de ses piles usées dans un point de collecte désigné pour qu'elles puissent être recyclées. La collecte et le recyclage à part des piles au moment de leur élimination aident à conserver les ressources naturelles et à garantir qu'elles sont recyclées d'une manière qui protège la santé humaine et l'environnement. Une liste exhaustive des centres de recyclage des piles se trouve au : www.recycle-more.co.uk

  • Tous les produits Samsung assujettis à la directive sur les piles respectent les exigences visant les piles et les accumulateurs du Canada. Conformément aux lois nationales, SAMSUNG Electronics (Canada) Ltd est membre d'un programme approuvé de conformité des producteurs de piles. Ce programme collecte, traite et élimine les piles pour Samsung.

850 EVO SATA III 2.5pouces SSD

Caractéristiques

Qu'est-ce que la technologie V-NAND 3D et en quoi se différencie-t-elle de la technologie existante?
L'architecture unique et novatrice de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung constitue une percée technologique qui permet de dépasser les limites de densité, le rendement et l'endurance de l'architecture NAND plane ordinaire d'aujourd'hui. On fabrique la mémoire flash V-NAND 3D en empilant verticalement 32 couches de cellules, plutôt qu'en réduisant la taille des cellules pour tenter de les insérer dans un espace horizontal fixe, ce qui donne lieu à une densité supérieure et à un meilleur rendement offerts par un produit plus compact.
Qu'est-ce que la technologie V-NAND 3D et en quoi se différencie-t-elle de la technologie existante?
Premier disque électronique de 2 To au monde pour les grosses charges de travail
Voici le premier disque électronique de 2 To pour PC clients au monde: le 850 EVO. Puisqu'il est doté de la technologie V-NAND 3D, vous pouvez stocker vos programmes et vos données sur un seul disque, ce qui est particulièrement utile lors de la modification et de l'archivage d'un grand nombre de fichiers multimédias à HD intégrale. Cette technologie offre ainsi des vitesses élevées pour l'accès aux données, le chargement de programmes et l'utilisation multitâche – ce qui augmente la vitesse de traitement informatique générale pour une productivité accrue. Profitez d'un meilleur rendement de PC grâce à un seul disque électronique à grande capacité.*

* En comparaison avec un environnement utilisant une combinaison d'un lecteur de disque dur ordinaire en tant que lecteur de stockage et d'un disque électronique en tant que lecteur de démarrage.
Premier disque électronique de 2 To au monde pour les grosses charges de travail
Optimisez votre expérience informatique quotidienne grâce aux vitesses de lecture / d'écriture inégalées qu'offre la technologie TurboWrite
Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, obtenez le meilleur rendement de lecture / d'écriture qui soit, lequel maximisera votre expérience informatique quotidienne. Non seulement votre expérience utilisateur sera plus de 10 % supérieure à ce qu'offre le 840 EVO*, mais vous profiterez aussi de vitesses d'écriture aléatoire 1,9 fois plus rapides avec les modèles de 120 / 250 Go**. Le 850 EVO offre le meilleur rendement dans sa catégorie en matière de vitesses de lecture séquentielle (540 Mo/s) et d'écriture séquentielle (520 Mo/s). De plus, vous obtenez un rendement optimisé en matière de lecture et d'écriture aléatoires pour les PC clients, et ce, dans toutes les profondeurs de file d'attente (QD). * PCmark 7 (250 Go ): 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO)
** Écriture aléatoire (profondeur de file d'attente de 32 (QD32), 120 Go): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO)
Optimisez votre expérience informatique quotidienne grâce aux vitesses de lecture / d'écriture inégalées qu'offre la technologie TurboWrite
Passez à la vitesse supérieure grâce au mode RAPID amélioré
Le logiciel Magician de Samsung offre un mode RAPID qui permet l'obtention de vitesses de traitement des données 2 fois plus élevées* au niveau du système, et ce, grâce à l'utilisation de la mémoire libre du PC (mémoire vive dynamique - DRAM) en tant que mémoire cache. La plus récente version de Magician offre une mémoire maximale accrue en mode RAPID. En effet, la mémoire maximale, qui était de 1 Go avec la version 840 EVO précédente, peut atteindre jusqu'à 4 Go avec le 850 EVO lorsqu'il y a utilisation de 16 Go de mémoire DRAM. Vous obtenez également un rendement doublé* dans toutes les profondeurs de file d'attente (QD) pour la lecture et l'écriture aléatoires.

