פתרונות התקנים

אפשרות

על מנת להבטיח שכל פתרונות ה-IT יפעלו באופן חלק, אנו מבטיחים שהמנגנונים הפנימיים של מערך שלם של מכשירים אלקטרוניים יעוצבו באופן הממטב את הביצועים, האמינות ואורך החיים שלהם.

 

Samsung Electronics מחזקת את מעמדה כמובילה בשוק הזיכרונות, באמצעות יישום טכנולוגיה עילאית וחסכון ניכר בעלויות. כך נוצרות אפשרויות מרגשות. אנו מרחיבים את המוצרים המובדלים הרווחיים לעילא שלנו, בעיקר למכשירים ניידים ולהאצת המרת טכנולוגיית תהליכי ייצור, תוך התמקדות בפיתוח מוצרי הדור הבא. מדורבנת על ידי דרישה מוגברת לחיישני AP ו-CIS, מחלקת ה-System LSI שלנו הראתה צמיחה חזקה והיא מובילה את השוק בקטגוריית העלויות הנמוכות ביותר, ומאפשרת לנו להשיק את מוצרי הדור הבא בקצב מהיר יותר.

מחלקת זיכרונות

יצירת עולם נוח יותר עם זיכרון ירוק פורץ דרך עם הביצועים הטובים ביותר בעולם.
 

מאז 1993 אנו מבצרים את מעמדנו כחברה המובילה בשוק הזיכרונות המוליכים למחצה הגלובלי, תוך שאנו לתורמים לצמיחה הכללית של שוק ה-IT הגלובלי ומבססים יתרון תחרותי בלתי גשיר. ב-2016, אתגרנו את גבולותיה של טכנולוגיית המוליכים למחצה באמצעות השקת שורה של מוצרים חלוציים בתעשייה: שבבי LPDDR4 DRAM 16 ג'יגה-בית של 10 ננומטר המפעילים חבילת זיכרונות DRAM ניידים של 8 ג'יגה-בית עבור טלפונים חכמים ומחשבי לוח מתקדמים, ואת כונן SAS SSD המאחסן 15.36 טרה-בית, המבוסס על טכנולוגיית V-NAND 256 ג'יגה-בית עם 48 שכבות, המציעה את כושר האחסון הגבוה בתעשייה ללקוחות ארגוניים מובילים. בנוסף, האצנו את קצב התקדמות פלח הזיכרונות המתקדמים באמצעות הצגת פתרונות פורצי דרך מבוססי הבזק בדמות DRAM ו-NAND לשוק. בקרב אלו, זיכרון HBM2 DRAM 8 ג'יגה-בית וזיכרון LPDDR4/4X DRAM נייד של 8 ג'יגה-בית, מציעים מהירות ורוחב פס גבוהים במיוחד, הנדרשים לגרפיקה וליישומים הניידים של הדור הבא. בסקטור הבזקי ה-NAND, כונני SSD לצרכן, כמו 960 PRO 2 טרה-בית (M.2 NVMe SSD) וכונן T3 2 טרה-בית (SSD נייד), עזרו לשוק לנוע לקראת פתרונות אחסון לצרכן בצפיפות גבוהה יותר. כונן BGA NVMe SSD 512 ג'יגה-בית, משלב את כל רכיבי ה-SSD החיוניים בחבילה אחת במשקל גרם, ומאפשר גמישות מרבית בעיצוב התקני מחשוב. ב-2017, אנו מגיבים באופן יזום לצרכי השוק הרחבים יותר, החל עם ניידים, מחשבים אישיים, ארגונים ושירותי ענן, ועד מציאות רבודה, מציאות מדומה ואפליקציות לרכב. למען מטרה זו, אנו מתכננים להשיק מערך מקיף יותר של מוצרי זיכרון מתקדם, עם רמות ביצועים וקיבולת חסרות תקדים, לרבות כונן SSD חדיש בעל 64 שכבות המבוסס על V-NAND שנועד לאפליקציות לצרכנים ולארגונים, זיכרונות eUFS קטנים במיוחד ו-Z-SSD במהירות גבוהה. בנוסף נמשיך להתקדם בטכנולוגיית תהליך הייצור של 10 ננומטר עבור פתרונות DRAM וטכנולוגיות V-NAND של הדור הבא, על מנת לשמר את מעמד ההובלה שלנו ואת התרומה שלנו לשוק הזיכרונות הגלובלי.

