Místopředseda představenstva

Dr. Oh-Hyun Kwon

Výkonný ředitel a místopředseda představenstva společnosti Samsung
Electronics, ředitel divize Device Solutions
Od svého nástupu do divize Semiconductor Business společnosti Samsung Electronics v roce 1985 hrál dr. Kwon klíčovou roli při rychlém postupu společnosti Samsung Electronics v polovodičovém průmyslu.

Představenstvo společnosti Samsung Electronics Co. oficiálně jmenovalo dr. Oh-Hyun Kwona na pozici výkonného ředitele 8. června 2012.

Kromě dohledu nad společností v úloze výkonného ředitele se jako viceprezident nadále věnuje řízení divize Device Solutions společnosti Samsung Electronics, která se zabývá výrobou tří komponent: paměťových modulů, systémových komponent LSI a modulů LED.

Od svého nástupu do divize Semiconductor Business společnosti Samsung Electronics v roce 1985 hrál dr. Kwon klíčovou roli při rychlém postupu společnosti Samsung Electronics v polovodičovém průmyslu. V roce 1992 úspěšně vedl vývoj prvního 64Mb modulu DRAM a o tři roky později byl povýšený na viceprezidenta divize Memory Device Technology společnosti Samsung. V roce 1998 byl dr. Kwon jmenován starším viceprezidentem a ředitelem výroby obvodů ASIC v divizi System LSI. V roce 2000 se stal výkonným viceprezidentem a ředitelem divize LSI Technology. V lednu 2004 byl dr. Kwon jmenován prezidentem a generálním ředitelem divize System LSI. Během 10 let svého působení v divizi System LSI získal dr. Kwon mimořádné uznání za dosažení nejvyšších podílů na trhu integrovaných obvodů pro ovladače zobrazovacích zařízení, aplikačních procesorů a obrazových snímačů CMOS. V květnu 2008 byl dr. Kwon jmenován prezidentem divize Semiconductor Business (nyní divize Device Solutions). V prosinci 2011 byl povýšen na předsedu představenstva společnosti Samsung Electronics.

Dr. Kwon publikoval řadu materiálů na konferencích a sympoziích včetně konference ISSCC, sympozia VLSI a konference IEDM. Svými odbornými znalostmi přispěl i do mnoha technických periodik zaměřených na polovodiče.

Dr. Kwon je držitelem bakalářského titulu v oboru elektrického inženýrství z Národní univerzity v Soulu, držitelem inženýrského titulu v oblasti elektrického inženýrství z institutu KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) a držitelem doktorátu v oblasti elektrického inženýrství ze Stanfordské univerzity.