삼성의 반도체 사업은 1974년 한국 반도체㈜ 인수와 함께 시작되었습니다. 초기의 사업은 주로 전자 시계, 아날로그 시계, 텔레비전, 오디오 및 전자 렌지와 같은 소비자용 제품에 들어가는 IC와 및 부품을 개발하여 대량 생산하는 것이었습니다. 1983년 64Kb DRAM의 개발에 성공하면서 시장을 선도하는 반도체 제조업체로 발전하기 시작했으며, 이어서 1984년 한국 기흥에 삼성 최초의 반도체 복합 단지와 가공 시설이 문을 열었습니다. 1991년에는 삼성의 LCD 사업부가 반도체 총괄에 합류했습니다.

삼성은 공격적인 성장 전략을 통해 1990년 초반 DRAM과 SRAM 시장에서, 2003년에는 NAND 플래시 시장에서 선두 자리를 차지한 이후 계속 시장을 선도해오고 있습니다. 삼성은 2001년 시스템 LSI 사업부 확장 및 SoC 연구소의 개설과 함께 로직 및 아날로그 칩 개발의 장도를 시작하는 첫 걸음을 내디뎠습니다. 2004년, 유사한 성격이나 기능을 가진 주요 제품들을 그룹화하여 주요 사업부를 만드는 삼성전자의 대대적인 구조 개혁 끝에 삼성의 하드 디스크 드라이브 사업부가 반도체 총괄에 합류하게 되었습니다. 2004년에는 또한 LCD 사업부가 삼성의 반도체 총괄에서 삼성전자 모기업의 조직 체제 내 독립된 LCD 사업부로 분리되었습니다.

기흥에 위치한 삼성전자의 반도체 총괄은 메모리, 시스템 LSI 및 스토리지의 3개 주요 사업부로 구성되어 있으며, 오늘날 모바일, 데스크톱 및 기타 디지털 제품에서 광범위하게 사용되고 있는 칩 기술과 관련하여 많은 발전을 주도해 왔습니다.

메모리 사업부는 디지털 정보를 저장하는 집적 회로를 설계하고 제조합니다. 1992년 이후 꾸준히 성장해 온 DRAM 시장에서 부동의 1위를 차지하고 있는 삼성전자는 세계 최초로 32Gb NAND 메모리 칩을 개발함으로써 NAND 플래시 메모리 기술 분야에서 가장 앞서가는 기업이 되었습니다. 또한 삼성은 최초로 512Mb DDR2 DRAM의 대량 생산에 80nm 설계 기술을 적용하는 데 성공했습니다. 그 이후 90nm 및 80nm 공정 기술을 사용하는 고용량 DRAM 디바이스의 판매 증대와 60nm 공정 기술을 사용하는 NAND 플래시 메모리의 시장 점유율 강화에 전념했습니다. 또한 그래픽 DRAM, 독점 기술의 OneNAND™(NOR의 빠른 읽기 능력을 NAND의 용량과 빠른 쓰기와 결합한 플래시 메모리) 및 우수한 멀티칩패키지(MCP)로 차별화된 모바일 디바이스와 게임 콘솔용 제품을 선발 출시함으로써 지속적인 판매 및 수익률 증대를 달성해 왔습니다. 또한 삼성전자는 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 개발을 주도해 왔습니다. 하드 디스크 드라이브를 빠르게 교체해가고 있는 플래시 SSD는 개인용 또는 작업 관련 데이터를 안전하게 저장 가능한 신뢰할 수 있는 데이터 스토리지 장치입니다. 삼성전자는 2006년 3월 세계 최초로 32GB PATA SSD를 출시하였고 2007년 11월에는 세계 최초 64GB SATA II SSD 출시, 2008년 1월에는 128GB MLC 기반 SSD를 출시하였습니다. 삼성전자는 SSD 시장 개척을 위해 적극적으로 나서고 있으며 삼성전자 고유의 NAND 플래시 메모리, 펌웨어 및 플래시 관리를 위한 제어 기술을 효과적으로 결합한 결과 앞선 SSD 기술 개발이 가능했습니다.

