/

850 EVO mSATA SATA III SSD

MZ-M5E1T0

850 EVO mSATA SATA III SSD
  • Samsungi V-NAND tehnoloogia
  • Kuni 540 MB/s järjestikune lugemine ja 520 MB/s kirjutamine
  • mSATA eriti õhukestele sülearvutitele ja arvutitele

Akude vastutustundlik käitlemine

  • Patareisid ja akusid käsitleva Euroopa direktiivi eesmärk on minimeerida patareide ja akude mõju keskkonnale ning toetada nendes sisalduvate materjalide taaskasutusse võtmist. Ühendkuningriigis võeti patareide ja akude käitlemist käsitlevad määrused vastu 2009. aastal. Patarei- ja akujäätmete määruste eesmärk on märgatavalt suurendada kasutatud kantavate patareide ja akude kogumist ja käitlemist Ühendkuningriigis 3% pealt 2007. aastal 25% 2012. aastal ja vähemalt 45% peale 2016. aastal.

  • Patarei tähis tootel või tootepakendil näitab, et toodet ei tohi kõrvaldada koos muu olmeprügiga. Tarbija vastutab patarei- või akujäätmete toimetamise eest spetsiaalsesse kogumispunkti, et need saaks anda käitlusse. Patareide ja akude kogumine ja käitlemine nende kasutuselt kõrvaldamise käigus aitab säästa loodusvarasid ning tagada nende jäätmete käitlemise viisil, mis kaitseb nii inimeste tervist kui ka keskkonda. Patareide ja akude käitluskeskuste loendi Ühendkuningriigis leiate veebisaidilt: www.recycle-more.co.uk

  • Kõik Samsungi tooted, millele kehtib patareide ja akude direktiiv, on kooskõlas Ühendkuningriigi patareide ja akude nõuetega. Kooskõlas kohalike seadustega on SAMSUNG Electronics (UK) Ltd heakskiidetud akutootjate nõuetele vastavuse kava liige. Selle kava raames kogutakse, käideldakse ja kõrvaldatakse akusid Samsungi nimel.

