/

850 EVO SATA III 2,5" SSD

MZ-75E2T0

850 EVO SATA III 2,5 SSD
  • Samsungi V-NAND tehnoloogia
  • Kuni 540 MB/s järjestikune lugemine ja 520 MB/s kirjutamine
  • 5-aastane piiratud garantii

Akude vastutustundlik käitlemine

  • Patareisid ja akusid käsitleva Euroopa direktiivi eesmärk on minimeerida patareide ja akude mõju keskkonnale ning toetada nendes sisalduvate materjalide taaskasutusse võtmist. Ühendkuningriigis võeti patareide ja akude käitlemist käsitlevad määrused vastu 2009. aastal. Patarei- ja akujäätmete määruste eesmärk on märgatavalt suurendada kasutatud kantavate patareide ja akude kogumist ja käitlemist Ühendkuningriigis 3% pealt 2007. aastal 25% 2012. aastal ja vähemalt 45% peale 2016. aastal.

  • Patarei tähis tootel või tootepakendil näitab, et toodet ei tohi kõrvaldada koos muu olmeprügiga. Tarbija vastutab patarei- või akujäätmete toimetamise eest spetsiaalsesse kogumispunkti, et need saaks anda käitlusse. Patareide ja akude kogumine ja käitlemine nende kasutuselt kõrvaldamise käigus aitab säästa loodusvarasid ning tagada nende jäätmete käitlemise viisil, mis kaitseb nii inimeste tervist kui ka keskkonda. Patareide ja akude käitluskeskuste loendi Ühendkuningriigis leiate veebisaidilt: www.recycle-more.co.uk

  • Kõik Samsungi tooted, millele kehtib patareide ja akude direktiiv, on kooskõlas Ühendkuningriigi patareide ja akude nõuetega. Kooskõlas kohalike seadustega on SAMSUNG Electronics (UK) Ltd heakskiidetud akutootjate nõuetele vastavuse kava liige. Selle kava raames kogutakse, käideldakse ja kõrvaldatakse akusid Samsungi nimel.

Kihihüpiku sulgemine

850 EVO SATA III 2,5" SSD

Funktsioonid

  • Mis on 3D V-NAND ja mille poolest erineb see olemasolevast tehnoloogiast?
  • Maailma esimene 2 TB pooljuhtketas suurtele töökoormustele
  • Optimeerige igapäevast andmetöötlust TurboWrite-tehnoloogiaga ületamatu lugemis-/kirjutamiskiiruse saavutamiseks
  • Garanteeritud vastupidavus ja usaldusväärsus 3D V-NAND-tehnoloogiaga
Mis on 3D V-NAND ja mille poolest erineb see olemasolevast tehnoloogiast?
Samsungi ainulaadse ja uuendusliku 3D V-NAND-välkmälu arhitektuur on läbimurre tavalise planaarse NAND-arhitektuuri tiheduse piiride, jõudluse ja vastupidavuse ületamises. 3D V-NAND valmistatakse 32 elemendikihi vertikaalse ladumisega üksteise peale, selle asemel et vähendada elementide mõõtmeid ja püüda paigutada seda mingisse fikseeritud horisontaalasendisse: tulemuseks on suurem tihedus ja jõudlus ning väiksem jalajälg.
Mis on 3D V-NAND ja mille poolest erineb see olemasolevast tehnoloogiast?
Maailma esimene 2 TB pooljuhtketas suurtele töökoormustele
Maailma esimene 2 TB pooljuhtketas klientarvutitele - SSD 850 EVO 2 TB. Süsteemiga 3D V-NAND saate salvestada programme ja andmeid ühele kettale, mis on eriti kasulik, kui töötlete ja arhiveerite suurt hulka täis-HD multimeediumifaile. Lõpptulemuseks on kiire juurdepääs andmetele, kiire programmide laadimine ja multitegumtöö ning üldse kiirem andmetöötlus ja suurem tootlikkus. Nautige arvuti paremat jõudlust ühe mahuka pooljuhtkettaga.*

