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850 EVO M.2 SATA III SSD

MZ-N5E500

850 EVO M.2 SATA III SSD
  • Technologie Samsung V-NAND
  • Jusqu’à 540MB/s de lecture séquentielle et 520MB/s d’écriture séquentielle
  • M.2 (2280) pour les ordinateurs portables et PC ultra fins

Recyclage responsable des piles

  • La directive européenne sur les piles et les accumulateurs vise à réduire l'impact des piles sur l'environnement et à encourager la récupération des matériaux qu'elles contiennent. Au Canada, les règlements sur le recyclage des piles et des accumulateurs (piles rechargeables) ont été introduits en 2009. Les Waste Batteries Regulations visent à augmenter considérablement, au Canada, la collecte et le recyclage des piles portatives usées de 3 % en 2007 à 25 % en 2012, puis à au moins 45 % en 2016.

  • Le symbole de pile sur un produit ou son emballage signifie que le produit ne doit pas être jeté avec les déchets ménagers. Le client est plutôt responsable de se débarrasser de ses piles usées dans un point de collecte désigné pour qu'elles puissent être recyclées. La collecte et le recyclage à part des piles au moment de leur élimination aident à conserver les ressources naturelles et à garantir qu'elles sont recyclées d'une manière qui protège la santé humaine et l'environnement. Une liste exhaustive des centres de recyclage des piles se trouve au : www.recycle-more.co.uk

  • Tous les produits Samsung assujettis à la directive sur les piles respectent les exigences visant les piles et les accumulateurs du Canada. Conformément aux lois nationales, SAMSUNG Electronics (Canada) Ltd est membre d'un programme approuvé de conformité des producteurs de piles. Ce programme collecte, traite et élimine les piles pour Samsung.

850 EVO M.2 SATA III SSD

Caractéristiques

Qu'est-ce que la technologie V-NAND 3D et en quoi se différencie-t-elle de la technologie existante?
L'architecture unique et novatrice de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung constitue une percée technologique qui permet de dépasser les limites de densité, le rendement et l'endurance de l'architecture NAND plane ordinaire d'aujourd'hui. Dans la mémoire flash V-NAND 3D, on empile verticalement 32 couches de cellules plutôt que de réduire la taille des cellules pour tenter de les insérer dans un espace horizontal fixe. Cette technologie offre ainsi une densité supérieure et un meilleur rendement dans un produit plus compact.
Qu'est-ce que la technologie V-NAND 3D et en quoi se différencie-t-elle de la technologie existante?
Optimisez votre expérience informatique grâce aux vitesses de lecture / d'écriture inégalées qu'offre la technologie TurboWrite
Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, obtenez le meilleur rendement de lecture / d'écriture qui soit, lequel maximisera votre expérience informatique quotidienne. Comparativement au 840 EVO, le 850 EVO offre une expérience utilisateur supérieure d'environ 13%*, en partie grâce aux vitesses d'écriture aléatoire maintenant deux fois plus rapides.** Le 850 EVO offre un rendement de haut niveau dans sa catégorie en matière de vitesses de lecture séquentielle (540 Mo/s) et d'écriture séquentielle (500 Mo/s). Vous pouvez aussi profiter d'un rendement optimisé en matière de lecture et d'écriture aléatoires pour les PC clients, et ce, dans toutes les profondeurs de file d'attente (QD).

* PCmark7 (250 Go) : 6700 (840 EVO) < 7600 (850 EVO)
** Écriture aléatoire (profondeur de file d'attente de 32 (QD32), 120 Go): 36000 IOPS (840 EVO) < 89000 IOPS (850 EVO)
Optimisez votre expérience informatique grâce aux vitesses de lecture / d'écriture inégalées qu'offre la technologie TurboWrite
Augmentez la capacité de stockage de la mémoire grâce au mode RAPID
Le disque électronique 850 EVO M.2 de Samsung est un appareil qui offre une grande vitesse. Grâce au logiciel Magician de Samsung, vous pouvez activer le mode RAPID pour tirer parti de la mémoire inutilisée du PC (mémoire vive dynamique - DRAM) et employer jusqu'à 25% de la capacité totale de la mémoire DRAM en tant que mémoire cache. Grâce à l'augmentation importante de la capacité de stockage, les vitesses de traitement des données et l'accès aléatoire (profondeur de file d'attente) peuvent être jusqu'à 2 fois plus rapides* en mode RAPID.

