Eszközmegoldások

Lehetőség

Az informatikai megoldások zavartalan működése érdekében számos elektronikai eszköz belső működését úgy alakítottuk ki, hogy az maximális teljesítményt, megbízhatóságot és hosszú élettartamot biztosítson.

 

Kiemelkedő technológiájának és drámai költségmegtakarításának köszönhetően a Samsung Electronics piacvezető pozíciót ért el a memóriaiparban. Ez izgalmas jövőt vetít előre. Bővítjük rendkívül jövedelmező, differenciált termékskálánkat, ami főleg a mobileszközöket érinti. A gyorsuló folyamatátalakítás mellett pedig a következő generációs termékek fejlesztésére összpontosítunk. Az AP és CIS szenzorok iránt megnövekedett kereslet által támogatott System LSI üzletágunk erős növekedése és költséghatékonysága lehetővé teszi a következő generációs termékek gyorsabb bevezetését.

Memória-üzletág

Élvonalbeli, a világ legnagyobb teljesítményét nyújtó, zöld memóriák révén egy könnyebben élhető világot hozunk létre.
 

1993 óta szilárdan megtartottuk vezető helyünket a memóriák globális félvezetőpiacán, és eközben páratlan versenyelőnyt teremtve járultunk hozzá a globális informatikai piac általános növekedéséhez. 2016-ban kitoltuk a félvezető memóriatechnológia határait, amikor bemutattuk az iparág legnagyobb kapacitású termékeit: a prémium okostelefonokhoz és tabletekhez készült 8 GB-os mobil DRAM-csomag négy 16 gigabites LPDDR4 DRAM memóriachipet tartalmaz és 10 nanométeres technológiára épül, a 15,36 TB-os SAS SSD pedig a 48 rétegű, 256 GB-os V-NAND technológia révén az iparág legnagyobb tárolókapacitását biztosítja a vezető vállalati ügyfelek számára. Emellett a csúcstechnológiát jelentő DRAM és NAND flashalapú megoldások piaci bevezetésével tovább gyorsítottuk a fejlett memóriaszegmens növekedését. Ezek között a 8 GB-os HBM2 DRAM és a 8 GB-os LPDDR4/4X mobil DRAM kivételesen nagy sebességet és sávszélességet kínál a következő generációs grafikus és mobilalkalmazásokhoz. A NAND flash-szektorban a fogyasztói SSD-k, pl. a 2 TB-os 960 PRO (M.2 NVMe SSD) és a 2 TB-os T3 (hordozható SSD) elősegítették, hogy a piac a nagyobb adatsűrűségű tárolókapacitást nyújtó megoldások felé mozduljon el. A 512 GB-os BGA NVMe SSD egyetlen, egygrammos csomagban integrálja az összes alapvető SSD-komponenst, és ezáltal maximális rugalmasságot biztosít a számítástechnikai eszközök tervezése során. 2017-ben proaktív módon reagáltunk a szélesebb piaci igényekre a mobil-, a PC-, a vállalati és a felhőszolgáltatásoktól kezdve egészen a kiterjesztett valóságig (AR), a virtuális valóságig (VR) és az autóipari alkalmazásokig. Ennek érdekében olyan fejlett memóriatermékek még szélesebb választékát tervezzük bevezetni, amelyek páratlan teljesítményt és kapacitást biztosítanak, beleértve a legfrissebb 64 rétegűV-NAND-alapú SSD-t a fogyasztói és vállalati alkalmazások számára, valamint az ultrakompakt eUFS, illetve a nagy sebességű Z-SSD termékeket. Folytatni fogjuk a 10 nanométeres gyártási technológia továbbfejlesztését a DRAM megoldásokhoz és a következő generációs V-NAND technológiákhoz, hogy piacvezető helyünket megtartva járuljunk hozzá a globális memóriapiac növekedéséhez.

System LSI üzletág

Vezető innováció az elektronikus eszközök terén versenyképes K + F és úttörő folyamattechnológia révén.
 

System LSI üzletágunk a következő generációs termékek fejlesztésére összpontosít, hogy megerősítse a gyártást kiszervező tervezők között élvezett technológiai versenyelőnyünket, és bebetonozza pozíciónkat a globális piacon. 2016-ban a System LSI üzletág bemutatta a FinFET 14 nanométeres (nm) folyamattechnológiával készült teljes körű mobil System-on-Chip (SoC) egylapkás rendszert, benne a prémium mobileszközökhöz készült Exynos 8 Octa processzort, az Exynos 7 Quadot, amely integrált teljes körű csatlakoztathatóságot kínál belépő szintű eszközökhöz, és az Exynos 7 Dualt, amely az iparág első, 14 nm-es, viselhető eszközökre szabott, SoC rendszere volt. A vállalat szintén bemutatta a Dual Pixel képérzékelőt is, amely DSLR fényképezőgép-szintű, fázisérzékelő autofókuszt biztosít a mobilplatform számára, amelynek köszönhetően az eszközfelhasználók gyors fényképfelvételt és kiváló képminőséget érhetnek el kedvezőtlen fényviszonyok esetén is. 2017-ben System LSI üzletágunk katalizálni kívánja az olyan innovatív termékek fejlesztését, mint a következő generációs okostelefonok és a legújabb, 10 nm-es FinFET folyamattechnológiára épülő Exynos 9 rendszerchippel ellátott VR- és AR-eszözök. Az elkövetkező években a System LSI üzletág elsődleges célja, hogy üzleti portfolióját az alapvető tervezési potenciál erősítése révén, a jelenlegi zászlóshajó szerepét betöltő üzleti területek mellett különböző szektorokban – 5G modem, következő generációs képérzékelők, energiagazdálkodási IC-k (PMIC) – továbbfejlessze.

Chipgyártás üzletág

A chipmegoldások teljes skáláját nyújtja a fejlett gyártástechnológiától kezdve a bevált IP- és tervezési ökoszisztémáig.

 

2016 januárjában a Samsung chipgyártó üzletága sikeresen demonstrálta technológiai vezető pozícióját, amikor megkezdte a 2. generácós 14 nanométeres (nm) FinFET technológián alapuló, mobileszközökhöz készült SoCs (System-on-Chips) termékek tömeggyártását. 2016 októberében az üzletág szintén tömegesen gyártani kezdte a 10 nm-es FinFET technológián alapuló SoC chipet. Erre a technológiai bátorságra építve bővítjük ki stratégiai chipgyártó együttműködésünket a vezető globális ügyfelekkel, hogy biztosíthassuk azokat a következő generációs, mobilSoC rendszerchipeket, amelyek a legkülönbözőbb fejlett mobileszközök és IoT termékek motorjaként szolgálnak. 2005-ös megalapítása óta a Samsung chipgyártó üzletága optimalizált termékeket és szolgáltatásokat nyújt az ügyfeleknek. 2017 májusában a chipgyártó üzletág azzal a céllal vált le a System LSI üzletágról, hogy megerősítse üzleti szakértelmét, és felgyorsítsa növekedését a piacon. A chipgyártó üzletág tervei között szerepel, hogy 2017 végéig megkezdi a 2. generációs 10 nm-es FinFET tömeggyártását, és a növekvő kereslet kielégítésére kibővíti 10 nm-es gyártókapacitását. Emellett folytatja a legkorszerűbb technológiák időszerű fejlesztését, beleértve a 8 és 18 nm-en túli FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) design node-okat, hogy jobban megfeleljen a logikai megoldások iránt támasztott felhasználói igényeknek.