Dr. Oh-Hyun Kwon Chief Executive Officer e Vice Chairman, Samsung Electronics; Head of Device Solutions

Oh-Hyun Kwon è stato ufficialmente nominato Chief Executive Officier di Samsung Electronics Co. dal Consiglio di amministrazione dell’azienda in data 8 giugno 2012.

Oltre a supervisionare l’azienda con l’incarico di CEO, il Vice Chairman continua a guidare la divisione Device Solutions di Samsung Electronics, che comprende i tre settori di produzione dei componenti: Memory, System LSI e LED.

Entrato a far parte nel 1985 nel settore Semiconductor di Samsung Electronics, Kwon ha assunto un ruolo fondamentale nel rapido sviluppo di Samsung Electronics all’interno dell’industria dei semiconduttori. Nel 1992, ha guidato con successo lo sviluppo della prima DRAM da 64 Mb del settore e tre anni dopo è stato promosso Vice President dell’unità Memory Device Technology di Samsung. Nel 1998, Kwon è stato nominato Senior Vice President e Direttore del settore ASIC della divisione System LSI. Nel 2000 è diventato Executive Vice President e Direttore del settore LSI Technology. Nel gennaio 2004, Kwon è stato nominato Presidente e General Manager della divisione System LSI. Durante i dieci anni trascorsi nella divisione System LSI, Kwon ha ottenuto riconoscimenti speciali per aver raggiunto le più alte quote di mercato per i display driver IC, i processori applicativi e i sensori d’immagine CMOS. Nel maggio 2008, Kwon è stato nominato President del settore Semiconductor (ora Device Solutions). Nel dicembre 2011, è stato promosso Vice Chairman di Samsung Electronics.

Kwon ha pubblicato numerosi saggi in occasione di conferenze e simposi, inclusi la conferenza ISSCC, il Simposio sui circuiti VLSI e la conferenza IEDM. Inoltre, ha messo la sua esperienza al servizio di numerose riviste tecniche su argomenti relativi ai semiconduttori.

Kwon ha conseguito la laurea in Ingegneria Elettrica presso la Seoul National University, un master in Ingegneria Elettrica presso la KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) e un dottorato di ricerca in Ingegneria Elettrica presso la Stanford University.


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