Kihihüpiku sulgemine

850 EVO mSATA SATA III SSD

Funktsioonid

  • Mis on 3D V-NAND ja mille poolest see erineb olemasolevast tehnoloogiast?
  • TurboWrite aitab optimeerida jõudlust arvutiga töötades, tagades konkurentsitult parima lugemise / kirjutamise kiiruse.
  • Suurendage mälumahtu RAPID-režiimi abil
  • Töökindlus ja vastupidavus tänu 3D V-NAND-tehnoloogiale
Mis on 3D V-NAND ja mille poolest see erineb olemasolevast tehnoloogiast?
Samsungi välkmälu valmistamisel on kasutatud ainulaadset ja uuenduslikku kolmemõõtmelist V-NAND-arhitektuuri, mis tagab suurema tiheduse ning parema töövõime ja töökindluse. See on oluline läbimurre võrreldes tavapärase tasapinnalise NAND-arhitektuuriga. 3D V-NAND puhul laotakse elemendid vertikaalselt 32 kihina üksteise peale, selle asemel et vähendada elementide mõõtmeid ja püüda mahutada need kindlale horisontaalsele pinnale. Selline tehnoloogia tagab suurema tiheduse ja paremad tööomadused väiksemate mõõtmete juures.
Mis on 3D V-NAND ja mille poolest see erineb olemasolevast tehnoloogiast?
TurboWrite aitab optimeerida jõudlust arvutiga töötades, tagades konkurentsitult parima lugemise / kirjutamise kiiruse.
Samsungi TurboWrite'i tehnoloogia aitab saavutada ülima lugemise / kirjutamise kiiruse, et maksimeerida igapäevast jõudlust arvutiga töötades. Võrreldes pooljuhtkettaga 840 EVO tagab 850 EVO 13% parema kasutajakogemuse*, osaliselt tänu kaks korda kiiremale juhusliku kirjutamise jõudlusele** 850 EVO tagab parima jõudluse oma klassis nii järjestiklugemise (540 MB/s) kui ka kirjutamise puhul (520 MB/s). Peale selle on kasutaja käsutuses optimeeritud juhuslik tööjõudlus kõikide juhusliku kirjutamise kiiruste korral, olenemata kliendi arvutikasutuse stsenaariumist.
TurboWrite aitab optimeerida jõudlust arvutiga töötades, tagades konkurentsitult parima lugemise / kirjutamise kiiruse.
Suurendage mälumahtu RAPID-režiimi abil
Samsungi 850 EVO mSATA on väga kiire. Samsungi uusimal tarkvaral Magician on Rapid-režiim arvuti vaba mälu (DRAM) kasutamiseks vahemäluna, mis mahutab kuni 25% vaba mälu mahust. Tänu mälumahu olulisele suurenemisele Rapid-režiimis, suurenevad töötluskiirus ja juhusliku kirjutamise kiirus kuni kaks korda*.
Suurendage mälumahtu RAPID-režiimi abil
Töökindlus ja vastupidavus tänu 3D V-NAND-tehnoloogiale
850 EVO tagab garanteeritud töökindluse ja vastupidavuse, kahekordistades terabaitide arvu võrreldes eelmise põlvkonna mudeliga 840 EVO*. Samuti kaasneb sellega tööstusharu pikim garantii – 5 aastat. Suurendades tööjõudlust kuni 30% võrra, tagab 850 EVO püsiva jõudluse**, tänu millele on see üks töökindlamatest mälulahendustest turul.
Töökindlus ja vastupidavus tänu 3D V-NAND-tehnoloogiale
3D V-NAND-tehnoloogia täiustatud energiatõhusus
Kui 840 EVO-ga tuli turule 2 mW seadme puhkerežiim, siis 850 EVO-s kasutatakse esmakordselt kõrgtasemel 3D V-NAND tehnoloogiat (tarbib 50% vähem energiat, kui tasapinnaline 2D NAND), mis tagab 25% suurema energiatõhususe kirjutamise ajal*.
3D V-NAND-tehnoloogia täiustatud energiatõhusus
Paindlik vormiarv erinevat tüüpi seadmetes kasutamiseks
Universaalne 850 EVO mSATA sobib teile olenemata sellest, millist konnektori tüüpi või füüsilist pilu suurust teie seade toetab. See suurendab nüüdisaegsete lauaarvutite, sülearvutite ja esmajoones just üliõhukeste piiratud ruumiga tahvelarvutite jõudlust.
Paindlik vormiarv erinevat tüüpi seadmetes kasutamiseks

Turvalised andmed kõrgtasemel krüpteerimismeetodite abil.

850 EVO on tugevdatud uusima riistvarapõhise kogu ketta krüpteerimismootoriga. AES 256-bitine krüpteerimine ja TCG Opal 2.0 krüpteerimine turvavad andmeid ilma tööjõudlust vähendamata. See ühildub ka Microsoft e-drive IEEE1667-ga, mis tähendab, et teie andmed on igal ajal kaitstud.
Turvalised andmed kõrgtasemel krüpteerimismeetodite abil.

Dünaamiline termokaitse kaitseb ülekuumenemise eest.

850 EVO dünaamiline termokaitse funktsioon jälgib pidevalt ketta temperatuuri, hoides automaatselt ideaalset temperatuuri optimaalse talitluse tagamiseks.
Dünaamiline termokaitse kaitseb ülekuumenemise eest.

