R01 R0101 sec 05300100 MZ-MTE250B/KR
  • MZ-MTE250 1 그린 뒷면MZ-MTE250Phttp://images.samsung.com/is/image/samsung/sec_MZ-MTE250B-KR_013_Back_green?$L1-Gallery$sec_MZ-MTE250B-KR_013_Back_green30002000370370#03642333452106
  • MZ-MTE250 2 그린 앞면MZ-MTE250Phttp://images.samsung.com/is/image/samsung/sec_MZ-MTE250B-KR_012_Front_green?$L1-Gallery$sec_MZ-MTE250B-KR_012_Front_green30002000370370#03642333452101
  • MZ-MTE250 3 그린 앞면 좌측 15도MZ-MTE250Phttp://images.samsung.com/is/image/samsung/sec_MZ-MTE250B-KR_014_R-Perspective_green?$L1-Gallery$sec_MZ-MTE250B-KR_014_R-Perspective_green30002000370370#03642333452117
  • MZ-MTE250 4 그린 뒷면 좌측 15도MZ-MTE250Phttp://images.samsung.com/is/image/samsung/sec_MZ-MTE250B-KR_015_Back-R-Perspective_green?$L1-Gallery$sec_MZ-MTE250B-KR_015_Back-R-Perspective_green30002000370370#03642333452125
  • MZ-MTE250 5 그린 앞면 좌측 45도MZ-MTE250Phttp://images.samsung.com/is/image/samsung/sec_MZ-MTE250B-KR_016_R-Dynamic_green?$L1-Gallery$sec_MZ-MTE250B-KR_016_R-Dynamic_green30002000370370#03642333452132
  • MZ-MTE250 6 그린 앞면 우측 45도MZ-MTE250Phttp://images.samsung.com/is/image/samsung/sec_MZ-MTE250B-KR_017_L-Dynamic_green?$L1-Gallery$sec_MZ-MTE250B-KR_017_L-Dynamic_green30002000370370#03642333452142
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MZ-MTE250 그린 뒷면

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제품 특징

전체보기

일반사양

  • Samsung SSD 840 EVO mSATA
  • 용량: 250 GB (1GB=1,000,000,000 byte IDEMA 규칙에 의거함)
  • 크기: (29.85±0.15) x (50.80±0.15) x Max 3.85 (mm)
  • 무게: 최대 10 g
  • 인터페이스: SATA 6Gb/s (SATA 3Gb/s & SATA 1.5Gb/s 호환 가능)
  • 스토리지 메모리: Samsung 1x nm Toggle DDR 2.0 NAND Flash Memory
  • 컨트롤러: Samsung 3-core MEX Controller
  • 캐시 메모리: Samsung 512 MB Low Power DDR2 SDRAM
  • Samsung Magician 소프트웨어, Data Migration 소프트웨어

성능

  • Sequential Read: Up to 540 MB/sec
  • Sequential Write: Up to 520 MB/sec with TurboWrite
  • Random Read: Up to 97,000 IOPS
  • Random Write: Up to 71,000 IOPS

특장점

  • TRIM 지원
  • S.M.A.R.T 지원
  • GC (Garbage Collection): 자동
  • AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0, IEEE1667 (SED)
  • World Wide Name 미지원

환경특성

  • *Average : 0.08 Watts (MobileMark2007(Window 7) 측정 (Typical)) *Maximum : 2.93 Watts (IOmeter를 이용, 128KB Sequential Write(QD 32)동작 시의 평균 전력) *유효전력 및 최대전력은 평가환경 및 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
  • 0.04 W(Typical, DIPM on), 2mW (Device sleep) *유휴 전력은 평가환경 및 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
일반사양
모델명
용량
크기
무게
인터페이스
스토리지 메모리
컨트롤러
캐시 메모리
소프트웨어
특장점
TRIM
S.M.A.R.T
GC (Garbage Collection)
Disk Encryption
WWN (World Wide Name)
성능
Sequential Read
Sequential Write
Random Read
Random Write
환경특성
유효전력
유휴전력