시스템 LSI 사업부는 사용자 애플리케이션을 처리하는 로직과 아날로그 집적 회로 디바이스를 설계 및 제조하며, 모바일 솔루션, 홈 미디어 솔루션, ASIC 및 파운드리 솔루션의 3개 주요 분야에 집중하고 있습니다. 시스템 LSI 사업부는 2001년부터 연평균 17%의 판매 증가율을 기록하고 있습니다. 시스템 LSI 사업부는 또한 2002년 이후 디스플레이 드라이버 IC(DDI) 시장에서 점유율 1위를 유지하고 있으며 2006년에는 SIM 카드, MP3P 및 내비게이션 AP 분야에서도 시장 점유율 1위를 차지했습니다. 2006년에는 또한 CMOS 이미지 센서(CIS) 분야에서 19%의 시장 점유율을 차지하는 우수한 성과를 거둔 바 있습니다. 시스템 LSI 사업부는 DDI, CIS, 모바일 애플리케이션 프로세서, 칩 카드 IC, 미디어 플레이어 IC 등 5개 전략 제품 분야에서 시장 선두의 자리를 유지하는 궁극적인 목표 하에 계속해서 우수한 제품을 개발 및 출시하기 위해 최선을 다할 것입니다.

스토리지 사업부는 개인용 컴퓨터 산업과 모바일 환경을 대상으로 하는 하드 드라이브를 설계 및 제조합니다. 이 사업부는 1988년에 설립되어 2004년 삼성의 반도체 총괄에 합류했습니다. 스토리지 사업부에서 제공하는 하드 드라이브 제품은 노트북 PC, 데스크톱 PC 및 소비자 대상의 전자 제품용 2.5인치 및 3.5인치 드라이브에서 개인용 미디어 플레이어, 휴대폰, PDA, 내비게이션, MP3 및 기타 모바일 제품용의 새로운 1.8인치 드라이브까지 매우 다양합니다.

반도체 총괄은 한국의 기흥과 화성, 미국의 텍사스 주 오스틴에 있는 반도체 조립 시설, 한국 온양과 중국의 쑤저우에 있는 10개의 IC 조립 공장, 기흥에 있는 5개의 연구 개발 시설 외에도 전 세계에 15개의 프론트 엔드 생산 시설을 보유하고 있습니다. 삼성 반도체 전략의 가장 큰 장점은 급변하는 시장 요구에 맞게 생산 시설 간에 생산 과정을 이동할 수 있는 유연성을 확보했다는 점입니다. 따라서 삼성은 시장의 유동성에 영향을 받지 않고 운영 수익을 강화할 수 있습니다.

삼성은 또한 한국의 구미와 브라질의 마나우스에 최첨단 Class-10 하드 드라이브 시설과 로지스틱 센터를 운영하고 있습니다. 구미 공장에서는 미래의 기술을 신속하게 적용할 수 있는 자동화된 공정을 통해 최고의 품질로 제품을 생산하고 있습니다.

연구 개발 및 생산 시설에 대한 투자는 현재 최우선 순위로 이루어지고 있으며 앞으로도 이러한 정책은 변함없이 계속될 것입니다. 한국의 전 직원 35,000여 명 가운데 31% 이상이 연구 개발을 전담하고 있습니다. 반도체 총괄은 또한 샌호세(미국), 쑤저우(중국), 요코하마(일본), 방갈로르(인도)에서 연구소를 운영하고 있으며 14개국 출신의 엔지니어 130명 이상이 근무하고 있습니다. 2006년, 삼성전자는 연 매출의 9%가 넘는 총 600백만 달러를 연구 개발에 투자했으며, 반도체 총괄 단독으로는 삼성전자 전체 연구 개발비의 41.6%에 해당하는 약 250만 달러를 연구 개발에 투자했습니다. 그 결과 반도체 총괄은 같은 해 2,307건의 특허를 출원했으며, 이는 전 세계 반도체 제조업체 가운데 5위 안에 드는 수치입니다.

삼성 반도체 총괄사장 황창규 박사는 새로운 "퓨전 시대"가 반도체 산업과 수많은 반도체 제품에 근본적인 변화를 가져올 것이라고 말합니다. 반도체 산업의 퓨전 기술에서는 여러 산업 분야에서 활용 가능한 다양한 측면의 솔루션을 제공할 수 있도록 하나의 칩에 보다 소형화 되고 집적도가 높은 솔루션을 지속적으로 개발하는 것이 중요합니다. 삼성은 OneNAND™, OneDRAM™ 퓨전 메모리 솔루션의 개발로 퓨전 기술에서 업계를 선도하고 있습니다. 황 박사는 미래의 반도체 기술이 보건 의료, 로보틱스, 항공 및 태양 에너지 이용 분야를 비롯하여 환경 친화적 기술의 연구 개발과 관련된 다양한 분야에서 지금보다 훨씬 광범위하게 사용될 것이라고 예측합니다.