* PCMARK7 RAW (250 Go) : 7500 < 15000 (mode RAPID), l'amélioration du rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système. ** Le rendement et les caractéristiques techniques mentionnées sont fondés sur le modèle de disque électronique de 2,5 po.
Augmentez la capacité de stockage de la mémoire grâce au mode RAPID
Endurance et fiabilité renforcées par la technologie V-NAND 3D
Le 850 EVO offre une endurance et une fiabilité garanties : le nombre de téraoctets écrits (To écrits) garanti est doublé par rapport au modèle 840 EVO de génération précédente*, et l'appareil est couvert par une garantie de 5 ans, la meilleure de l'industrie. Offrant un rendement amélioré dans une mesure allant jusqu'à 30%, le 850 EVO a un rendement durable**, ce qui fait de lui l'un des appareils de stockage les plus fiables.

* Nombre de téraoctets écrits : 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO de 120 / 250 Go), 150 (850 EVO de 500 Go / 1 To)
** Durabilité du rendement (250 Go) : 3300 IOPS (840 EVO) < 6500 IOPS (850 EVO). Le rendement a été mesuré après un test d'« écriture aléatoire » de 12 heures.
Endurance et fiabilité renforcées par la technologie V-NAND 3D
Efficacité énergétique offerte par la technologie V-NAND 3D
Avec le 840 EVO, Samsung a lancé le mode veille qui ne consomme que 2 mW, et maintenant, avec le 850 EVO, elle lance la technologie V-NAND 3D de pointe (qui consomme moins d'énergie que la technologie à architecture NAND 2D plane), ce qui vous permet de profiter d'une efficacité énergétique 25% supérieure pendant les opérations d'écriture*.

* Énergie consommée (250 Go) : 3,2 watts (840 EVO) > 2,4 watts (850 EVO)
Efficacité énergétique offerte par la technologie V-NAND 3D
Adaptabilité pour l'utilisation dans divers types d'appareils
Le 850 EVO polyvalent a ce qu'il vous faut, peu importe le type de connecteur ou la taille de fente physique pris en charge par votre appareil. De plus, le disque électronique 850 EVO M.2 SATA a un design mince et étroit comme les disques électroniques M.2 PCIe, mais prend en charge l'interface SATA. Il est donc idéal pour l'accomplissement de tâches informatiques plus rapide sur les ordinateurs de bureau, les ordinateurs portables, et surtout, les tablettes ultra-minces à espace restreint d'aujourd'hui.
Adaptabilité pour l'utilisation dans divers types d'appareils

Données sécurisées grâce à des méthodes de cryptage perfectionnées

Le 850 EVO est équipé du tout dernier moteur de cryptage matériel complet. Le cryptage AES avec clés de 256 bits et le cryptage TCG Opal 2.0 sécurisent les données sans diminuer le rendement. Il est aussi compatible avec la norme eDrive IEEE1667 de Microsoft, ce qui vous permet d'avoir l'esprit tranquille en sachant que vos données sont protégées en tout temps.
Données sécurisées grâce à des méthodes de cryptage perfectionnées

Protection contre la surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard

La fonction Dynamic Thermal Guard du 850 EVO effectue continuellement et automatiquement le suivi de la température et la maintient à un niveau idéal pour que le disque fonctionne de façon optimale.
Protection contre la surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard

