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SSD 845DC PRO SATA (简装) 400GB

MZ-7WD400

Samsung SSD 840 EVO
  • 使用业界领先的 3D V-NAND SSD 大幅提高性能
  • 可为各种数据中心应用程序提供高度优化的性能
  • 保证低延迟的同时获取稳定的性能
  • 先进的 ECC 引擎和端对端数据保护

SSD 845DC PRO SATA (简装) 400GB

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超凡 SSD,专为数据中心而精心设计

超凡 SSD,专为数据中心而精心设计
  为保证时刻以更佳的性能水平运行,数据中心有着独特的要求。在保证低延迟的同时提供稳定的性能和在处理各种读写工作负载时保持更佳的稳定性就是其中的两大要求。但更重要的则是确保数据中心不会因意外断电而遭受数据损坏或丢失。 作为高端存储技术领域的领导者之一,Samsung 有能力为数据中心提供一流的固态硬盘 (SSD),这些固态硬盘可在邮件服务器、数据库和高性能计算 (HPC) 等写入密集型应用程序中实现卓越的性能。这些高品质 SSD 还可提供出色的可靠性和耐久性,支持持续运行,而不受断电影响。利用其在尖端 SSD 技术方面的可靠专业技能和丰富知识,Samsung 专为数据中心应用程序设计了 SSD 845DC PRO。它拥有突破性的 3D 垂直式 NAND (V-NAND) 闪存并采用经过优化的控制器,可为您提供无与伦比的性能、一流的可靠性和出色的耐久性。

使用业界领先的 3D V-NAND SSD 大幅提高性能

使用业界领先的 3D V-NAND SSD 大幅提高性能
  845DC PRO 配备了尖端的 Samsung 3D V-NAND 闪存,它采用创新性的垂直体系结构,由 24 个单元层相互堆叠而成,取代了试图通过缩小每个单元的长度和宽度来适应当前日趋小型化外形的旧有做法。利用这一技术,硬盘占用面积更小,密度更紧凑且性能更高,并突破了传统的平面 NAND 架构的密度限制。

可为各种数据中心应用程序提供高度优化的性能

可为各种数据中心应用程序提供高度优化的性能
  要应对数据中心环境的关键需求,SSD 必须在长时间使用内维持稳定的性能。Samsung 845DC PRO 经过特别优化,适用于几乎所有数据中心方案。借助 Samsung 创新性的 3D V-NAND 技术及其经过优化的数据中心 MDX 控制器,这款企业级超高性能 SSD 可提供无与伦比的稳定随机和顺序读写性能,是写入密集型数据中心应用程序的绝佳之选。

保证低延迟的同时获取稳定的性能

保证低延迟的同时获取稳定的性能
  对数据中心存储来说,有效提高低于指定值的响应时间所占百分比以保持服务质量 (QoS) 至关重要(服务质量以设备提供稳定性能的持续性为衡量标准)。低延迟对于满足 QoS 需求也非常重要。低延迟根据某个请求完成其往返周期所需的时间而定义,以顺序和随机工作负载中对应的单输入/输出 (I/O) 请求为衡量标准。云数据中心更须重视 QoS,因为它们旨在为整个实时并行处理过程提供由服务级别协议保证的性能级别。 当 MLC 3D V-NAND 闪存与 Samsung 3 核 MDX 控制器结合使用时,845DC PRO 可提供极其稳定的每秒输入/输出 (IOPS) 性能和稳定的 I/O 延迟。随机写入的性能稳定性可达到 99%,随机写入的性能稳定性可达到 95%。此外,可根据性能需求、工作负载和成本在各个 RAID 级别中配置 845DC PRO。

先进的 ECC 引擎和端对端数据保护

先进的 ECC 引擎和端对端数据保护
  利用纠错代码 (ECC) 引擎检测信号差异并实时主动解决问题。执行该流程可显著提升 SSD 的可靠性,从而确保从各个 NAND 芯片读取的数据的完整性。此外,端对端数据保护可对贯穿 SSD 中从主机接口到 NAND 闪存的整个路径进行错误检测。特定算法可以根据需要监控每个耐力周期并调整每个单元以实现更高的耐久性,同时主动管理磨损均衡和块的更换。

断电保护

断电保护
  利用 Samsung 先进的断电保护架构,在意外断电时保护数据的完整性。利用钽电容中的电流,可为将 DRAM 中的缓冲数据传输到闪存提供足够的时间,从而确保您不会丢失数据。

S.M.A.R.T.

S.M.A.R.T.
  利用 Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology(S.M.A.R.T.,即自动监控、分析和报告技术),主动监控计算机固态硬盘驱动器,以检测和报告各种可靠性指标。当预料到会出现故障时,S.M.A.R.T. 会向用户发出即将出现固态硬盘故障的警告,让用户可以提前更换问题固态硬盘,避免出现突发故障导致的数据丢失。

Dynamic Thermal Guard 保护

Dynamic Thermal Guard 保护
  通过控制 CPU 速度来降低内核温度,以防止 SSD 过热,避免造成过热关机。

将您的宝贵数据托付于 Samsung 的强耐久性 845DC PRO

将您的宝贵数据托付于 Samsung 的强耐久性 845DC PRO
  当今的数据中心不断寻求写入次数更高的 SSD,以便满足从大数据到虚拟和云端基础架构的飞涨的计算能力需求。原因是写入密集型操作会对延迟性和长期稳定的服务质量 (QoS) 带来压力,通常会缩短 SSD 的寿命。但是,Samsung 的 3D V-NAND 技术拥有非凡的高耐久等级 - 在五年的保修期内,845DC PRO 每日整盘写入次数 (DWPD) 可达 10 次。

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特征

  • 接口

    串行ATA 6Gb/s (与SATA 3Gb/s 和 SATA 1.5Gb/s兼容)
    完全遵守 ATA/ATAPI-7 标准(部分遵守 ATA/ATAPI-8)
    支持 NCQ : 多达 32 个深度
  • 尺寸 (WxHxD)

    (100.20±0.25) x (69.85±0.25) x (6.80±0.20) mm
  • 控制器

    三星 3-核 MDX 控制器
  • NAND 闪存

    三星 3D V-NAND 2位 MLC
  • DRAM 高速缓存

    512MB

性能特点

  • 顺序读取

    高达 530 MB/s
  • 顺序写入

    高达 460 MB/s
  • 4KB 随机读取(QD32):

    最大 92,000 IOPS
  • 4KB 随机写入(QD32):

    最大 50,000 IOPS
  • 延迟

    顺序:读取: 45 us
    写入: 40us
    随机:读取: 110us
    写入: 50us

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