Device Solutions

Możliwość

Zapewniamy sprawne działanie urządzeń informatycznych, ponieważ projektujemy różne elementy wewnętrzne szerokiej gamy urządzeń elektronicznych tak, by zwiększyć ich osiągi, niezawodność i wydłużyć czas eksploatacji

 

Samsung Electronics buduje wiodącą pozycję w branży pamięci dzięki najwyższej próby technologii i generowaniu potężnych oszczędności. Tworzy to wspaniałe perspektywy. Rozszerzamy naszą ofertę wysokomarżowych i zróżnicowanych produktów, przede wszystkim dla urządzeń mobilnych, a jednocześnie przyspieszamy prace nad konwersją procesów, nie tracąc z oczu celu opracowywania produktów kolejnej generacji. Dzięki rosnącemu zapotrzebowaniu na czujniki AP i CIS nasz pion System LSI wykazuje wysoką stopę wzrostu oraz jest liderem pod względem oszczędności kosztów, co pozwala nam przyspieszyć proces wprowadzania produktów nowej generacji.

Pion Memory

Tworzymy wygodniejszy świat dzięki najnowszym i przyjaznym dla środowiska rozwiązaniom w zakresie pamięci masowych o najlepszych na świecie parametrach pracy.
 

Od 1993 r. jesteśmy liderem na globalnym rynku pamięci półprzewodnikowych, przyczyniając się do ogólnego wzrostu globalnego rynku IT i budując konkurencyjną przewagę w tym zakresie. W 2016 r. przesunęliśmy granice technologii pamięci półprzewodnikowych jeszcze dalej wraz z wprowadzeniem szeregu produktów, które były pierwszymi w swojej klasie: np. nasze pamięci 16 GB LPDDR4 DRAM w technologii 10 nm pozwalają uzyskać pakiet pamięci DRAM o pojemności 8 GB do wysokiej klasy smartfonów i tabletów, natomiast kości 15.36TB SAS SSD bazujący na technologii 48-warstwowej 256 GB V-NAND oferują czołowym przedsiębiorstwom najwyższą w branży pojemność pamięci. Dodatkowo w dalszym ciągu rozwijamy działalność segmentu zaawansowanych pamięci, wprowadzając na rynek wiodące rozwiązania w tym sektorze na bazie DRAM i NAND flash. Spośród tych produktów wyjątkowo wysoką prędkość i przepustowość wykazują mobilne pamięci DRAM 8GB HBM2 DRAM i 8GB LPDDR4/4X, przeznaczone do kolejnej generacji aplikacji graficznych i mobilnych. W sektorze produktów na bazie NAND flash, pamięci SSD dla rynku konsumenckiego, takie jak 2TB 960 PRO (M.2 NVMe SSD) oraz 2TB T3 (przenośna pamięć SSD) pomogły wprowadzić rynek w obszar wyższej gęstości zapisu informacji. Pamięć 512 GB BGA NVMe SSD łączy w jednogramowym pakiecie wszystkie najważniejsze cechy pamięci SSD, zwiększając elastyczność procesu projektowania jednostek obliczeniowych. W 2017 r. proaktywnie reagowaliśmy na szersze potrzeby rynkowe ze strony segmentu urządzeń mobilnych, stacjonarnych, dla przedsiębiorstw i usług w chmurze na rozwiązania AR (Augmented Reality), VR (Virtual Reality) i aplikacje dla motoryzacji. W tym obszarze planujemy wprowadzenie szerszej oferty zaawansowanych pamięci, które oferować będą jeszcze wyższe parametry pracy i większą pojemność. Należy do nich najnowsza pamięć SSD na bazie V-NAND w technologii 64 warstw na potrzeby aplikacji konsumenckich i dla przedsiębiorstw, a także ultra kompaktowe pamięci UFS i pamięci Z-SSD o wysokiej prędkości. Będziemy także kontynuować rozwój technologii 10 nm na potrzeby rozwiązań DRAM i kolejnej generacji V-NAND w celu utrzymania wiodącej pozycji na rynku i stymulowania rozwoju globalnego segmentu pamięci masowych.

