/

MZ-75E1T0

MZ-75E1T0

MZ-75E1T0
  • Tehnologija Samsung V-NAND
  • Do 540 MB/s pri sekvenčnem branju in 520 MB/s pri zapisovanju
  • 5-letna omejena garancija

Odgovorno recikliranje baterij

  • Evropska Direktiva o baterijah in akumulatorjih je namenjena zmanjšanju vpliva baterij na okolje v čim večji meri in spodbujanju ponovne uporabe materialov, ki jih te vsebujejo. V Združenem kraljestvu so bili predpisi o recikliranju baterij in akumulatorjev (polnilnih baterij) objavljeni leta 2009. Predpisi o odpadnih baterijah so namenjeni bistvenem povečanju zbiranju in recikliranju rabljenih prenosnih baterij s 3 % leta 2007 na 25 % leta 2012 ter na vsaj 45 % leta 2016.

  • Znak baterije na izdelku oziroma embalaži pomeni, da izdelka ni dovoljeno zavreči med mešane gospodinjske odpadke. Dolžnost potrošnika je, da svoje odpadne baterije zavrže v na namenski zbirni točki, da bi jih lahko recikliramo. Ločeno zbiranje in recikliranje baterij v času, ko jih zavržete, pomaga ohraniti naravne vire in poskrbeti, da se reciklirajo na način, ki varuje zdravje ljudi in okolje. Izčrpen seznam središč za recikliranje baterij je na voljo na: www.recycle-more.co.uk

  • Vsi izdelki Samsung, za katere velja Direktiva o baterijah, so združljivi z zahtevami za baterije in akumulatorje Združenega kraljestva. Skladno z nacionalno zakonodajo je družba Samsung Electronics Austria GmbH članica programa odobrenih proizvajalcev baterij. To je program zbiranja, obdelave in odlaganja baterij v imenu družbe Samsung.

Zapri pojavno plast

Lastnosti

Kaj je 3D-V-NAND in kako se razlikuje od obstoječe tehnologije?
Edinstvena in inovativna 3D V-NAND arhitektura bliskovnega pomnilnika podjetja Samsung pomeni začetek nove ere pri premagovanju omejitev glede gostote, zmogljivosti in vzdržljivosti konvencionalne planarne NAND arhitekture dandanes. Da bi se dosegla večja gostota spomina ob nespremenjeni površini, se namesto zmanjševanja pri 3D V-NAND spomin sestavlja iz 32 celičnih plasti, ki so razporejene navpično druga nad drugo.
Kaj je 3D-V-NAND in kako se razlikuje od obstoječe tehnologije?
Optimizirajte vsakodnevno delo z računalnikom s pomočjo tehnologije TurboWrite, z nedosegljivo hitrostjo branja / zapisovanja
Začnite za vsakodnevno računalniško izkušnjo uporabljati tehnologijo TurboWrite družbe Samsung, s katero vam je mogoče doseči maksimalno storilnost pri branju / zapisovanju. Ne samo da se produktivnost vašega računalnika izboljša za 10% z največ 840 EVO *, tudi hitrost naključnega zapisovanja na 120 / 250 GB modelih ** je za faktor 1,9x višja. 850 EVO se lahko pohvali z vrhunsko hitrostjo tako za zaporedno branje (540 MB/s) kot za zaporedno zapisovanje (520 MB/s). Poleg tega se zboljša storilnost v naključnem načinu pri vseh QD za scenarij uporabniških osebnih računalnikov.

* PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)
** naključno zapisovanje (QD32,120 GB): 36.000 (840 EVO) > 88.000 (850 EVO)
Optimizirajte vsakodnevno delo z računalnikom s pomočjo tehnologije TurboWrite, z nedosegljivo hitrostjo branja/zapisovanja
Prehitite po levi z izboljšanim načinom RAPID
Magician, programska oprema podjetja Samsung zagotavlja hitri način za 2x višjo hitrost obdelave podatkov* na sistemski ravni s tem, da nerabljeni računalniški pomnilnik (DRAM) uporablja kot predpomnilnik. Najnovejši Magician je povečal najvišjo porabo pomnilnika v hitrem (RAPID) načinu od 1 GB v prejšnji različici 840 EVO na do 4 GB pri 850 EVO pri sistemih z 16 GB pomnilnika DRAM. Tudi zmogljivost za čakalne vrste z naključno globino se poveča za faktor 2x.

* PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (hitri - RAPID - način)
Prehitite po levi z izboljšanim načinom RAPID
Zajamčena vzdržljivost in zanesljivost, ki ju podpira tehnologija 3D-V-NAND
850 EVO zagotavlja zajamčeno vzdržljivost in zanesljivost s podvojitvijo TBW* v primerjavi s prejšnjo generacijo 840 EVO**, podpira pa ga za industrijo prvovrstna 5-letna garancija. 850 EVO s počasnejšim poslabševanjem storilnosti omogoča trajnostno izboljšati uspešnost do 30% nad 840 EVO, dokaz za to, da je eden od najbolj zanesljivih naprav za shranjevanje***.

* TBW: Skupno napisanih bajtov (Total Bytes Written)
* TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB)
*** Trajna zmogljivost (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO)> 6.500 IOPS (850 EVO), Zmogljivost izmerjena po 12 urah testiranja z "Naključnim zapisovanjem"
Zajamčena vzdržljivost in zanesljivost, ki ju podpira tehnologija 3D-V-NAND
Z izboljšano energetsko učinkovitostjo zaradi 3D V-NAND lahko delate dlje
850 EVO zagotavlja bistveno daljšo življenjsko dobo baterije na prenosnem računalniku; na napravah z upravljalnikom, ki je optimiziran za 3D-V-NAND, je sedaj mogoč spalni način z visoko učinkovitostjo 2mW. 850 EVO je zdaj 25% bolj energijsko učinkovit kot 840 EVO pri operacijah zapisovanja*, saj zaradi 3D arhitekture V-NAND porabi samo polovico energije, kot jo potrebuje planarni 2D NAND.

* Moč (250 GB): 3,2 (840 EVO) > 2,4 (850 EVO)
Z izboljšano energetsko učinkovitostjo zaradi 3D V-NAND lahko delate dlje

Zavarujte dragocene podatke z naprednim šifriranjem AES 256

850 EVO prihaja podprt z najnovejšim strojno implementiranim strojem za šifriranje celotnega diska. AES 256-bitno šifriranje kot del varnostne tehnologije varuje podatke brez kakršnega koli poslabšanja delovanja in je v skladu s TCG Opal 2.0. Tudi je združljivo z Microsoft e-pogonom IEEE1667, da ste lahko ves čas mirni, kar se zaščite vaših podatkov tiče.
Zavarujte dragocene podatke z naprednim šifriranjem AES 256

Varovanje pred pregrevanjem z visoko odzivno Dinamično toplotno zaščito

Dinamična toplotna zaščita na 850 EVO stalno spremlja in vzdržuje idealne temperature za pogon, tako da naprava lahko deluje pod pogoji, ki so za integriteto podatkov na njej optimalni. Ko se temperature dvignejo nad optimalni pragom, toplotna zaščita samodejno poskrbi za znižanje temperature, da tako zaščiti vaše podatke, hkrati pa ohranja odzivnost; vaš računalnik je tako vedno varen pred pregrevanjem.
Varovanje pred pregrevanjem z visoko odzivno Dinamično toplotno zaščito

Povzpnite se enostavno in brez težav na raven 850 EVO

V treh enostavnih korakih vam Samsung One-Stop Install Navigator omogoča, da zlahka prenesete vse podatke in aplikacije s trenutne enote za hranjenje podatkov na 850 EVO. Programska oprema Samsung Magician vam tudi omogoča, da svoj sistem optimizirate in na najbolj primeren način prilagodite na vaš SSD.
Povzpnite se enostavno in brez težav na raven 850 EVO

Priskrbite si integrirano rešitev iz ene roke, sestavljeno iz vrhunskih komponent

Samsung je edina blagovna znamka, ki vse sestavine SSD razvija in izdeluje v lastni hiši, kar podjetju omogoča popolno optimizirano integracijo. Rezultat - izboljšana zmogljivost, manjša poraba energije z do 1 GB LPDDR2 DRAM predpomnilnika in izboljšano energetsko učinkovitostjo s krmilnikom MEX / MgX.
Priskrbite si integrirano rešitev iz ene roke, sestavljeno iz vrhunskih komponent

