Possibilidade
Ao garantir que as suas soluções de TI funcionam sem problemas, certificamo-nos de que o funcionamento interno de uma série de dispositivos electrónicos é concebido para fornecer um desempenho, fiabilidade e longevidade maximizados

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A Samsung Electronics está a expandir a sua liderança de mercado na actividade comercial de memórias demonstrando tecnologia superior e uma redução dramática dos custos. Isso está a gerar perspectivas empolgantes. Estamos a expandir os nossos produtos diferenciados e altamente rentáveis, principalmente para dispositivos móveis, acelerando o processo de conversão enquanto também nos concentramos no desenvolvimento de produtos de geração futura. Apoiada pelo aumento da procura por sensores AP e CIS, a nossa actividade comercial de Sistema LSI mostrou um forte crescimento e liderança em matéria de custos, permitindo-nos lançar a última geração de produtos mais rapidamente.
Actividade comercial de Sistema LSI
Liderando a inovação em dispositivos electrónicos com I&D competitivos e tecnologia pioneira em matéria de processamento.
A nossa actividade comercial de SistemaLSI está focada em desenvolver produtos de geração futura para reforçar a nossa competitividade tecnológica no segmento fabless (sem fabrico próprio) e solidificando a nossa posição no mercado global. Em 2016, a actividade comercial de Sistema LSI apresentou uma gama de System-on-Chip (SoC) completamente móvel com tecnologia de processamento FinFET de 14 nanómetros (nm), incluindo o Exynos 8 Octa para dispositivos móveis de gama alta, o Exynos 7 Quad, uma solução com conectividade total integrada para dispositivos de gama baixa, o Exynos 7 Dual, o primeiro SoC do sector para wearables de 14 nm. A empresa também lançou o seu sensor de imagem Dual-Pixel que fornece autofoco de detecção de fases ao nível das câmaras DSLR numa plataforma móvel para fornecer disparos rápidos e imagens de elevada qualidade aos utilizadores de dispositivos, mesmo em ambientes de pouca luminosidade. Em 2017, a nossa actividade comercial de Sistema LSI espera catalisar o desenvolvimento de produtos inovadores como a última geração de smartphones, dispositivos VR e AR com o seu Exynos 9 mais recente com base na tecnologia de processamento FinFET de 10 nm. A prioridade principal para a actividade comercial de Sistema LSI nos próximos anos será progredir o seu portefólio comercial, desenvolvendo capacidades reforçadas de design fundamentais em diversos sectores, o modem 5G, sensores de imagem de geração futura e IC de geração de energia (PMIC), além das suas principais áreas de negócios actuais.
Actividade comercial de fundição
Oferecendo uma gama completa de soluções de fundição, desde a tecnologia avançada de processamento a um ecossistema de IP e design comprovados.

Em Janeiro de 2016, a actividade comercial de fundição da Samsung demonstrou com sucesso a sua liderança em tecnologia continuada através da produção em massa de SoCs (System-on-Chips) FinFET móveis de 2ª geração de 14 nanómetros (nm). A actividade comercial de fundição também começou a produção em massa do primeiro SoC móvel com tecnologia de processamento FinFET de 10 nm em Outubro de 2016. Com base em tal proeza tecnológica, estamos a ampliar a nossa cooperação estratégica de fundição com os principais clientes globais e estamos a fornecer SoC de última geração que alimentam uma grande variedade de dispositivos móveis avançados e produtos IoT. Desde a sua criação em 2005, a actividade comercial de fundição da Samsung tem fornecido produtos e serviços optimizados aos clientes. Em Maio de 2017, a Unidade Comercial de Fundição separou-se da Unidade Comercial de Sistema LSI com o objectivo de reforçar a sua experiência comercial e para acelerar o crescimento da sua presença no mercado. A Unidade Comercial de Fundição planeia iniciar a produção em massa do processo FinFET de 10 nm de 2ª geração até ao final de 2017 e expandirá a sua capacidade de produção de 10 nm para responder à crescente procura. Além disso, continuará o desenvolvimento oportuno de tecnologias de ponta, incluindo nodes de design de geração futura para além do FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) de 8 nm e 18 nm, para melhor satisfazer as necessidades do cliente para soluções lógicas.