Samsung abre una nueva era de SSD con arquitectura V-NAND de 3 bit con el lanzamiento de la serie 850 EVO para el mercado de consumo

2014-12-10

Gracias a su tecnología 3D V- NAND, los nuevos SSD 850 EVO ofrecen un mayor rendimiento, resistencia y fiabilidad, convirtiéndose en la mejor opción para el público en general

Madrid – 10 de diciembre de 2014 – Anunciamos el lanzamiento de la serie 850 EVO, la última incorporación a su línea de unidades de discos de estado sólido (SSD). Basada en nuestra tecnología 3D Vertical NAND (V-NAND) de 3-bit de Samsung, los SSD 850 EVO proporcionan un notable salto de rendimiento y resistencia comparados con su predecesor, que los convierten en una opción ideal para su uso en cualquier dispositivo que requiera almacenamiento rápido y fiable unido a un bajo consumo. Con el eslogan “Un nuevo calibre de rendimiento y resistencia”, las nuevas unidades SSD estarán disponibles en un total de 53 países de los mercados de Europa, Estados Unidos y Asia a finales de este mes.

 

Estamos muy contentos de poder ofrecer a los usuarios una experiencia de almacenamiento mejorada gracias a los nuevos SSD 850 EVO”, señala Unsoo Kim, vicepresidente del equipo de marketing de producto en Samsung Electronics. “Samsung continuará desarrollando SSDs basados en la tecnología V-NAND en una gran variedad de formatos, al mismo tiempo que seguiremos impulsando el crecimiento del mercado SSD a nivel mundial”.

 

Mientras que la unidad Samsung SSD 850 PROque lanzamos en julio utiliza una tecnología 2-bit 3D V-NAND para uso profesional en PCs de alta gama y servidores empresariales de pequeño y mediano tamaño, la serie 850 EVO está construida con tecnología 3-bit 3D V-NAND. Esto la convierte en idónea para su uso por parte del público general y usuarios avanzados en dispositivos como los portátiles y los PCs para gaming. Con la llegada de la serie 850 EVO, en Samsung damos un nuevo paso en nuestra línea de productos SSD con nuevas unidades basadas en tecnología V-NAND.

 

La serie Samsung 850 EVO incluye diversas opciones de capacidad desde 120 GB hasta 1 TB y destaca por velocidades de lectura secuencial de hasta 540 megabytes por segundo (MB/s) y velocidades de escritura de hasta 520 MB/s. Con nuestra tecnología TurboWrite, la versión de 1 TB de la unidad 850 EVO ofrece velocidades de escritura aleatoria de hasta 90.000-IOPS, lo que permite un rápido almacenamiento de altos volúmenes de datos y operaciones multitarea. Adicionalmente, la unidad ofrece una fiabilidad extraordinaria con 80 GB de datos escritos diarios durante cinco años, en los modelos de 500 GB y 1 TB.

 

El próximo año, Samsung prevemos lanzar una línea ampliada 850 EVO en los formatos mSATA y M.2, basados en tecnología 3-bit V-NAND. En Samsung esperamos también que la serie 850 EVO impulse la expansión del mercado SSD de alta densidad, al mismo tiempo que satisface la necesidad creciente de SSDs por encima de los 500 GB en capacidad de almacenamiento.

 

Para más información, visite www.samsung.com/850evo.