حلول الأجهزة

الإمكانية

لضمان تشغيل حلول تقنية المعلومات لديك بسلاسة ويسر، نعمل جاهدين للتأكد من تصميم العمليات الداخلية لكافة الأجهزة الإلكترونية بما يوفر أقصى مستوى من الأداء والموثوقية وطول العمر التشغيلي

 

تعمل Samsung Electronics على توسيع ريادتها للسوق في مجال الذاكرات من خلال التقنية فائقة المستوى والوفورات الكبيرة في التكاليف. وهذا يخلق آفاقًا مثيرة. نحن نعمل على توسيع منتجاتنا المتميزة المربحة للغاية، وبالأساس للأجهزة المحمولة وتسريع تحويل العمليات مع التركيز أيضًا على تطوير منتجات الجيل التالي. وعملنا في مجال الاندماج الواسع للأنظمة، المدعوم بزيادة الطلب على مستشعرات AP وCIS، أظهر نموًا كبيرًا وريادة في توفير التكاليف، مما أتاح لنا إطلاق منتجات الجيل التالي بشكل أسرع.

مجال الذاكرات

ابتكار عالم أسهل من خلال ذاكرة خضراء متطورة تتمتع بأعلى أداء في العالم.
صورة تمثل مجال الذاكرات

منذ عام 1993، ونحن نحافظ باستمرار على مكانتنا الرائدة الأولى في سوق أشباه موصلات الذاكرات العالمية مع إسهامنا في النمو الشامل لسوق تقنية المعلومات العالمية وبناء مستوى تنافسي منقطع النظير. في عام 2016، وسّعنا حدود تقنية أشباه موصلات الذاكرات أكثر بطرحنا مجموعة من المنتجات الأولى في الصناعة وهي: شرائح LPDDR4 DRAM سعة 16 جيجابايت فئة 10 نانومتر والتي تتيح استخدام حزمة DRAM محمولة سعة 8 جيجابايت للهواتف الذكية والأجهزة اللوحية المتطورة، ومحركات الأقراص الصلبة SAS SSD سعة 15.36 تيرابايت المعتمدة على تقنية V-NAND سعة 256 جيجابايت من 48 طبقة والتي توفر أعلى سعة تخزين في الصناعة لعملائنا من المؤسسات الرائدة. وكذلك فقد سرّعنا من نمو قطاع الذاكرات المتقدمة بطرح حلول DRAM وNAND المتطورة المعتمدة على تقنية الفلاش في السوق. ومن بين تلك الحلول، توفر الذاكرة HBM2 DRAM سعة 8 جيجابايت والذاكرة LPDDR4/4X mobile DRAM سعة 8 جيجابايت مستوى استثنائيًا من السرعة العالية وعرض النطاق وهما مطلوبان للجيل التالي من الرسومات وتطبيقات الهاتف المحمول. وفي قطاع ذاكرات الفلاش NAND، ساعدت محركات الأقراص الصلبة SSD المخصصة للمستهلكين مثل محرك الأقراص الصلبة ‎960 PRO ‏(M.2 NVMe SSD) سعة 2 تيرابايت ومحرك الأقراص الصلبة T3 (SSD محمول) سعة 2 تيرابايت في تحريك السوق باتجاه حلول التخزين الأعلى كثافة. ويُدمج محرك الأقراص الصلبة BGA NVMe SSD سعة 512 جيجابايت كل مكونات SSD الأساسية في حزمة واحدة زنة جرام واحد، مما يسمح بتحقيق أقصى قدر من المرونة عند تصميم أجهزة الحوسبة. وفي عام 2017، استجبنا بشكل استباقي لاحتياجات السوق الأوسع التي تنوعت من الأجهزة المحمولة وأجهزة الكمبيوتر والمؤسسات وخدمات السحابة وحتى الواقع المعزز (AR)، والواقع الافتراضي (VR)، وتطبيقات السيارات. وحتى هنا، فنحن نخطط لتقديم تشكيلة أكثر شمولاً من منتجات الذاكرات المتقدمة والتي توفر مستويات أداء وسعة لا مثيل لها، ومن بينها محركات الأقراص الصلبة SSD المعتمدة على تقنية V-NAND الأحدث من 64 طبقة لتطبيقات المستهلكين والمؤسسات، وبطاقات تخزين الفلاش العالمية المضمنة (eUFS) فائقة الصغر ومحركات الأقراص الصلبة Z-SSD عالية السرعة. وسنواصل كذلك ترقياتنا في تقنية المعالجة بدقة 10 نانومتر لحلول الذاكرات DRAM والجيل التالي من تقنيات V-NAND للحفاظ على ريادتنا والمساهمة في نمو سوق الذاكرات العالمية.

