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SSD 850 EVO SATA III 2.5''

MZ-75E1T0

SSD 850 EVO SATA III 2.5'' 5 5 3 reviews
  • Tecnología V-NAND de Samsung
  • Hasta 540MB/s de lectura secuencial y 520MB/s de escritura
  • Garantía limitada de 5 años

Reciclaje responsable de las pilas

  • La Directiva Europea sobre baterías y acumuladores tiene como objetivo minimizar el impacto de las pilas en el medio ambiente y fomentar la recuperación de los materiales que contienen. En el Reino Unido, la normativa que regula el reciclaje de pilas y acumuladores (baterías recargables) se introdujo en 2009. La normativa que regula la gestión de pilas usadas tienen como objetivo aumentar la recogida y reciclaje de pilas y acumuladores portátiles usados en el Reino Unido, para pasar del 3 % en 2007 al 25 % en 2012, y llegar como mínimo al 45 % en 2016.

  • El símbolo de la pila en un producto o embalaje significa que el producto no debe tirarse a la basura doméstica. En este caso, es responsabilidad del consumidor deshacerse de las pilas usadas en un punto de recogida específico para que puedan ser recicladas. La recogida selectiva y reciclaje de las pilas contribuye a la conservación de los recursos naturales y a la protección de la salud y el medio ambiente. La lista completa de centros de reciclaje de pilas se puede obtener de: www.recycle-more.co.uk

  • Todos los productos de Samsung que están sujetos a la Directiva sobre pilas cumplen la normativa sobre pilas y acumuladores del Reino Unido. De conformidad con la legislación del Reino Unido, Samsung Electronics (UK) Ltd es miembro de un programa oficial para fabricantes de pilas. Dicho programa se encarga, en nombre de Samsung, de la recogida, tratamiento y desecho de las pilas usadas.

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Características

Arquitectura 3D V-NAND
La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.
Arquitectura 3D V-NAND
Trabaja más rápido gracias a TurboWrite
La tecnología TurboWrite te ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura / escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de tu ordenador. Disfruta de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1,9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**.
*PCmark7 (250 GB ): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)
**Escritura aleatoria (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)
Trabaja más rápido gracias a TurboWrite
Potencia y rendimiento
El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutarás del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid mode)
Potencia y rendimiento
Resistencia garantizada
Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía.
*TBW: Bytes totales escritos
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB)
***Rendimiento constante 250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas.
Resistencia garantizada
Trabaja por más tiempo
Trabaja en tu portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
*Consumo (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)
Trabaja por más tiempo

Protege tus datos con una encriptación más segura

La unidad SSD 850 EVO cuenta con un motor de encriptado basado en hardware AES de 256 bits que mantendrá a salvo tu información sin reducir el rendimiento, cumpliendo con la normativa TCG Opal 2.0. Además, es totalmente compatible con Microsoft e-drive IEEE1667, por lo que tu información estará siempre segura.
Protege tus datos con una encriptación más segura

Olvídate del sobrecalentamiento

La protección Dynamic Thermal Guard de la unidad SSD 850 EVO mantiene la temperatura óptima para proteger la integridad de tus datos. La temperatura disminuye si se detecta un sobrecalentamiento, asegurando así la máxima protección de tu equipo.
Olvídate del sobrecalentamiento

Instalación sencilla

Migra todos tus datos y aplicaciones desde tu disco duro a la nueva unidad SSD 850 EVO en tres sencillos pasos. Gracias al software Samsung Magician optimizarás y gestionarás tu sistema de la forma más eficiente.
Instalación sencilla

Componentes de la mayor calidad

Samsung es el único fabricante de unidades SSD que diseña y fabrica directamente todos los componentes. Así, puede garantizar que sus tarjetas ofrecen un increíble rendimiento, bajo consumo con hasta 1 GB de memoria caché LPDDR2 DRAM y la máxima eficiencia energética gracias al controlador MEX / MGX.
Componentes de la mayor calidad

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

Tamaño de MZ-75E1T0B/EU

Características generales

  • Aplicación

    Cliente PCs

  • Capacidad

    1.000 GB * La capacidad real puede ser menor

  • Formato

    2,5"

  • Interfaz

    Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con el interfaz SATA 3 Gb/s & SATA 1,5 Gb/s

  • Dimensiones

    100 x 69,85 x 6,8 mm

  • Peso

    Max 66 g

  • Memoria de almacenamiento

    Samsung 32 layer 3D V-NAND

  • Controller

    Samsung MEX

  • Memoria caché

    Samsung 1 GB Low Power DDR3 SDRAM

Características especiales

  • Soporte TRIM

    Soportado

  • Soporte S.M.A.R.T

    Soportado

  • GC (Garbage Collection)

    Algoritmo Auto Garbage Collection

  • Encriptación

    Encriptación AES 256 bit (Clase 0), TCG / Opal, IEEE1667

  • WWN

    World Wide Name Soportado

  • Soporte Modo Suspensión en dispositivo

VER MÁS INFORMACIÓNExpandir

Rendimiento

  • Lectura secuencial

    Lectura secuencial de hasta 540 MB/seg * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema

  • Escritura secuencial

    Escritura secuencial de hasta 520 MB/seg * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema

  • Lectura aleatoria (4KB, QD32)

    Lectura aleatoria de hasta 98.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema

  • Escritura aleatoria (4KB, QD32)

    Escritura aleatoria de hasta 90.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema

  • Lectura aleatoria (4KB, QD1)

    Lectura aleatoria de hasta 10.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema

  • Escritura aleatoria (4KB, QD1)

    Escritura aleatoria de hasta 40.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema

Entorno

  • Consumo energético medio

    4 Watts *Máximo: 4,4 Watts (Burst mode) * El consumo puede variar en base al hardware y a la configuración del sistem

  • Consumo energético (Idle)

    Max. 50 mWatts * El consumo puede variar en base al hardware y a la configuración del

  • Voltaje soportado

    5 V ± 5%

  • Durabilidad (MTBF)

    1,5 Millones de horas (MTBF)

  • Temperatura

    0 - 70 °C

  • Golpes

    1.500 G & 0,5 ms

Software

  • SW de gestión

    Magician Software para la gestión SSD

Garantía

  • Garantía

    5 años de garantía limitada o garantía limitada de 75TBW

VALORACIONES

Atención al clienteÚltimas Actualizaciones

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