/

850 EVO M.2 SATA III SSD

MZ-N5E250

850 EVO M.2 SATA III SSD
  • Technologie Samsung V-NAND
  • Sekvenční načítání až do 540 MB/s a zapisování 520 MB/s
  • M.2 (2280) pro ultratenké laptopy a počítače

Recyklujte baterie odpovědně

  • Cílem evropské směrnice o bateriích a akumulátorech je minimalizovat dopad baterií na životní prostředí a podporovat opětovné využití materiálů, které obsahují. Ve Spojeném království byly předpisy o recyklaci baterií a akumulátorů (dobíjecích baterií) zavedeny v roce 2009. Cílem předpisů o odpadních bateriích je významně zvýšit sběr a recyklaci použitých přenosných baterií ve Spojeném království z 3 % v roce 2007 na 25 % do roku 2012 a dále nejméně na 45 % v roce 2016.

  • Symbol baterie na výrobku nebo na jeho obalu označuje, že výrobek nesmí být likvidován spolu s běžným domovním odpadem. Místo toho je odpovědností spotřebitele odkládat odpadní baterie na určeném sběrném místě, aby mohly být recyklovány. Tříděný sběr a recyklace baterií v době likvidace pomáhají chránit přírodní zdroje a zajišťují, že baterie budou recyklovány způsobem, který chrání lidské zdraví a životní prostředí. Úplný seznam recyklačních center baterií lze získat na adrese: www.recycle-more.co.uk

  • Všechny produkty společnosti Samsung, na které se vztahuje směrnice o bateriích, splňují požadavky na baterie a akumulátory platné ve Spojeném království. V souladu s vnitrostátními právními předpisy je společnost SAMSUNG Electronics (UK) Ltd členem schváleného programu výrobců baterií. V rámci tohoto programu probíhá sběr, zpracování a likvidace baterií jménem společnosti Samsung.

Zavření okna vrstvy

850 EVO M.2 SATA III SSD

Vlastnosti

  • Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie?
  • Optimalizujte práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite pro bezkonkurenční rychlosti čtení / zápisu
  • Zvětšete paměťové úložiště díky režimu RAPID
  • Odolnost a spolehlivost podpořená technologií 3D V-NAND
Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie?
Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše.
Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie?
Optimalizujte práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite pro bezkonkurenční rychlosti čtení / zápisu
Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. V porovnání s modelem 840 EVO je model 850 EVO pro uživatele celkově rychlejší o přibližně 13%*, částečně díky dvojnásobné rychlosti náhodného zápisu**. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 520 MB/s. Užijte si optimalizovaný náhodný výkon scénářů využití klientského PC ve všech hloubkách fronty (QD).
Optimalizujte práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite pro bezkonkurenční rychlosti čtení / zápisu
Zvětšete paměťové úložiště díky režimu RAPID
Model Samsung 850 EVO M.2 je rychlým počítačem. Díky nejnovějšímu softwaru Samsung Magician můžete aktivovat režim RAPID, který čerpá nevyužitou paměť PC (DRAM) a využívá ji jako úložiště vyrovnávací paměti o velikosti až 25% celkové kapacity DRAM. V režimu RAPID jsou pak díky dramatickému zvětšení úložiště rychlosti zpracování dat a náhodné QD až dvojnásobně vyšší*.
Zvětšete paměťové úložiště díky režimu RAPID
Odolnost a spolehlivost podpořená technologií 3D V-NAND
Model 850 EVO má zaručenou odolnost a spolehlivost díky dvojnásobnému celkovému počtu zapsaných bajtů (TBW) v porovnání s předchozí generací modelu 840 EVO*, a kromě toho v tomto segmentu nejlepší 5leté záruce. Díky vylepšení výkonu až o 30% umožňuje model 850 EVO trvalý výkon** a je proto jedním z nejspolehlivějších úložných řešení. .
Odolnost a spolehlivost podpořená technologií 3D V-NAND
Energetická účinnost zajištěná pomocí 3D V-NAND
Model 850: Řada Evo přinesla u modelu 840 EVO funkci režim spánku pro 2 mW zařízení a nyní přináší model 850 EVO nejmodernější technologii 3D V-NAND, která spotřebovává o 50% méně energie než planární technologie 2D NAND a umožňuje tak o 25% větší energetickou účinnost v průběhu operací zápisu*.
Energetická účinnost zajištěná pomocí 3D V-NAND
Flexibilní rozměry pro použití v různých typech zařízení
Všestranný model 850 EVO lze využívat bez ohledu na to, jaký typ konektoru nebo jakou velikost fyzického slotu vaše zařízení podporuje. Model 850 EVO M.2 SATA zaujímá podobně tenkou a úzkou plochu jako SSD disky typu M.2 PCIe, ale podporuje rozhraní SATA. Je ideální pro rychlejší práci na dnešních stolních počítačích, noteboocích a zejména ultra tenkých tabletech s omezeným vnitřním prostorem.
Flexibilní rozměry pro použití v různých typech zařízení