* PCMARK7 RAW (250 Go) : 7500 > 15000 (mode RAPID). L'amélioration du rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.
Passez à la vitesse supérieure grâce au mode RAPID amélioré
Endurance et fiabilité garanties, renforcées par la technologie V-NAND 3D
Le 850 EVO offre une endurance et une fiabilité garanties : le nombre de To écrits* garanti est doublé par rapport au modèle 840 EVO de génération précédente**, et l'appareil est couvert par une garantie de 5 ans, la meilleure de l'industrie. Grâce à la minimisation de la diminution du rendement, le 850 EVO offre une durabilité du rendement jusqu'à 30% meilleure que celle du 840 EVO, ce qui en fait l'un des appareils de stockage les plus fiables.***

* To écrits : téraoctets écrits
** Nombre de To écrits: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO de 120 / 250 Go), 150 (850 EVO de 500 Go/1 To)
*** Durabilité du rendement (250 Go): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO). Le rendement a été mesuré après un test d'« écriture aléatoire » de 12 heures.
Endurance et fiabilité garanties, renforcées par la technologie V-NAND 3D
Utilisez votre ordinateur plus longtemps grâce à une efficacité énergétique améliorée offerte par la technologie V-NAND 3D
Le 850 EVO vous offre une autonomie considérablement supérieure pour votre ordinateur portable, et ce, grâce à un contrôleur optimisé pour la technologie V-NAND 3D qui permet maintenant à l'appareil d'offrir une grande efficacité énergétique en ne consommant que 2 mW en mode veille. Le 850 EVO a une consommation d'énergie 25% plus faible que le 840 EVO pendant ses opérations d'écriture* grâce à la technologie V-NAND 3D, qui ne consomme que la moitié de l'énergie que nécessite la technologie à architecture NAND 2D plane.

* Énergie consommée (250 Go): 3,2 watts (840 EVO) > 2,4 watts (850 EVO)
Utilisez votre ordinateur plus longtemps grâce à une efficacité énergétique améliorée offerte par la technologie V-NAND 3D

Sécurisez vos données importantes grâce au cryptage AES avec clés de 256 bits

Le 850 EVO est équipé du tout dernier moteur de cryptage matériel complet. La technologie de cryptage AES avec clés de 256 bits sécurise les données sans diminuer le rendement, et est conforme à la norme TCG Opal 2.0. Elle est également compatible avec la norme eDrive IEEE1667 de Microsoft, ce qui vous permet d'avoir l'esprit tranquille en sachant que vos données sont protégées en tout temps.
Sécurisez vos données importantes grâce au cryptage AES avec clés de 256 bits

Protection contre la surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard très sensible

La fonction Dynamic Thermal Guard du 850 EVO effectue continuellement le suivi de la température et la maintient à un niveau idéal pour que le lecteur fonctionne dans des conditions optimales, de manière à assurer l'intégrité de vos données. Lorsque les températures vont au-delà d'un seuil optimal, la fonction Thermal Guard réduit automatiquement les températures, protégeant vos données tout en maintenant sa réactivité pour vous assurer que votre ordinateur demeure toujours protégé contre la surchauffe.
Protection contre la surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard très sensible