Lihtne ja kiire migratsioonihaldus

One-Stopi paigaldusnavigaatori abil paigaldatakse Samsungi tarkvara Data Migration ja Magician mugavalt üheaegselt, et tagada pooljuhtketta optimeeritud seadistus efektiivseks andmeedastuseks.
Lihtne ja kiire migratsioonihaldus

Nautige integreeritud tehaselahendust tippkvaliteetsete komponentidega

Tööstusharu juhtiva pooljuhtketaste tootjana on Samsung ainus, kes konstrueerib, arendab ja toodab oma tooteid eranditult ettevõttesiseselt. See tagab sujuvalt integreeritud ja täielikult optimeeritud lahenduse suuremaks jõudluseks, välistades ohu, et komponendid võiksid omavahel mitte sobida.
Nautige integreeritud tehaselahendust tippkvaliteetsete komponentidega

TEHNILINE TEAVE

Mõõdud:MZ-M5E1T0BW

Põhifunktsioonid

  • Rakendus

    Kliendi arvutid

  • Mahutuvus

    1000 GB (1 GB = miljardit baiti IDEMA kohaselt) * Tegelik kasutatav mälumaht võib olla väiksem (see oleneb vormindusest, partitsioonist, operatsioonisüsteemist, rakendustest ja muust).

  • Seadme tüüp

    mSATA

  • Liides

    SATA 6 Gb/s liides, ühilduv SATA 3 Gb/s ja SATA 1,5 Gb/s liidesega

  • Mõõtmed (l x k x s)

    (50,8 ± 0,15) x (29,85 ± 0,15) x Max 3,85 (mm)

  • Kaal

    Max 8,5 g

  • Mälu

    Samsungi 32-kihiline 3D V-NAND

  • Kontroller

    Samsungi MEX kontroller

  • Vahemälu

    Samsung 1 GB madala võimsusega DDR2 SDRAM

Erifunktsioon

  • TRIM tugi

    TRIM tugi

  • S.M.A.R.T tugi

    S.M.A.R.T tugi

  • Prügikorjamine

    Automaatne prügikorjamise algoritm

  • Krüpteeringu tugi

    AES 256-bitine krüpteerimine (klass 0), TCG / Opal, IEEE1667 (krüpteeritud ketas)

  • WWN tugi

    World Wide Name tugi

  • Seadme unerežiimi tugi

    Jah

KUVA ROHKEM SPETSIFIKATSIOONELaienda

Jõudlus

  • Järjestiklugemine

    Järjestiklugemine kuni 540 MB/s * Jõudlus võib erineda sõltuvalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist

  • Järjestikkirjutamine

    Järjestikkirjutamine kuni 520 MB/s * Jõudlus võib erineda sõltuvalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist

  • Juhuslik lugemine (4 KB, QD32)

    Juhuslik lugemine kuni 97000 IOPS * Jõudlus võib erineda sõltuvalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist

  • Juhuslik kirjutamine (4 KB, QD32)

    Juhuslik kirjutamine kuni 88000 IOPS * Jõudlus võib erineda sõltuvalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist

  • Juhuslik lugemine (4 KB, QD1)

    Juhuslik lugemine kuni 10000 IOPS * Jõudlus võib erineda sõltuvalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist

  • Juhuslik kirjutamine (4 KB, QD1)

    Juhuslik kirjutamine kuni 40000 IOPS * Jõudlus võib erineda sõltuvalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist

Keskkond

  • Keskmine energiatarve (süsteemitasandil)

    *Keskmine: 4,3 W *Maksimum: 5,7 W (valangrežiimis) * Tegelik energiatarve võib erineda sõltuvalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist.

  • Energiatarve (tühikäigul)

    Max 50 millivatti * Tegelik energiatarve võib erineda sõltuvalt süsteemi riistvarast ja konfiguratsioonist.

  • Lubatav pinge

    Lubatav pinge 5 V ± 5%

  • Töökindlus (MTBF)

    Töökindlus (MTBF) 1,5 miljonit tundi

  • Töökeskkonna temperatuur

    Töötemperatuur 0 – 70 °C

  • Löögikindlus

    1500 G & 0,5 ms (poolsiinus)

Tarvikud

  • Paigalduskomplekt

    Andmed puuduvad.

Tarkvara

  • Juhtimise tarkvara

    Magician'i tarkvara pooljuhtketta haldamiseks

Garantii

  • Garantii

    5 aastat piiratud garantii või 150 TBW piiratud garantii

TugiViimased uuendused

  • NEWEST
  • MOST HELPFUL
  • HIGHEST RATING
  • LOWEST RATING