Pion System LSI

Lider innowacyjności w urządzeniach elektronicznych dzięki konkurencyjnym dzianiom B&R i przełomowej technologii procesu produkcyjnego.
 

Nasza dywizja System LSI skoncentrowana jest na tworzeniu produktów kolejnej generacji zwiększających naszą przewagę technologiczną w segmencie fabless i wzmacniających naszą pozycję na globalnym rynku. W 2016 r. dywizja System LSI wprowadziła całkowicie mobilną konfigurację układuSystem-on-Chip (SoC) w procesie 14 nm FinFET, w tym także układ Exynos 8 Octa do urządzeń mobilnych wyższej klasy, czy też Exynos 7 Quad – rozwiązanie z zabudowanymi modułami łączności dla urządzeń poziomu podstawowego, a także Exynos 7 Dual, pierwszy w branży układ w technologii SoC do ubieralnych urządzeń elektronicznych (wearables). Firma wprowadziła także na rynek czujnik obrazu Dual-Pixel na platformie mobilnej, który realizuje funkcję autofokusa z wykrywaniem fazy na poziomie aparatu DSLR, dzięki czemu użytkownicy mogą szybko wykonywać wysokiej jakości zdjęcia, nawet w warunkach słabego oświetlenia. W 2017 r. pion System LSI ma stać się elementem rozwoju innowacyjnych produktów, takich jak smartfony nowej generacji i urządzenia VR i AR z układem Exynos 9 na bazie technologii 10 nm FinFET. Podstawowym priorytetem pionu System LSI w kolejnych latach będzie poszerzanie oferty biznesowej poprzez budowę potencjału projektowania w różnych sektorach, tj. modemów 5G, czujników obrazu kolejnej generacji oraz układów zarządzania zasilaniem (PMIC), które uzupełniać będą główne obszary biznesowe objęte obecnie działalnością firmy.

Pion Foundry

Pełna gama rozwiązań w sektorze półprzewodnikowym foundry – od zaawansowanych procesów technologicznych do sprawdzonych środowisk IP i projektowania.

 

W styczniu 2016 r. pion Foundry firmy Samsung potwierdził swoją wiodącą rolę w sektorze technologii, wprowadzając do masowej produkcji moduły SoCs (System-on-Chips) drugiej generacji do zastosowań mobilnych w technologii 14 nm FinFET. W październiku 2016 r. pion Foundry rozpoczął także masową produkcję pierwszego w branży modułu SoC do zastosowań mobilnych w technologii 10 nm FinFET. Korzystając z tak olbrzymich możliwości technologicznych, rozszerzamy współpracę w segmencie produkcji półprzewodników z czołowymi, globalnymi klientami, dostarczając moduły SoC kolejnej generacji do zastosowań mobilnych, które wykorzystywane są w wielu rodzajach zaawansowanych urządzeń mobilnych i produktów IoT. Od powstania pionu Foundry firmy Samsung w 2005 r. oferuje on klientom zoptymalizowane produkty i usługi. W maju 2017 r. pion Foundry został wydzielony z pionu System LSI w celu wzmocnienia jego potencjału biznesowego i wejścia na ścieżkę szybkiego rynkowego wzrostu. Do końca 2017 r. pion Foundry planuje wprowadzić do masowej produkcji układy w procesie 10 nm FinFET drugiej generacji i zwiększyć potencjał produkcji układów w technologii 10 nm, odpowiadając tym samym na rosnące zapotrzebowanie na nie. Dodatkowo pion ten w dalszym ciągu rozwijać będzie przełomowe technologie, w tym węzły projektowe kolejnej generacji, wychodzące poza technologie 8 nm i 18 nm, tj. FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator), dzięki czemu spełniać będzie oczekiwania klientów w zakresie rozwiązań logicznych.