Passez sans problème au niveau supérieur avec le 850 EVO

Le logiciel One-stop Install Navigator de Samsung vous permet d'effectuer facilement la migration de toutes vos données et applications, de manière à les faire passer de la mémoire principale existante au 850 EVO en trois étapes simples. De plus, le logiciel Magician de Samsung vous permet d'optimiser et de gérer votre système de la manière la plus appropriée pour votre disque électronique.
Passez sans problème au niveau supérieur avec le 850 EVO

Procurez-vous une solution intégrée fabriquée à l'interne et formée de composantes de la meilleure qualité qui soit

Samsung est la seule marque de disques électroniques à concevoir et à fabriquer toutes ses composantes à l'interne, ce qui permet une intégration complète et optimisée. Il en résulte un rendement amélioré, une consommation d'énergie réduite avec une mémoire cache LPDDR2 DRAM allant jusqu'à 1 Go, et une efficacité énergétique améliorée grâce au contrôleur MEX/MGX.
Procurez-vous une solution intégrée fabriquée à l'interne et formée de composantes de la meilleure qualité qui soit

caractéristiques techniques

Caractéristiques générales

  • Applications

    PC clients

  • Capacité

    2000 Go (1 Go = 1 milliard d'octets, déterminé par IDEMA) * La capacité réelle utilisable peut être moindre (en raison du formatage, du partitionnement, du système d'exploitation, des applications ou autres).

  • Form Factor

    2,5 pouces

  • Interface

    Interface: SATA 6 Gbps, compatible avec les interfaces SATA 3 Gbps et SATA 1,5 Gbps

  • Dimensions (L x H x P)

    100 x 69,85 x 6,8 mm

  • Weight

    66 g max.

  • Storage Memory

    Technologie V-NAND 3D à 32 couches de Samsung

  • Controller

    Contrôleur MHX de Samsung

  • Cache Memory

    Mémoire DDR3 SDRAM de 2 Go de Samsung à faible consommation d'énergie

Caractéristiques spéciales

  • TRIM Support

    Commande TRIM prise en charge

  • S.M.A.R.T Support

    Système S.M.A.R.T. pris en charge

  • GC (Garbage Collection)

    Algorithme de récupération de l'espace mémoire automatique

  • Encryption Support

    Cryptage AES avec clés de 256 bits (classe 0), TCG / Opal, IEEE1667 (disque crypté)

  • WWN Support

    WWN (World Wide Name) pris en charge

  • Device Sleep Mode Support

    Oui

AFFICHER PLUS DE SPÉCIFICATIONSAgrandir

Performance

  • Sequential Read

    Lecture séquentielle: jusqu'à 540 Mo/s * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Sequential Write

    Écriture séquentielle: jusqu'à 520 Mo/s * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Random Read (4KB, QD32)

    Lecture aléatoire: jusqu'à 98000 IOPS * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Random Write (4KB, QD32)

    Écriture aléatoire: jusqu'à 90000 IOPS * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Random Read (4KB, QD1)

    Lecture aléatoire: jusqu'à 10000 IOPS * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Random Write (4KB, QD1)

    Écriture aléatoire: jusqu'à 40000 IOPS * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

Environment

  • Average Power Consumption (system level)

    * En moyenne: 4,7 watts * Maximum: 7,2 watts (mode rafale)* La consommation d'énergie réelle peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Power consumption (Idle)

    60 mW max. * La consommation d'énergie réelle peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Allowable Voltage

    Tension admissible: 5 V ± 5 %

  • Reliability (MTBF)

    Fiabilité (intervalle moyen entre les défaillances): 1,5 million d'heures

  • Température de fonctionnement

    De 0° à 70 °C

  • Shock

    1500 G et 0,5 ms (onde demi-sinusoïdale)

Logiciels

  • Management SW

    Logiciel Magician pour la gestion du disque électronique

Warranty

  • Warranty

    Garantie limitée de 5 ans ou garantie limitée de 150 To écrits

Soutienles plus récente mises à jours

  • NEWEST
  • MOST HELPFUL
  • HIGHEST RATING
  • LOWEST RATING