*Võrreldes keskkonnaga, mis kasutab HDD-d salvestuskettana ja pooljuhtketast käivitamiskettana.
Maailma esimene 2 TB pooljuhtketas suurtele töökoormustele
Optimeerige igapäevast andmetöötlust TurboWrite-tehnoloogiaga ületamatu lugemis-/kirjutamiskiiruse saavutamiseks
Saavutage Samsungi TurboWrite-tehnoloogiag ülim lugemis-/kirjutamisjõudlus oma igapäevase andmetöötluskogemuse maksimeerimiseks. Te ei saa mitte ainult rohkem kui 10% parema kasutamiskogemuse kui 840 EVO-ga*, vaid ka kuni 1,9x suurema juhusliku kirjutamise kiiruse 120/250 GB mudelitele**. 850EVO pakub oma klassi tippjõudlust järjestlugemise (540 MB/s) ja kirjutamise (520 MB/s) kiirustes. Lisaks saate optimeeritud juhusliku jõudluse kõigis QD-des klientarvutite kasutamisel.
*PCmark7 (250 GB ) : 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO)
**juhuslik kirjutamine (QD32,120 GB) : 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO)
Optimeerige igapäevast andmetöötlust TurboWrite-tehnoloogiaga ületamatu lugemis-/kirjutamiskiiruse saavutamiseks
Garanteeritud vastupidavus ja usaldusväärsus 3D V-NAND-tehnoloogiaga
850 EVO pakub garanteeritud vastupidavust ja usaldusväärsust, kahekordistades TBW-d* võrreldes eelmise põlvkonna 840 EVO-ga**: tööstusharus juhtiv 5-aastane garantii. 850 EVO võimaldab jõudluse minimeeritud vähenemisega püsivaid jõudlustäiustusi kuni 30% rohkem kui 840 EVO, olles üks töökindlamaid mäluseadmeid***.
*TBW : kirjutatud baidid kokku
**TBW : 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120/250 GB),150 (850 EVO 500/1 TB)
***püsiv jõudlus (250 GB) : 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), jõudlus mõõdetud 12-tunnise “juhusliku kirjutamise” testi järgi
Garanteeritud vastupidavus ja usaldusväärsus 3D V-NAND-tehnoloogiaga
Minge kiirteele täiustatud RAPID-režiimiga
Samsungi tarkvara Magician, millel on Rapid-režiim 2x kiiremaks andmetöötluseks* mingil süsteemi tasemel, kasutab kasutamata arvutimälu (DRAM) vahemäluna. Uusim Magician suurendas maksimaalset mälukasutust Rapid-režiimis eelmise 840 EVO versiooni 1 GB-lt 850 EVO 4 GB-ni, rakendades 16 GB DRAM-i. Samuti saate 2x jõudluse* kasvu kõigis juhuslikes järjekorrasügavustes.
*PCMARK7 RAW (250 GB) : 7500 > 15000 (Rapid-režiim)
Minge kiirteele täiustatud RAPID-režiimiga
Töötage kauem suurema energiatõhususega, mida toetab 3D V-NAND
850 EVO pakub oluliselt pikemat akukestvust teie arvutis, kus süsteemi 3D V-NAND jaoks optimeeritud kontroller võimaldab nüüd seadme uneaega ülitõhusa 2 millivati juures. 850 EVO on nüüd kirjutamisoperatsioonide ajal* 25% energiatõhusam kui 840 EVO tänu süsteemile 3D V-NAND, mis tarbib poole vähem energiat kui planaarne 2D NAND.
*Võimsus (250 GB) : 3,2 vatti (840 EVO) > 2,4 vatti (850 EVO)
Töötage kauem suurema energiatõhususega, mida toetab 3D V-NAND

Väärtuslike andmete kaitse täiustatud krüpteeringuga AES 256

850 EVO on varustatud uusima riistvarapõhise kogu ketta krüptimise mootoriga. AES 256 krüpteering-biti turvatehnoloogia kaitseb andmeid ilma jõudlust vähendamata ja ühildub TCG Opal 2.0-ga. Samuti ühildub see Microsoft eDrive IEEE1667-ga, nii et teie andmed on teie meelerahuks kogu aeg kaitstud.
Väärtuslike andmete kaitse täiustatud krüpteeringuga AES 256

Kaitse ülekuumenemise vastu ülimalt operatiivse Dynamic Thermal Guardiga

850 EVO Dynamic Thermal Guard jälgib ja reguleerib pidevalt ketta ideaaltemperatuure, et ketas töötaks optimaalsetes tingimustes ja teie andmed oleksid kaitstud. Kui temperatuurid tõusevad üle optimaalse läve, alandab Thermal Guard need automaatselt, kaitstes teie andmeid ja säilitades samal ajal operatiivsuse, et teie arvuti oleks kogu aeg ülekuumenemise eest kaitstud.
Kaitse ülekuumenemise vastu ülimalt operatiivse Dynamic Thermal Guardiga

