חומרה

הסיפור שמאחורי

מהירות וביצועים משופרים ב- Galaxy S6 וב- Galaxy S6 edge.
ה- Galaxy S6 וה-Galaxy S6 edge מגיעים עם כמה מתכונות החומרה המתקדמות ביותר בשוק, כדי לספק לכם ביצועים ומהירות משופרים, עם צריכת חשמל מיטבית.

מעבד נייד 14nm ו-CPU של 64 סיביות

Galaxy S6 ו-S6 Edge כוללים את המעבד הנייד הראשון בעולם מסוג 14nm Exynos 7420, המספק מהירות עיבוד משופרת. המעבד מסוג 14nm FinFET Exynos 7420 עם שמונה ליבות משיג מהירויות של 2.1‎ GHz עבור ליבות Cortex-A57 ו-1.5‎ GHz עבור ליבות Cortex-A53‏.

השדרוג ממעבד 28nm למעבד 14nm מצמצם את צריכת החשמל ב-30 אחוז בערך בהשוואה לדגם הקודם. גודל הייצור הקטן יותר יוצר מרחק קצר יותר בין טרנזיסטורים, כלומר צריכת חשמל נמוכה יותר ומהירות עיבוד גבוהה יותר. במקביל, משום שהטרנזיסטורים יותר קרובים עתה זה לזה, נוצר סיכון של זליגת זרם בין חלקי השבב. תהליך הייצור ב-FinFET מטפל בנושא זה, באריזת הערוץ המוליך ב"סנפיר" דק מסיליקון.

גרף עמודות המראה 30% שיפור

המעבד בגודל 14nm תומך ב-CPU החדש של 64 סיביות. מערכת ההפעלה החדשה Android Lollipop ממוטבת גם היא למעבדים של 64 סיביות. כמו כן, ההתקנים החדשים הם הראשונים שמגיעים עם מערכת הזיכרון LPDDR4, המספקת כ-30 אחוז שיפור בביצועים בהשוואה ל-LPDDR3, שבשימוש בדגמים הקודמים.

Android Lollipop

CPU של 64 סיביות

Universal Flash Storage 2.0

הזיכרון הפנימי של Galaxy S6 ו-S6 Edge עושה שימוש בתקן UFS (Universal Flash Storage) 2.0 החדש, המעניק זמן אתחול מקוצר וכן שיפור בזמני העתקה והעברת קבצים, מבלי לפגוע בביצועי הזיכרון או טעינת הסוללה.
טכנולוגיה חדשה זו משלבת בין צריכת החשמל הנמוכה של eMMC לביצועים הגבוהים של SATA interface, להשגת ביצועים מיטביים. כך ניתן לצפות בווידאו, להפעיל אפליקציות מרובות, לשחק במשחקים בפס רחב ולהוריד קבצים גדולים, ללא השהיות או עיכובים.

UFS 2.0 מקביל בעצם להרכבת Galaxy S6 ב אחסון ה-SSD  של המחשב שלך. הדבר אפשרי משום של-UFS 2.0 יש נתיבים נפרדים לקריאה/כתיבה עבור הממשק הטורי של LVDS‏

(Low-Voltage Differential Signaling), המאפשר קליטה ושידור בו-זמנית של נתונים, לעיבוד נתונים מהיר יותר.

במהלך השנים הקרובות, Samsung תמשיך להכתיב את הקצב של פתרונות זיכרון המשלבים ביצועים גבוהים עם קיבולת גדולה. כדאי לשים עין על ההתפתחויות.