profil de l’entreprise
communique de presse
activité semiconducteurs
L’activité semiconducteurs de SAMSUNG est en mesure de proposer des solutions totalement mobiles et fait figure de pionnier sur le marché mondial de la mémoire à la fois pour ses produits et pour ses innovations technologiques.
Notre section Mémoire est un leader mondial incontesté. À la fin de l’année 2006, nous étions toujours le premier fabricant de puces mémoire au monde, pour la quatorzième année d’affilée. Nous occupons la première marche du podium des ventes de DRAM depuis 15 ans, des ventes de SRAM depuis 12 ans et de puces mémoire flash depuis 4 ans. Nous devançons également la concurrence en ce qui concerne la commercialisation de nanotechnologies, le développement de nouveaux dispositifs de mémoire, de modules multipuces et de mémoire fusion.
Les forces de l’activité LSI système se concentrent sur cinq domaines principaux, dont nous sommes par ailleurs les leaders mondiaux. DDi (circuits intégrés pilotes d’affichage), puces smartcard pour cartes SIM, processeurs pour applications de navigation, capteurs d’image SoC (systèmes intégrés sur puce) CMOS pour lecteurs multimédia.
Notre section Stockage propose des disques durs fournissant une grande capacité pour le stockage de données pour les produits mobiles et les appareils numériques. Nous sommes les leaders technologiques incontestés dans ce domaine. Nous avons développé le premier disque dur 1,8 " au monde et le premier disque dur hybride 2,5 " en 2006 ; au cours des deux premiers premiers trimestres 2007, nous avons présenté un disque dur 2,5 " disposant d’une capacité inédite de 250 Go.
Produit phare
SDRAM DDR2 1 Go avec circuits de 50 nm
- Le premier module Dram au monde à disposer de circuits de 50 nm.
- Mémoire flash NAND 32 Go avec circuits de 40 nm.
- Avec 155 brevets récompensant des technologies originales ou modifiées, il s’agit de la première architecture CTF (charge trap flash) commercialisée.
- Cette innovation a dépassé la limite des processeurs 50 nm et a ouvert la voix pour faire des technologies 40 nm et inférieures la norme de conception et de commercialisation à l’avenir.
OneDRAMTM 512 Mo
- Mémoire fusion intégrant un module mobile DRAM et un module SRAM sur le même circuit.
- Optimise la vitesse de traitement des données entre plusieurs processeurs.
Flex-OneNANDTM 4 Go
- Intègre le meilleur de deux mondes : La vitesse fulgurante de la mémoire NAND SLC (single-level cell) et la capacité élevée de la mémoire MLC (multi-level cell).
- Tous les types de données peuvent être stockés sur le même circuit, réduisant ainsi grandement les dimensions du facteur format téléphone portable.
PRAM 512 Mo
- La plus grande capacité au monde pour un circuit réalisé dans ce nouveau matériau.
- Transmet les données 30 fois plus vite que la mémoire flash NOR et dure jusqu’à 10 fois plus longtemps, permettant d’accroître les performances des téléphones mobiles et autres produits portables.
DDI « Intelligent »
- Un circuit intégré pilote d’affichage unique en son genre qui mesure la luminosité ambiante et ajuste l’image à l’écran pour une qualité optimale.
- Réduit la consommation électrique de l’écran d’au moins 30 % en intérieur.
Carte S-SIM 1 Go
- Carte de nouvelle génération intégrant un module de mémoire flash NAND dans un circuit de type smartcard.
- Intègre des fonctions de sécurité et stocke les données multimédia.
Solid state drive (SSD) 1,8 " 64 Go
- Utilise un module mémoire flash NAND SLC (single-level cell) 8 Go équipé de circuits de 50 nm au lieu d’un disque.
- Application d’un nouveau concept qui étend l’application de la mémoire flash NAND au-delà des produits mobiles de petite taille et des produits électroniques grand public pour intégrer les PC ; améliore la stabilité et les performances du système.
| produit | part de marché | rang |
|---|---|---|
| DRAM | 29.0% |
1er |
| SRAM | 27% |
1er |
| Mémoire Flash | 25.0% |
1er |
| Circuit intégré pilote LCD | 19.0% |
1er |
version bas débit