Data zabezpečená pokročilými metodami šifrování

Model 850 EVO se dodává s nejnovějším celodiskovým hardwarovým šifrovacím systémem. 256 bitové šifrování AES a šifrování TCG Opal 2.0 zabezpečují data bez jakéhokoli snížení výkonu. Je také kompatibilní s IEEE-1667 pro eDrive od společnosti Microsoft, takže můžete být klidní, že vaše data jsou neustále chráněna.
Data zabezpečená pokročilými metodami šifrování

Ochrana proti přehřátí pomocí funkce Dynamic Thermal Guard

Funkce Dynamic Thermal Guard modelu 850 EVO nepřetržitě a automaticky monitoruje a udržuje ideální teplotu pro optimální provoz disku.
Ochrana proti přehřátí pomocí funkce Dynamic Thermal Guard

Jednoduchá a rychlá správa migrací

Díky současně nainstalovanému softwaru One-Stop Install Navigator, Samsung Data Migration a Magician máte pohodlně zajištěno, že nastavení SSD disku jsou optimalizována pro efektivní přenos dat.
Jednoduchá a rychlá správa migrací

Užijte si integrované vlastní řešení včetně komponent nejvyšší kvality

Jakožto přední výrobce SSD disků má společnost Samsung jedinečné a exkluzivní vlastní prostory pro návrh, vývoj a výrobu. Výsledkem je pak bezchybně integrované a plně optimalizované řešení pro pokročilý výkon a snížení rizika chyb v kompatibilitě komponent.
Užijte si integrované vlastní řešení včetně komponent nejvyšší kvality

TECHNICKÉ SPECIFIKACE

Rozměry MZ-N5E250BW

Základní funkce

  • Aplikace

    Klientské PC

  • Kapacita

    250 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (v závislosti na formátování, diskových oddílech, operačním systému, aplikacích a dalších faktorech)

  • Typ zařízení

    M.2

  • Rozhraní

    Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s

  • Rozměry (ŠxVxH)

    Max. 80,15 x max. 22,15 x max. 2,38 (mm)

  • Váha

    Max. 6,8 g

  • Storage Memory

    32vrstvá paměť 3D V-NAND Samsung

  • Ovladač

    Řadič MGX Samsung

  • Vyrovnávací paměť

    Nízkonapěťová paměť 512 MB DDR3 SDRAM Samsung

Speciální funkce

  • Podpora TRIM

    Podpora TRIM

  • Podpora S.M.A.R.T

    Podpora S.M.A.R.T

  • GC (Garbage Collection)

    Algoritmus pro automatický sběr informací o paměti

  • Podpora šifrování

    256 bitové šifrování AES (třída 0), TCG / Opal, IEEE1667 (šifrovaný disk)

  • Podpora WWN

    Podpora adresy WWN (World Wide Name)

  • Podporuje režim spánku

    Ano

ZOBRAZIT DALŠÍ SPECIFIKACERozbalit

Výkon

  • Sekvenční čtení

    Rychlost sekvenčního čtení až 540 MB/s * Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

  • Sekvenční zápis

    Rychlost sekvenčního zápisu až 500 MB/s * Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

  • Náhodné čtení (4 KB, QD32)

    Rychlost náhodného čtení až 97.000 IOPS * Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

  • Náhodný zápis (4 KB, QD32)

    Rychlost náhodného zápisu až 89.000 IOPS * Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

  • Náhodné čtení (4 KB, QD1)

    Rychlost náhodného čtení až 10.000 IOPS * Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

  • Náhodný zápis (4 KB, QD1)

    Rychlost náhodného zápisu až 40.000 IOPS * Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

Prostředí

  • Average Power Consumption (system level)

    * Průměr: 2,4 W * Maximum: 3,7 W (režim max. rychlosti) * Skutečná spotřeba energie se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

  • Power consumption (Idle)

    Max. 50 mW * Skutečná spotřeba energie se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému

  • Allowable Voltage

    Přípustné napětí 5 V ± 5%

  • Spolehlivost (MTBF)

    Spolehlivost po dobu 1,5 mil. hodin (MTBF)

  • Provozní teplota

    Provozní teplota 0 ~ 70 °C

  • Shock

    1.500 G a 0,5 ms (poloviční sinus)

Příslušenství

  • Instalační set

    Není k dispozici

Software

  • Software pro správu

    Software Magician pro správu SSD disků

Záruka

  • Záruka

    Pětiletá omezená záruka nebo omezená záruka 75 TBW

  • NEWEST
  • MOST HELPFUL
  • HIGHEST RATING
  • LOWEST RATING