저전력 반도체

삼성전자는 업계 최초로 고밀도, 저전력 DDR2 메모리 양산 기술을 확보하였다. DDR2 DRAM은 1.55V 제품으로 기존 1.8V 제품에 비해 약 30%의 에너지 저감 효과가 있습니다. 또한 삼성전자는 저전력(1.5V) DDR3 메모리 양산 기술 및 초저전력(1.35V) DDR3 메모리 기술도 개발하였으며 2010년 부터 양산할 계획을 가지고 있습니다. 이 제품들은 현재 서버에 적용되는 고밀도 메모리 제품 중에서 최대의 에너지 효율을 제공합니다. 서버 용량이 기하급수적으로 늘어나고 데이터센터의 전력사용량도 급격하게 증가하게 됨에 따라 서버업체에서는 에너지 저감을 위한 에너지 고효율 부품들을 요구하고 있습니다. 이와 같은 저전력 메모리를 24시간 지속적으로 가동되는 Data Center에 적용 할 경우 전기료 절감은 물론 지구온난화 방지에도 큰 도움이됩니다.