مجال LSI للأنظمة

ابتكار رائد في الأجهزة الإلكترونية مع مستوى تنافسي من البحث والتطوير وتقنية معالجة رائدة.
صورة تمثل مجال LSI للأنظمة

يرتكز عملنا في مجال LSI للأنظمة على تطوير منتجات الجيل التالي لتعزيز المستوى التنافسي لتقنياتنا في قطاع fabless وترسيخ مكانتنا في السوق العالمية. في عام 2016، تميّز مجال الاندماج الواسع للأنظمة بسلسلة كاملة من شرائح System-on-Chip (SoC) المتحركة التي تعمل بتقنية المعالجة FinFET بدقة 14 نانومتر (نم)، مثل شريحة Exynos 8 Octa للأجهزة المحمولة عالية المستوى، وشريحة Exynos 7 Quad التي تتميز بإمكانية اتصال كاملة مدمجة للأجهزة الأولية، وحتى شريحة Exynos 7 Dual، والتي كانت أول شريحة SoC في الصناعة تُستخدَم للأجهزة القابلة للارتداء المستندة على معالج بدقة 14 نانومتر. وقد طرحت الشركة أيضًا مستشعر الصور مزدوج البكسل الذي يوفر تركيزًا بؤريًا تلقائيًا كاشفًا للطور على مستوى الكاميرا بدقة DSLR على نظام أساسي محمول لتزويد مستخدمي الأجهزة بإمكانية تصوير لقطات سريعة وبجودة صور فائقة، حتى في ظروف الإضاءة الخافتة. في عام 2017، من المتوقع أن يؤدي عملنا في مجال LSI للأنظمة إلى تحفيز تطوير منتجات مبتكرة مثل الجيل التالي من الهواتف الذكية، وأجهزة الواقع الافتراضي، وأجهزة الواقع المعزز من خلال شريحتها Exynos 9 الأحدث المعتمدة على تقنية المعالجة FinFET بدقة 10 نانومتر. وسترتكز الأولوية القصوى لمجال الاندماج الواسع للأنظمة في السنوات القادمة على تطوير مجموعة عملها من خلال بناء قدرات تصميم أساسية أقوى في قطاعات مختلفة – مودم الجيل الخامس، والجيل التالي من مستشعرات الصور، والدوائر المدمجة لإدارة الطاقة (PMIC) – بالإضافة إلى مجالات عملها الرائدة حاليًا.

مجال المسبوكات

توفير مجموعة كاملة من حلول المسبوكات، من تقنية المعالجة المتقدمة حتى نظم الاتصال المشتركة الموثوقة لبروتوكولات الإنترنت والتصميم.

صورة تمثل مجال المسبوكات

في يناير 2016، نجح مجال المسبوكات في Samsung في إثبات ريادته التقنية المستمرة من خلال الإنتاج الشامل للجيل الثاني من شرائح SoCs ‎(System-on-Chips)‎ المحمولة المعتمدة على تقنية المعالجة FinFET بدقة 14 نانومتر. كذلك فقد بدأ مجال المسبوكات في الإنتاج الشامل لأول شريحة SoC في الصناعة تعمل بتقنية المعالجة FinFET بدقة 10 نانومتر في أكتوبر من عام 2016. واستنادًا إلى تلك البراعة التقنية، نعمل على توسيع تعاوننا الاستراتيجي في مجال المسبوكات مع عملاء عالميين رائدين وعلى توفير الجيل التالي من شرائح SoC المحمولة التي تُستخدَم مع مجموعة كبيرة من الأجهزة المحمولة المتقدمة ومنتجات IoT. ومنذ تأسيسه في عام 2005، ومجال المسبوكات في Samsung يقدم منتجات وخدمات محسنة للعملاء. وفي مايو 2017، انفصلت وحدة مجال المسبوكات عن وحدة مجال LSI للأنظمة بغية تعزيز خبرتها في العمل وتسريع نمو تواجدها في السوق. وتخطط وحدة مجال المسبوكات للبدء في الإنتاج الضخم للجيل الثاني من تقنية المعالجة FinFET بدقة 10 نانومتر بنهاية عام 2017 وستوسع من سعة إنتاجها بدقة 10 نانومتر استجابةً للطلب المتزايد. علاوة على ذلك، ستستمر الوحدة في تقديم تطويرات سريعة للتقنيات المتطورة، مثل الجيل التالي من عقد التصميم التي تتجاوز دقة 8 نانومتر و18 نانومتر FD-SOI ‎(Fully Depleted Silicon on Insulator)‎، للوفاء باحتياجات العملاء من حلول المنطق بشكل أفضل.