본문 바로가기

웹 접근성 도움말 바로가기

Galaxy S5 Popup Layer
레이어 닫기
My Life powered by Samsung Galaxy S5
자세히 보기
Open Galaxy S5 Key Visual

제품 뉴스


삼성전자, 외장 메모리 카드보다 10배 빠른 차세대 eMMC 출시

2012-11-15

◇ 1x나노 64Gb 낸드 기반 삼성전자 독자규격 차세대 eMMC 출시
◇ 차세대 고성능 스마트폰 및 태블릿에 최적 솔루션 제공
◇ 향후 10나노급 낸드 및 솔루션 강화로 프리미엄 시장 주도

1x나노 eMMC 64GB-1 제품 사진 1
1x나노 eMMC 64GB-1 제품 사진 1 1x나노 eMMC 64GB-1 제품 사진 2

삼성전자가 1x나노(1x nm, 10나노급) 고속낸드 기반으로 업계 최고 속도를 구현한 64GB(기가바이트) 내장메모리(eMMC, embedded Multi Media Card)를 출시한다.

 

eMMC는 최근 시장이 급격히 확대되고 있는 스마트폰, 태블릿 PC 등의 모바일 제품에 사용되는 저장용 메모리 반도체다. 소비자들은 고성능·고용량 eMMC가 탑재된 모바일기기 사용으로 Full HD 영상과 같은 고사양의 컨텐츠를 보다 빠르게 즐길 수 있다.

 

삼성전자는 지난 달 본격 양산하기 시작한 1x나노급 64Gb 고속낸드를 기반으로, 이 달부터 최신 표준인 eMMC 4.5 인터페이스의 '64GB eMMC Pro Class 1500' 대비 성능을 30% 향상시킨 삼성전자 독자규격의 '64GB eMMC Pro Class 2000' 제품을

선보인다.

 

이번에 출시하는 64GB eMMC 제품에 삼성전자 독자규격의 eMMC 버전을 적용하면서 내년 JEDEC(Joint Election Engineering Council)에 등록될 차세대고성능 스토리지 기술의 표준을 주도해 나갈 수 있게 됐다.

※ JEDEC : 국제 반도체표준화기구, 전자기기에 들어가는 반도체의 규격/표준 결정

 

삼성전자는 지난 7월 2y나노 고속낸드 기반으로 eMMC 4.5를 적용한 '64GB eMMC Pro Class 1500'을 양산한 지 불과 4개월 만에 1x나노 64Gb 고속낸드 기반의 차세대 '64GB eMMC Pro Class 2000' 제품군을 출시한다. 또한 내년에는 128GB 대용량 제품 출시를 통해 업계 최대 eMMC 라인업을 구축해 나갈 예정이다.

 

이번 '64GB eMMC Pro Class 2000' 제품은 임의쓰기 속도를 2,000 IOPS(Input and outputs per second)까지 향상 시켰고, 임의읽기 속도를 5,000 IOPS까지 구현했다. 특히 연속읽기 속도, 쓰기 속도가 각각 260MB/s(Megabyte per second), 50MB/s로 약 1.4GB 분량의 영화 한 편을 읽고 쓰는데 각 5.4초, 28초가 걸리는, 수준이다. 이는 고속 외장 메모리 카드인 Class 10 제품의 읽기 속도 24MB/s, 쓰기 속도 12MB/s보다 10배 이상 빨라 스마트폰에서 더욱 원활한 멀티태스킹

성능 구현이 가능하게 했다.

※ IOPS(Input and outputs per second) : 메모리의 랜덤쓰기속도를 측정하는 방식으로 메모리와 전자기기 사이에 초당 데이터 교환 횟수를 나타냄

 

최근 주요 스마트폰, 태블릿 PC 업체들은 대화면 고해상도 디스플레이를 탑재하면서 빠른 성능 구현은 물론 배터리 수명을 최대화 하기 위해 배터리 크기를 늘릴 수 있도록 쿼드코어 AP 및 2GB LPDDR2 모바일 D램 등 고성능·저전력 특성에 크기까지 줄인 반도체 솔루션을 요구하고 있다. 

 

"이번에 출시하는 64GB eMMC 제품에 삼성전자 독자규격의 eMMC 버전을 적용하면서 내년 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)에 등록될 차세대 고성능 스토리지 기술의 표준을 주도해 나갈 수 있게 됐다."

  

삼성전자 메모리사업부 김명호 상무는 "삼성전자 독자규격의 차세대 내장 스토리지 선행 출시로 모바일 메모리의 솔루션 경쟁력을 더욱 강화했다"며 "향후 어플리케이션 프로세서 업체와 기술 협력을 통해 더욱 다양한 라인업을 확보하여 모바일기기 업체들이 차세대 시스템을 적기에 출시할 수 있게 할 것"이라고 밝혔다.

 

삼성전자가 작년 5월 업계 최초로 초고속 낸드플래시 규격인 Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0을 적용한 2y나노 64Gb MLC(Multi Level Cell) 낸드플래시 제품을 양산한 데 이어 지난 달부터 기존 20나노급 낸드와 공정호환성을 통해 생산성을

30% 향상한 1x나노 64Gb 낸드를 본격 양산했다.

 

삼성전자는 올해부터 10나노급 64Gb 낸드플래시의 생산량을 빠르게 늘려 나가, 2014년에는 10나노급이 전체 낸드플래시 시장의 50% 이상 비중을 차지할 것으로 전망했다.