80nm 공정 DRAM 기술 : 삼성전자는 2004년 최초로 90nm 설계 규칙을 DRAM 대량 생산에 적용했으며 2006년에는 다시 80nm 공정을 적용하여 DRAM 관련 나노 기술 분야에서 업계를 계속 선도하고 있습니다. 80nm 설계 규칙의 활용으로 추가 설비 투자를 최소화하면서 90nm 공정 대비 생산성이 50% 이상 증대되는 결과를 가져왔습니다. 이러한 생산 효과로 삼성은 차세대 DRAM(DDR3) 생산 분야에서도 계속 우위를 차지할 수 있을 것으로 기대되고 있습니다.

OneDRAM™ 퓨전 메모리 솔루션 : 2004년 삼성은 최초로 NOR 및 NAND 플래시 메모리의 퓨전이라고 하는 독특한 기술로 널리 알려진 OneNAND™ 출시했으며, 현재는 전원 소비량은 줄이면서 프로세서 간 데이터 처리 속도를 높이는 새로운 개념의 모바일 DRAM/SRAM인 OneDRAM™ 있습니다.

40nm 공정 32Gb NAND 플래시 메모리 : 2006년 하반기 동안 삼성은 독점으로 전하 트랩 플래시(CTF) 기술을 개발하고 세계 최초로 40nm 공정 32Gb NAND 플래시 메모리 가공을 상품화하는 데 성공했습니다. 1971년에는 지금까지 계속해서 사용되고 있는 플로팅 게이트의 도입과 함께 비휘발성의 메모리 소자가 최초로 개발되었습니다. 삼성의 혁신적인 CTF 아키텍처를 통해 플로팅 게이트의 단점을 보완하고 50nm 공정 기술의 장벽을 극복할 수 있었으며 그 결과로 30nm 이상의 소형화된 규칙 설계도 가능해졌습니다. CTF 연구의 성과는 이미 CTF 관련 기술과 개량 기술 분야에서 155개나 되는 특허를 수확하는 결실로 이어졌습니다.

"지능형" 디스플레이 드라이버 IC(DDI) : 전대미문의 삼성 "지능형" DDI는 주변의 빛 세기를 모니터링하여 모바일 디바이스에서 디스플레이 화면의 밝기를 자동으로 조정합니다. 실내에서 사용할 경우 디스플레이 전원 소비량이 30% 이상 절감됩니다.

1GB S-SIM 카드 : NAND 플래시 메모리를 스마트 카드 칩 패키지에 통합한 차세대 카드 솔루션입니다. SIM 카드 기능 업그레이드와 함께 멀티미디어 데이터 저장 기능이 추가되었습니다.

솔리드 스테이트 드라이브(SSD) : 기존의 하드 디스크 대신 플래시 메모리를 사용함으로써 소형 모바일과 디지털 소비자용 제품은 물론 NAND 플래시 메모리 제품에도 적용되는 새로운 개념의 데이터 스토리지 디바이스입니다. 이 드라이브를 사용하면 시스템의 안정성과 성능 또한 향상됩니다.2008 년 1 월 삼성전자는 최신 기술인 MLC(multi-level cell) 플래시 기반 128GB SSD 개발을 발표했습니다 . 2008 년 안에 노트북 , 데스크탑 PC 등 다양한 모바일 애플리케이션용으로 1.8 인치와 2.5 인치 두 가지 버전의 128GB SSD 를 양산할 예정입니다 .

하이브리드 하드 드라이브(HHD) : 2006년 HHD의 상업용 시제품을 최초로 선보였으며, 2007년에는 128MB 또는 256MB의 캐시용 온보드 플래시 메모리가 장착된 80GB, 120GB 및 160GB의 노트북 PC용 삼성 2.5인치 하이브리드 하드 드라이브가 출시될 예정입니다.