מחלקת System LSI

מובילת חדשנות במכשירים אלקטרוניים עם מו"פ תחרותי וטכנולוגיית תהליכי ייצור פורצת גבולות.
 

מחלקת ה-System LSI שלנו מתמקדת בפיתוח מוצרי הדור הבא, על מנת לחזק את היתרון התחרותי הטכנולוגי שלנו בפלח ה-Fabless (ייצור חיצוני) וחיזוק מעמדנו בשוק הגלובלי. ב-2016, מחלקת ה-System LSI השיקה מערך שלם של מעגלי System-on-Chip (SoC) לנייד, בטכנולוגיית תהליכי ייצור FinFET של 14 ננומטר, לרבות Exynos 8 Octa עבור מכשירים ניידים יוקרתיים, Exynos 7 Quad, פתרון עם קישוריות מלאה משולבת למכשירים זולים, ו-Exynos 7 Dual, מעגל SoC 14 ננומטר למכשירים לבישים – הראשון מסוגו בתעשייה. החברה אף השיקה את חיישן ה-Dual-Pixel, שמציע מיקוד אוטומטי עם מנגנון זיהוי פאזות DSLR ברמה של מצלמה לפלטפורמות ניידות, על מנת לתת למשתמשי ניידים כושר צילום מהיר ואיכות תמונה גבוהה, גם בתנאי תאורה חלשה. ב-2017, מחלקת ה-System LSI שלנו צפויה לזרז את פיתוחם של מוצרים חדשניים כמו טלפונים חכמים של הדור הבא, ומכשירי מציאות מדומה ומציאות רבודה עם טכנולוגיה חדישה ומבוססת Exynos 9 של תהליכי ייצור FinFET של 10 ננומטר. מחלקת System LSI מעניקה עדיפות עליונה בשנים הקרבות לקידום הפורטפוליו העסקי שלה, באמצעות בניית יכולות פיתוח ליבה משופרות במגוון סקטורים – מודם 5G, חיישני תמונה של הדור הבא ומעגלים משולבים לניהול הספק (PMIC) – בנוסף לתחומים העסקיים המהווים כרגע את ספינת הדגל של החברה.

מחלקת ייצור שבבים

מציעה טווח שלם של פתרונות ייצור שבבים, מטכנולוגיית תהליכי ייצור מתקדמת, לסביבת פיתוח וקניין רוחני.

 

בינואר 2016, המחישה מחלקת ייצור השבבים של Samsung את מעמדה בחזית הטכנולוגית, עם ייצור המוני של מעגלי FinFET SoCs (System-on-Chips) 14 ננומטר דור שני לנייד. באוקטובר 2016, החלה מחלקת ייצור השבבים בייצור המוני של מעגלי SoC לנייד בטכנולוגיית תהליכי ייצור FinFET של 10 ננומטר - לראשונה בתעשייה. על בסיס עצמה טכנולוגית זו, אנו צופים הרחבה של שיתוף הפעולה האסטרטגי שלנו בייצור שבבים עם לקוחות גלובליים מובילים, ומספקים מעגלי SoC לנייד של הדור הבא, המניעים מערך רחב של מכשירים ניידים ומוצרי IoT מתקדמים. מאז הקמתה ב-2005, מחלקת ייצור השבבים של Samsung הפיקה מוצרים ושירותים ממוטבים ללקוחות. במאי 2017, הופרדה יחידת ייצור השבבים ממחלקת ה-System LSI, מתוך מטרה לחזק את מומחיותה המקצועית ולהאיץ את גידול נוכחותה בשוק. מחלקת ייצור השבבים מתכננת ליזום ייצור המוני של תהליך הייצור FinFET של 10 ננומטר מדור שני עד תום 2017, ותרחיב את קיבולת ייצור ה-10 ננומטר שלה על מנת לענות לביקוש הגובר. בנוסף, היא תמשיך לפתח לפי המתוכנן טכנולוגיות פורצות גבולות, לרבות צמתי הדור הבא, מעבר ל-8 ננומטר ולטכנולוגיית FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) של 18 ננומטר, על מנת לתת מענה משופר לצרכי הלקוחות לפתרונות לוגיים.