Possibilidade
Ao garantir que as suas soluções de TI funcionam sem problemas, certificamo-nos de que o funcionamento interno de uma série de dispositivos eletrónicos é concebido para fornecer um desempenho, fiabilidade e longevidade maximizados

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A Samsung Electronics está a expandir a sua liderança de mercado na atividade comercial de memórias, demonstrando tecnologia superior e uma redução dramática dos custos. Isso está a gerar perspetivas empolgantes. Estamos a expandir os nossos produtos diferenciados e altamente rentáveis, principalmente para dispositivos móveis, acelerando o processo de conversão, enquanto também nos concentramos no desenvolvimento de produtos de geração futura. Apoiada pelo aumento da procura por sensores AP e CIS, a nossa atividade comercial de Sistema LSI mostrou um forte crescimento e liderança em matéria de custos, permitindo-nos lançar a última geração de produtos mais rapidamente.
Atividade comercial de Sistema LSI
Liderando a inovação em dispositivos eletrónicos com I&D competitivos e tecnologia pioneira em matéria de processamento.
A nossa atividade comercial de Sistema LSI está focada em desenvolver produtos de geração futura para reforçar a nossa competitividade tecnológica no segmento fabless (sem fabrico próprio) e solidificando a nossa posição no mercado global. Em 2016, a atividade comercial de Sistema LSI apresentou uma gama de System-on-Chip (SoC) completamente móvel com tecnologia de processamento FinFET de 14 nanómetros (nm), incluindo o Exynos 8 Octa para dispositivos móveis de gama alta, o Exynos 7 Quad, uma solução com conectividade total integrada para dispositivos de gama baixa, o Exynos 7 Dual, o primeiro SoC do sector para wearables de 14 nm. A empresa também lançou o seu sensor de imagem Dual-Pixel que fornece autofoco de deteção de fases ao nível das câmaras DSLR numa plataforma móvel para fornecer disparos rápidos e imagens de elevada qualidade aos utilizadores de dispositivos, mesmo em ambientes de pouca luminosidade. Em 2017, a nossa atividade comercial de Sistema LSI espera catalisar o desenvolvimento de produtos inovadores, como a última geração de smartphones, dispositivos VR e AR, com o seu Exynos 9 mais recente, com base na tecnologia de processamento FinFET de 10 nm. A prioridade principal para a atividade comercial de Sistema LSI nos próximos anos será progredir o seu portefólio comercial, desenvolvendo capacidades reforçadas de design fundamentais em diversos sectores, o modem 5G, sensores de imagem de geração futura e IC de geração de energia (PMIC), além das suas principais áreas de negócios atuais.
Atividade comercial de fundição
Oferecendo uma gama completa de soluções de fundição, desde a tecnologia avançada de processamento a um ecossistema de IP e design comprovados.

Em janeiro de 2016, a atividade comercial de fundição da Samsung demonstrou com sucesso a sua liderança em tecnologia continuada através da produção em massa de SoCs (System-on-Chips) FinFET móveis de 2.ª geração de 14 nanómetros (nm). A atividade comercial de fundição também começou a produção em massa do primeiro SoC móvel com tecnologia de processamento FinFET de 10 nm em outubro de 2016. Com base em tal proeza tecnológica, estamos a ampliar a nossa cooperação estratégica de fundição com os principais clientes globais, e estamos a fornecer SoC de última geração que alimentam uma grande variedade de dispositivos móveis avançados e produtos IoT. Desde a sua criação em 2005, a atividade comercial de fundição da Samsung tem fornecido produtos e serviços otimizados aos clientes. Em maio de 2017, a Unidade Comercial de Fundição separou-se da Unidade Comercial de Sistema LSI com o objetivo de reforçar a sua experiência comercial e para acelerar o crescimento da sua presença no mercado. A Unidade Comercial de Fundição planeia iniciar a produção em massa do processo FinFET de 10 nm de 2.ª geração até ao final de 2017, e expandirá a sua capacidade de produção de 10 nm para responder à crescente procura. Além disso, continuará o desenvolvimento oportuno de tecnologias de ponta, incluindo nodes de design de geração futura para além do FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) de 8 nm e 18 nm, para melhor satisfazer as necessidades do cliente para soluções lógicas.