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Président du conseil d’administration et directeur général, Samsung Electronics

Illustration clé du DG dans entreprise
 Dr Oh-Hyun Kwon

Dr. Oh-Hyun Kwon

Président du conseil d’administration et directeur général
Président du conseil d’administration du Samsung Advanced Institute of Technology

Le 8 juin 2012, le Dr Oh-Hyun Kwon a officiellement été nommé chef de la direction de Samsung Electronics Co. par le conseil d'administration de la société.
Depuis son arrivée au sein de la division des semi-conducteurs de Samsung Electronics en 1985, le Dr Kwon a joué un rôle clé dans la progression rapide de Samsung Electronics dans le secteur des semi-conducteurs. En effet, il a dirigé avec succès la conception de la toute première mémoire vive dynamique (module DRAM) de 64 Mo en 1992, et, trois ans plus tard, a été promu vice-président du service des technologies de modules à mémoire de Samsung. En 1998, le Dr Kwon a été nommé premier vice-président et chef du service CIAS de la division des systèmes LSI. Ensuite, en 2000, il est devenu vice-président directeur et chef du service des technologies LSI. En janvier 2004, le Dr Kwon a été nommé président et directeur général de la division des systèmes LSI. Au cours de ses 10 années au sein de la division des systèmes LSI, le Dr Kwon s'est plus particulièrement fait connaître pour l'augmentation considérable des parts de marché de Samsung en matière de circuits intégrés pour pilotes d'affichage, de processeurs d'application et de capteurs d'image CMOS. En mai 2008, le Dr Kwon a été nommé président du groupe des semi-conducteurs (maintenant appelé groupe des solutions périphériques). En décembre 2011, il a été promu vice-président du conseil d'administration de Samsung Electronics.
Le Dr Kwon a publié de nombreux articles durant divers congrès et symposiums, dont le congrès ISSCC, le symposium ISSCC et la conférence IEDM. Il a également apporté son expertise dans la création de nombreux journaux techniques portant sur des sujets liés aux semi-conducteurs.
Le Dr Kwon est titulaire d'un baccalauréat en génie électrique de l'Université nationale de Séoul, d'une maîtrise en génie électrique du KAIST (Institut supérieur coréen des sciences et technologies) et d'un doctorat en génie électrique de l'Université Stanford.