ประวัติบริษัท


ค้นหาข่าว

home > about samsung > company profile > business area > semiconductor business

ธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์

ธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์ของ Samsung นั้นพร้อมรองรับโซลูชั่นแบบพกพาทุกรูปแบบและเพื่อเป็นผู้นำตลาดหน่วยความจำของโลกทั้งในฐานะผลิตภัณฑ์และการพัฒนาเทคโนโลยี

แผนกหน่วยความจำของเรานั้นอยู่ในตำแหน่งผู้เล่นระดับโลกที่ไม่มีคู่ต่อกร เมื่อสิ้นปี 2006 เรายังคงเป็นผู้นำในฐานะผู้ผลิตชิปหน่วยความจำของโลกเป็นปีที่ 14 ติดต่อกัน เราอยู่ในอันดับหนึ่งสำหรับยอดขายของ DRAM เป็นเวลา 15 ปี SRAM เป็นเวลา 12 ปีและชิปแฟลชเมมโมรี่เป็นเวลา 4 ปี เรายังเป็นผู้นำในการแข่งขันด้านการจำหน่ายนาโนเทคโนโลยีและการพัฒนาอุปกรณ์หน่วยความจำใหม่ๆเช่นเดียวกับแพคเกจมัลติชิปและฟิวชั่นเมมโมรี่

ศักยภาพของแผนกระบบ LSI ของเรานั้นมุ่งเน้นไปที่ห้าสาขาหลัก และเราเป็นผู้นำของโลกในแต่ละสาขา ไอซีขับการแสดงผล (DDI), ชิปสมาร์ทการ์ดสำหรับ SIM การ์ด, เนวิเกชั่น แอพพลิเคชั่น โปรเซสเซอร์, CMOS อิมเมจ เซนเซอร์ และซิสเต็มออนอะชิป (S0Cs) สำหรับเครื่องเล่นมีเดีย

แผนกอุปกรณ์เก็บข้อมูลของเราทำการผลิตฮาร์ดดิสก์ไดร์ฟที่ให้เนื้อที่ความจุข้อมูลสูงกับผลิตภัณฑ์โมบายล์และเครื่องใช้ดิจิตอลต่างๆ ความเป็นผู้นำของเราสำหรับเรื่องนี้นั้นไม่มคำถามใดๆ เราเปิดตัวฮาร์ดไดร์ฟ 1.8” และ ฮาร์ดไดร์ฟไฮบริด 2.5”ตัวแรกของโลกในปี 2006 และในครึ่งแรกของปี 2007 เราออกฮาร์ดไดร์ฟ 2.5” ด้วยความจุสูงถึง 250GBและนั่นแสดงถึงความเป็นผู้นำในอุตสาหกรรมน

ผลิตภัณฑ์หลัก

1Gb DDR2 SDRAM พร้อมเซอร์กิต 50nm
icon zoom ชมภาพขยาย

1Gb DDR2 SDRAM พร้อมเซอร์กิต 50nm

  • DRAM ชิ้นแรกของโลกที่ผลิตด้วยกระบวนการ 50nm
  • NAND แฟลชเมมโมรี่ 32Gb พร้อมเซอร์กิต 40nm
  • ได้รับรางวัลสิทธิบัตร 155 ชิ้นในด้านเทคโนโลยีต้นฉบับหรือเทคโนโลยีดัดแปลง ทำการวางจำหน่ายสถาปัตยกรรมชาร์จแทร็ปแฟลช (CTF) ชิ้นแรก
  • ทำลายอุปสรรคของกระบวนการ 50nm เปิดประตูสู่การวางจำหน่ายหลักการออกแบบ 40nm และเล็กกว่า
 
512Mb OneDRAMTM
icon zoom ชมภาพขยาย

512Mb OneDRAMTM

  • ฟิวชั่นเมมโมรี่ที่รวมเอาโมบายล์ DRAM และ SRAM มารวมไว้บนชิปเดียวกัน
  • เพิ่มประสิทธิภาพความเร็วการประมวลผลข้อมูลระหว่าง CPU อย่างสูงสุด
 
4Gb Flex-OneNANDTM
icon zoom ชมภาพขยาย

4Gb Flex-OneNANDTM

  • การรวมกันของสองสิ่งที่ดีที่สุด ระหว่างความเร็วที่โดดเด่นของซิงเกิ้ลเลเวลเซลล์ (SLC) NAND และความจุที่สูงของมัลติเลเวลเซลล์ (MLC)
  • ข้อมูลทุกประเภทสามารถเก็บไว้บนชิปเดียวกันได้ ทำให้ลดขนาดของฟอร์มแฟกเตอร์ของโทรศัพท์มือถือได้อย่างมาก
 
512Mb PRAM
icon zoom ชมภาพขยาย

512Mb PRAM

  • ชิปที่ทำมาจากวัสดุชนิดใหม่ที่มีความจุมากที่สุดในโลก
  • ถ่ายโอนข้อมูลได้เร็วกว่าที่ NOR แฟลช เมมโมรี่ถึง 30 เท่าและอยู่ได้นานกว่า 10 เท่า ทำให้เพิ่มประสิทธิภาพของโทรศัพท์มือถือและผลิตภัณฑ์ขนาดเล็กอื่นๆ
 
"Intelligent" DDI
icon zoom ชมภาพขยาย

"Intelligent" DDI

  • ไอซีขับการแสดงผลที่เป็นเอกลักษณ์ ที่สามารถวัดความสว่างของสภาพแสงแวดล้อมและปรับภาพบนจอให้มีคุณภาพสูงสุด
  • ลดการสิ้นเปลืองพลังงานในการแสดงผลภายในอาคารลงอย่างน้อย 30%
 
S-SIM การ์ด 1GB
icon zoom ชมภาพขยาย

S-SIM การ์ด 1GB

  • โซลูชั่นของการ์ดรุ่นใหม่ที่ติดตั้ง NAND แฟลช เมมโมรี่ ไว้ในชิปสมาร์ทการ์ด
  • ฟังก์ชั่นรักษาความปลอดภัยและเก็บข้อมูลมัลติมีเดีย
 
"ดร์ฟ โซลิด สเตท (SSD) 1.8" 64GB
icon zoom ชมภาพขยาย

ไดร์ฟ โซลิด สเตท (SSD) 1.8" 64GB

  • ใช้ซิงเกิ้ล เลเวล เซลล์ (SLC) 8Gb NAND แฟลช เมมโมรี่ด้วยเซอร์กิต 50nm แทนที่แผ่นดิสก์
  • คอนเซปต์ใหม่ที่ขยายการใช้งาน NAND แฟลช เมมโมรี่ให้มากกว่าผลิตภัณฑ์โมบายล์ขนาดเล็กและอิเลคทรอนิกส์ดิจิตอลเพื่อผู้บริโภค เพื่อครอบคลุมถึงการยกระดับประสิทธิภาพและความเสถียรภาพของระบบพีซี
กลับสู่ด้านบน
ส่วนแบ่งการตลาด (2004.12)
ผลิตภัณฑ์ ส่วนแบ่งการตลาด อันดับ
DRAM 29.0% ที่ 1
SRAM 27% ที่ 1
แฟลช เมมโมรี่ 25.0% ที่ 1
ไอซี ขับการแสดงผล LCD 19.0% ที่ 1
กลับสู่ด้านบน
หน้าที่ชมแล้ว