Gestion simple et rapide de la migration

Avec le logiciel One-stop Install Navigator, les logiciels Samsung Data Migration et Magician sont installés simultanément à des fins de commodité pour que vous puissiez vous assurer que les paramètres de votre disque électronique sont optimisés pour un transfert de données efficace.
Gestion simple et rapide de la migration

Profitez d'une solution intégrée fabriquée à l'interne dotée de composantes de la meilleure qualité qui soit

En tant que chef de file dans l'industrie des disques électroniques, Samsung est très bien placée pour concevoir, mettre au point et fabriquer exclusivement à l'interne ses produits, ce qui se traduit par une solution harmonieusement intégrée et entièrement optimisée qui offre un rendement amélioré et élimine le risque d'erreurs de compatibilité entre les composantes.
Profitez d'une solution intégrée fabriquée à l'interne dotée de composantes de la meilleure qualité qui soit

caractéristiques techniques

Caractéristiques générales

  • Applications

    PC clients

  • Capacité

    500 Go (1 Go = 1 milliard d'octets, déterminé par IDEMA) * La capacité réelle utilisable peut être moindre (en raison du formatage, du partitionnement, du système d'exploitation, des applications ou autres).

  • Form Factor

    M.2

  • Interface

    Interface: SATA 6 Gbps, compatible avec les interfaces SATA 3 Gbps et SATA 1,5 Gbps

  • Dimensions (L x H x P)

    80,15 x 22,15 x 2,38 mm max.

  • Weight

    7 g max.

  • Storage Memory

    Samsung V-NAND

  • Controller

    Contrôleur MGX de Samsung

  • Cache Memory

    Mémoire DDR3 SDRAM de 512 Mo de Samsung à faible consommation d'énergie

Caractéristiques spéciales

  • TRIM Support

    Commande TRIM prise en charge

  • S.M.A.R.T Support

    Système S.M.A.R.T. pris en charge

  • GC (Garbage Collection)

    Algorithme de récupération de l'espace mémoire automatique

  • Encryption Support

    Cryptage AES avec clés de 256 bits (classe 0), TCG / Opal, IEEE1667 (disque crypté)

  • WWN Support

    WWN (World Wide Name) pris en charge

  • Device Sleep Mode Support

    Oui

AFFICHER PLUS DE SPÉCIFICATIONSAgrandir

Performance

  • Sequential Read

    Lecture séquentielle: jusqu'à 540 Mo/s * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Sequential Write

    Écriture séquentielle: jusqu'à 520 Mo/s * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Random Read (4KB, QD32)

    Lecture aléatoire: jusqu'à 97000 IOPS * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Random Write (4KB, QD32)

    Écriture aléatoire: jusqu'à 88000 IOPS * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Random Read (4KB, QD1)

    Lecture aléatoire: jusqu'à 10000 IOPS * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Random Write (4KB, QD1)

    Écriture aléatoire: jusqu'à 40000 IOPS * Le rendement peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

Environment

  • Average Power Consumption (system level)

    * En moyenne: 2,5 watts * Maximum: 3,5 watts (mode rafale) * La consommation d'énergie réelle peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Power consumption (Idle)

    50 mW max. * La consommation d'énergie réelle peut varier selon le matériel informatique et la configuration du système.

  • Allowable Voltage

    Tension admissible : 3,3 V ± 5 %

  • Reliability (MTBF)

    Fiabilité de 1,5 million d'heures (intervalle moyen entre les défaillances)

  • Température de fonctionnement

    Température de fonctionnement: de 0 à 70 °C

  • Shock

    1500 G et 0,5 ms (onde demi-sinusoïdale)

Accessories

  • Installation Kit

    Not Available

Logiciels

  • Management SW

    Logiciel Magician pour la gestion du disque électronique

Warranty

  • Warranty

    5 Years Limited Warranty or 150 TBW Limited Warranty

Soutienles plus récente mises à jours

  • NEWEST
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  • HIGHEST RATING
  • LOWEST RATING