Pensez Verticalement
Dépassez toutes les limites de capacités grâce à la technologie V-NAND par Samsung.
La technologie flash V-NAND de Samsung permet de dépasser les limites de capacités de l’architecture NAND 2D plane, grâce à une architecture verticale novatrice. Le résultat? Une densité de cellule plus grande permettant d’améliorer la capacité et d’éviter les interférences entre cellules. Ainsi, elle définit une nouvelle norme en matière de vitesse, de rendement énergétique et de performances.
Disque SSD de Nouvelle Génération
Atteignez des sommets en matière de performances et de fiabilité
Les disques SSD NVMe de Samsung offrent des performances de qualité professionnelle tout en consommant moins d’énergie. Ces disques SSD novateurs basés sur l’architecture V-NAND prennent en charge un PCI Express® Gen 3 x4 voies qui offre une bande passante plus importante et un temps de latence plus court, afin de traiter une quantité de données plus importante que les disques durs SATA. Et ils vous sont proposés dans un facteur de forme M.2 compact.
*PCI Express et PCIe sont des marques de commerce ou des marques déposées de PCI-SIG.
*PCI Express et PCIe sont des marques de commerce ou des marques déposées de PCI-SIG.
Transférez vos Données Plus Rapidement et Stockez-les en Toute Sécurité
Un dispositif de stockage externe rapide et compact
L’élégant disque SSD portable T3 de Samsung est la nouvelle grande tendance en matière de stockage numérique grâce à sa vitesse, sa capacité, sa durabilité et sa connectivité. Son boîtier extérieur métallique ainsi que son cadre de soutien interne en métal résistent aux chocs, tandis qu’un chiffrement matériel AES 256 bits permet de stocker et déplacer vos données en toute sécurité.
Énergisez vos Performances
L’informatique entre dans une nouvelle dimension grâce à ses performances
Basée sur l’architecture V-NAND novatrice de Samsung, la série 850 affiche des performances de lecture et d’écriture inégalées dans sa catégorie. Elle offre de superbes performances pour les travaux séquentiels comme aléatoires, avec des vitesses de lecture séquentielle et aléatoire allant jusqu’à 550 Mo/s et 100000 IOPS.
