Dr. Oh-Hyun Kwon Director ejecutivo y Vicepresidente de Samsung Electronics; Jefe de Soluciones de dispositivos

El 8 de junio de 2012, la junta directiva de la compañía designó oficialmente al Dr. Oh-Hyun Kwon como Director ejecutivo de Samsung Electronics Co.

Además de su función como nuevo Director ejecutivo, el Vicepresidente sigue dirigiendo la División de soluciones de dispositivos de Samsung Electronics, la cual está compuesta por tres unidades de negocios: Memoria, Sistema LSI y LED.

Desde el Dr. Kwon se unió a la unidad de Semiconductores de Samsung Electronics en 1985, ha desempeñado una función fundamental en el rápido avance de Samsung Electronics en la industria de los semiconductores. Ha Dirigido exitosamente el desarrollo de la primera memoria DRAM de 64 Mb de la industria en 1992 y tres años más tarde ascendió a Vicepresidente de la unidad de Tecnología para dispositivos de memoria de Samsung. En 1998, el Dr. Kwon fue nombrado Vicepresidente sénior y Jefe de la unidad de ASIC de la División de sistema LSI. En el 2000, fue nombrado Vicepresidente ejecutivo y Jefe de Tecnología LSI. En enero del 2004, fue designado Presidente y Gerente general de la División de sistema LSI. Durante los 10 años de su gestión en la División de sistema LSI, el Dr. Kwon obtuvo un reconocimiento especial por alcanzar los niveles más altos de participación en el mercado de los circuitos integrados para controladores de pantallas, procesadores para aplicaciones y sensores de imágenes CMOS. En mayo del 2008, fue nombrado Presidente de la unidad de Semiconductores (conocida actualmente como Soluciones de dispositivos). En diciembre del 2011, fue ascendido a Vicepresidente de Samsung Electronics.

El Dr. Kwon ha presentado numerosos ensayos en conferencias y simposios, como por ejemplo, la ISSCC, el simposio de VLSI y la IEDM. También ha contribuido con su experiencia en numerosas publicaciones técnicas sobre temas relacionados con los semiconductores.

El Dr. Kwon posee una licenciatura en ciencias de Ingeniería eléctrica de la Universidad Nacional de Seúl, un magíster en Ingeniería eléctrica del Instituto avanzado de ciencias y tecnología de Corea (KAIST) y un doctorado en Ingeniería eléctrica de la Universidad de Stanford.


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