сведения о компании
пресс-релизподразделение полупроводников
Подразделение полупроводников Samsung обеспечено всем необходимым для быстрого решения всех задач и находится на ведущей позиции на рынке запоминающих устройств как по критериям самих изделий, так и по технологическому оснащению.
Наше подразделение запоминающих устройств Memory Division зарекомендовало себя в качестве непревзойденного лидера на мировом рынке. К концу 2006 года мы были ведущим производителем микросхем памяти в течение 14 лет подряд. Мы заняли первое место по объемам продаж DRAM за 15 лет, SRAM за 12 лет и микросхем флэш-памяти за 4 года. Мы также опередили конкурентов в промышленном внедрении нанотехнологии, разработке запоминающих устройств нового поколения, создании многокристальных модулей памяти и комбинированной памяти.
Весь творческий потенциал подразделения System LSI Division направлен на пять основных областей, в которых мы являемся мировыми лидерами: схемы управления индикаторами (DDI), встраиваемые микросхемы для SIM-карт, процессоры навигационных устройств, датчики изображения CMOS и однокристальные системы (SoCs) для медиа-плееров.
Наше подразделение запоминающих устройств (Storage Division) производит жесткие диски высокой емкости для мобильных устройств и цифровой бытовой техники. В данной области мы являемся бесспорными лидерами. В 2006 году мы представили первый в мире 1,8 дюймовый жесткий диск и гибридный 2,5 дюймовый жесткий диск, а в первой половине 2007 года мы выпустили 2,5 дюймовый жесткий диск с рекордной емкостью в 250 Гб.
Основные товары
Микросхема 1Gb DDR2 SDRAM с технологией 50 нм
- Первая в мире DRAM с обработкой по технологии 50 нм
- флэш-память 32Gb NAND по технологии 40 нм
- Получено 155 патентов за оригинальную или модифицированную технологию. Впервые освоено серийное производство архитектуры CTF (память с «ловушкой заряда»)
- Преодолен барьер процесса обработки 50 нм, определена возможность серийного производства по технологии 40 нм и меньше
Микросхема 512Mb OneDRAMTM
- Комбинированная память объединяет в одной микросхеме DRAM и SRAM для мобильных телефонов.
- Оптимизация скорости обработки данных между ЦПУ.
Микросхема 4Gb Flex-OneNANDTM
- Взяла лучшее от двух миров: невероятную скорость одноуровневых ячеек (SLC) NAND и почти безграничную емкость многоуровневых ячеек (MLC).
- В одной микросхеме могут храниться данные любого типа, что позволяет существенно уменьшить размеры мобильных телефонов.
Микросхема 512Mb PRAM
- Самая высокая в мире емкость благодаря использованию при изготовлении новейших материалов.
- Передает данные в 30 раз быстрее, чем флэш-память NOR, и работает в 10 раз дольше, существенно повышая производительность мобильных телефонов и портативных устройств.
«Интеллектуальная» DDI
- Уникальная схема управления индикаторами позволяет измерять уровень внешнего освещения и настраивать изображение на экране на оптимальное качество отображения.
- Сокращает потребление энергии в помещении как минимум на 30%.
Карта 1GB S-SIM
- Решение будущего, позволяющее объединить флэш-память NAND и микросхему смарт карты.
- Обеспечивает безопасность и хранит мультимедийные данные.
1, 8 дюймовый твердотельный жесткий диск 64GB SSD
- Вместо жесткого диска здесь применена флэш-память одноуровневых ячеек 8Gb SLC NAND по технологии 50 нм.
- Устройство нового поколения, выводящее применение флэш-памяти NAND из рамок лишь компактных мобильных и цифровых электронных устройств, и вводящее его в мир ПК; увеличивает стабильность и производительность системы.
| продукция | доля на рынке | место |
|---|---|---|
| Микросхемы DRAM | 29,0% |
1-е |
| Микросхемы SRAM | 27% |
1-е |
| Флэш-память | 25.0% |
1-е |
| Драйверы LCD | 19.0% |
1-е |
версия для низкоскоростного интернета