Üleminek 850 EVO-le lihtne ja probleemivaba

Samsungi tarkvara One-stop Install Navigator võimaldab teil kõik andmed ja rakendused kolme lihtsa sammuga olemasolevalt esmasest mäluseadmest 850 EVO-le üle viia. Samuti võimaldab Samsungi tarkvara Magician teil optimeerida ja hallata oma süsteemi, nagu see teie pooljuhtkettale kõige paremini sobib.
Üleminek 850 EVO-le lihtne ja probleemivaba

Soetage endale tippkvaliteetsetest komponentidest koosnev integreeritud lahendus

Samsung on ainus pooljuhtkettafirma, kes projekteerib ja valmistab kõik ketta komponendid ise, et intergatsioon ileks täielikult optimeeritud. Tulemuseks on suurem jõudlus, madalam voolutarve tänu kuni 1 GB LPDDR2 DRAM-vahemälule ja suurem energiatõhusus tänu MEX/MGX-kontrollerile.
Soetage endale tippkvaliteetsetest komponentidest koosnev integreeritud lahendus

TEHNILINE TEAVE

Mõõdud:MZ-75E2T0B/EU

Põhifunktsioonid

  • Rakendus

    Kliendi arvutid

  • Mahutuvus

    2000 GB (1 GB = 1 miljard baiti, IDEMA) * Tegelik kasutatav mälumaht võib olla väiksem (see oleneb vormindusest, partitsioonist, operatsioonisüsteemist, rakendustest ja muust).

  • Seadme tüüp

    2,5"

  • Liides

    SATA 6 Gbit/s liides, ühildub liidestega SATA 3 Gbit/s ja SATA 1,5 Gbit/s

  • Mõõtmed (l x k x s)

    100 x 69,85 x 6,8 (mm)

  • Kaal

    Max 55,0 g

  • Mälu

    Samsung V-NAND

  • Kontroller

    Samsungi MHX-kontroller

  • Vahemälu

    Samsung 2GB Low Power DDR3

Erifunktsioon

  • TRIM tugi

    TRIM-tugi

  • S.M.A.R.T tugi

    S.M.A.R.T-tugi

  • Prügikorjamine

    Automaatse mälukoristuse algoritm

  • Krüpteeringu tugi

    AES 256-bitine krüpteering (klass 0) TCG / Opal IEEE1667 (krüptitud ketas)

  • WWN tugi

    WWN-tugi

  • Seadme unerežiimi tugi

    Jah

KUVA ROHKEM SPETSIFIKATSIOONELaienda

Jõudlus

  • Järjestiklugemine

    Kuni 540 MB/s järjestlugemine * Jõudlus võib olenevalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist erineda

  • Järjestikkirjutamine

    Kuni 520 MB/s järjestkirjutamine * Jõudlus võib olenevalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist erineda

  • Juhuslik lugemine (4 KB, QD32)

    Kuni 98000 IOPS juhuslik lugemine * Jõudlus võib olenevalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist erineda

  • Juhuslik kirjutamine (4 KB, QD32)

    Kuni 90000 IOPS juhuslik kirjutamine * Jõudlus võib olenevalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist erineda

  • Juhuslik lugemine (4 KB, QD1)

    Kuni 10000 IOPS juhuslik lugemine * Jõudlus võib olenevalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist erineda

  • Juhuslik kirjutamine (4 KB, QD1)

    Kuni 40000 IOPS juhuslik kirjutamine * Jõudlus võib olenevalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist erineda

Keskkond

  • Keskmine energiatarve (süsteemitasandil)

    *Keskmine: 3,4 W *Maksimum: 5 W (järjestikvõtterežiim) *Tegelik voolutarve võib olenevalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist erineda

  • Energiatarve (tühikäigul)

    Maksim. 50 mW *Tegelik voolutarve võib olenevalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist erineda

  • Lubatav pinge

    Lubatav pinge: 5 V ± 5%

  • Töökindlus (MTBF)

    Keskmine tõrgeteta töövältus (MTBF): 1,5 miljonit tundi

  • Töökeskkonna temperatuur

    0 - 70 °C

  • Löögikindlus

    1500 G ja 0,5 ms (pool siinuslainet)

Tarvikud

  • Paigalduskomplekt

    Ei

Tarkvara

  • Juhtimise tarkvara

    Tarkvara Magician pooljuhtketta haldamiseks

Garantii

  • Garantii

    5-aastane piiratud garantii või 300 TBW piiratud garantii

TugiViimased uuendused

  • NEWEST
  • MOST HELPFUL
  • HIGHEST RATING
  • LOWEST RATING