반도체


semiconductor
Events
Samsung solid state drivers
brochures
ecoproduct
home > 비즈니스제품 > 반도체 > 삼성 반도체 사업 > 사업 역사

사업 역사

2007
12월세계 최초로 DVB-T(Terrestrial Digital Video Broadcasting)용 65nm 디지털 TV 수신 칩 개발
12월세계에서 가장 빠른 6Gb/sec 처리 속도의 GDDR5 메모리 개발
11월모바일 장치용 원칩 RFID 리더 개발
11월프리미엄 PC 및 서버 스토리지 시장 공략을 위한 고성능 64GByte SATA II SSD 발표
10월세계 최초 30나노급 64기가비트(Gb) 낸드플래시 개발
9월2Gb DDR2 DRAM을 위한 60nm급 공정 도입
6월업계 최초로 노트북 PC용 1.8인치 64GB 솔리드 스테이트 드라이브 대량 생산
5월중국 소주 사업장(SESS) 2단지 준공식
6월미국 텍사스 주 오스틴에 2차 웨이퍼 공장 개설. 이 300mm NAND 플래시 메모리 Fab에서 2008년까지 월간 60,000개의 웨이퍼 생산 예정
3월세계에서 가장 작은 1.4um 설계의 8.4메가픽셀 CMOS 이미지 센서 개발 발표
3월삼성의 애플리케이션 프로세서와 OneDRAM™ 퓨전 메모리가 통합된 PoP(Package on Package) 솔루션 개발 발표
3월1.8인치 64GB 플래시 기반 솔리드 스테이트 드라이브 출시
3월3세대 퓨전 반도체, Flex OneNAND™ 출시
3월대형 모바일 전자 제품 제조업체에 8GB moviNAND™ 메모리 칩의 샘플 선적 개시
3월세계 최초로 60nm급 기술을 사용한 DRAM 대량 생산 개시
2월2006년 1억 개 이상의 OneNand™ 플래시 메모리 선적 발표
1월솔리드 스테이트 드라이브용 50nm 16Gb NAND 플래시 샘플 최초 제작
recently viewed
No Item
Select All
Delete