TEHNIČNE SPECIFIKACIJE

Dimenzije MZ-75E1T0B/EU

Splošne lastnosti

  • Aplikacija

    Odjemalniški računalniki

  • Zmogljivost

    1.000 GB (1 GB = 1 milijarda bajtov skladno z organizacijo IDEMA) * Dejanska uporabna zmogljivost je lahko manjša (zaradi oblike zapisa, razdelkov, operacijskega sistema, programov in drugih dejavnikov)

  • Oblika

    Velikost 2,5 palca

  • Vmesnik

    Vmesnik SATA 6 Gb/s, združljiv z vmesnikoma SATA 3 Gb/s in SATA 1,5 Gb/s

  • Mere (Š x V x G)

    Mere 100 x 69,85 x 6,8 (mm)

  • Teža

    Teža največ 53 g

  • Pomnilnik za shrambo

    32-slojni Samsung 3D V-NAND

  • Krmilnik

    Krmilnik Samsung MEX

  • Predpomnilnik

    Samsung 1 GB Low Power DDR2 SDRAM

Posebne lastnosti

  • Podpora za TRIM

    Podpira TRIM

  • Podpora za S.M.A.R.T

    Podpira S.M.A.R.T

  • GC (čiščenje pomnilnika)

    Algoritem za samodejno čiščenje pomnilnika

  • Podpora za šifriranje

    256-bitno šifriranje AES (razred 0), TCG / Opal, IEEE1667 (šifriran pogon)

  • Podpora za WWN

    Podpira World Wide Name

  • Podpora za način spanja naprave

    Da

PRIKAŽI VEČ SPECIFIKACIJProširi

Zmogljivost

  • Sekvenčno branje

    Sekvenčno branje do 540 MB/s * Dejanska hitrost se lahko razlikuje glede na strojno opremo in nastavitve sistema

  • Sekvenčno pisanje

    Sekvenčno pisanje do 520 MB/s * Dejanska hitrost se lahko razlikuje glede na strojno opremo in nastavitve sistema

  • Naključno branje (4 KB, QD32)

    Naključno branje do 98.000 IOPS * Dejanska hitrost se lahko razlikuje glede na strojno opremo in nastavitve sistema

  • Naključno pisanje (4 KB, QD32)

    Naključno pisanje do 90.000 IOPS * Dejanska hitrost se lahko razlikuje glede na strojno opremo in nastavitve sistema

  • Naključno branje (4 KB, QD1)

    Naključno branje do 10.000 IOPS * Dejanska hitrost se lahko razlikuje glede na strojno opremo in nastavitve sistema

  • Naključno pisanje (4 KB, QD1)

    Naključno pisanje do 40.000 IOPS * Dejanska hitrost se lahko razlikuje glede na strojno opremo in nastavitve sistema

Okolje

  • Povprečna poraba energije (na ravni sistema)

    *Povprečje: 4 W *Največ: 4,4 W (rafalni način) * Dejanska poraba energije se lahko razlikuje glede na strojno opremo in nastavitve sistema

  • Poraba energije (nedejavnost)

    50 mW * Dejanska poraba energije se lahko razlikuje glede na strojno opremo in nastavitve sistema

  • Dovoljena napetost

    Dovoljena napetost 5 V ± 5%

  • Zanesljivost (MTBF)

    Zanesljivost 2 milijona ur (MTBF)

  • Delovna temperatura

    Delovna temperatura 0 - 70 °C

  • Tresljaji

    1.500 G in 0,5 ms (polsinusno)

Dodatna oprema

  • Vgradni komplet

    Ni na voljo

Programska oprema

  • Upravljalna programska oprema

    Programska oprema Magician za upravljanje pogonov SSD

Garancija

  • Garancija

    5-letna omejena garancija ali omejena garancija 150 TBW

PodporaNajnovejše posodobitve

Podobni izdelki
  • NEWEST
  • MOST HELPFUL
  • HIGHEST RATING
  • LOWEST RATING