Enterprise SSD 983 ZET HHHL

Le SSD à très faible latence

Le SSD NVMe 983 ZET de Samsung permet d'exécuter des applications haute performance à des vitesses phénoménales. Doté de la technologie V-NAND à faible latence, synonyme de performances et de qualité de services améliorées, le 983 ZET offre des débits élevés vous assurant une analyse et un traitement ultra-rapides des données, ce qui en fait un choix idéal pour propulser votre activité vers de nouveaux sommets.

* La marque figurative NVM Express® est une marque déposée de NVM Express, Inc.

Conçu pour offrir une réactivité optimale

Venant combler le fossé entre mémoire système et stockage, le 983 ZET s'appuie sur la technologie de pointe V-NAND à faible latence pour accéder rapidement aux données en cas de besoin. Son impressionnante qualité de service (QoS) ne dépasse pas 0,03 ms en lecture et en écriture, avec une latence minimale de 20 μs.*

* La latence de lecture/écriture aléatoire a été mesurée à l'aide de FIO dans CentOS7.0 pour une taille de transfert de données de 4 Ko à une profondeur de file d’attente de 1 pendant une charge de travail aléatoire de l'état stable. La QoS a été mesurée à l'aide de FIO (99,99 %) à une profondeur de file d'attente de 1 pendant une charge de travail 4 Ko de lecture et d'écriture aléatoires.

Des performances adaptées aux traitements complexes

Découvrez un nouveau niveau de performances. L’interface NVMe™ permet au 983 ZET d’atteindre des vitesses de lecture/écriture séquentielle allant jusqu’à 3400/3000 Mo/s et des vitesses de lecture/écriture aléatoire allant jusqu’à 750K/55K IOPS, assurant ainsi un traitement rapide des calculs même complexes.*

* Les performances réelles peuvent varier en fonction des conditions d'utilisation et de l'environnement. 1) Les performances séquentielles ont été mesurées à l'aide de FIO dans CentOS7.0 par 1 analyste à une profondeur de file d’attente de 32. 2) Les performances aléatoires ont été mesurées à l'aide de FIO dans CentOS7.0 par 4 analystes à une profondeur de file d'attente de 32.

Sécurité des données critiques

Le ZET 983 offre une protection de bout en bout des données pour garantir la cohérence de l’intégralité du parcours de transfert des données, évitant ainsi toute corruption de données en cas de panne de courant.

Qualité et fiabilité Samsung

Profitez de la qualité et de la fiabilité supérieures de SSD produits en interne avec des composants fabriqués par Samsung. Équipez vos process 24/7 pour qu’ils tournent plus vite et plus efficacement avec une fiabilité de classe mondiale sous une garantie limitée de 5 ans ou 10 DWPD.

* Après remplacement des disques durs.

Spécifications

Informations générales

Nom d'article Enterprise SSD 983 ZET (HHHL)
Code du modèle MZ-PZA480BW
EAN 08801643386115

Caractéristiques générales

Applications Enterprise Data Center
Capacité 480 Go (1 Go = 1 milliard d'octet par IDEMA) * La capacité réellement utilisable peut être inférieure (du fait du formatage, du partitionnement, du système d'exploitation, des applications ou autre)
Facteur de forme Half-height Half-length (HHHL)
Interface PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.2
Dimensions (L x H x P) 167,7 x 69,9 x 18,8 mm
Poids Max. 330 g
Mémoire de stockage Samsung Low Latency V-NAND
Contrôleur Samsung Phoenix Controller
Mémoire cache Samsung 1.5GB Low Power DDR4 SDRAM

Fonctions spéciales

Prise en charge TRIM Prise en charge
Prise en charge S.M.A.R.T. Prise en charge
GC (récupération de l'espace mémoire) Auto Garbage Collection Algorithm
Prise en charge chiffrement TCG/Opal, Class 0
Prise en charge WWN NGUID Prise en charge
Prise en charge mode veille appareil Non supporté

Performances

Lecture séquentielle Jusqu'à 3.400 Mo/s * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Ecriture séquentielle Jusqu'à 3.000 Mo/s * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Lecture aléatoire (4 KB, QD32) Jusqu'à 750.000 IOPS * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Ecriture aléatoire (4 KB, QD32) Jusqu'à 60.000 IOPS * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système.

Environnement

Consommation énergétique moyenne (niveau sytème) (écriture): 9,0 W * La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Consommation (inactif) Max. 5,5 W * La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Tension max. admissible 12,0 V
Fiabilité (MTBF) Fiabilité de 2,0 millions d'heures (MTBF)
Température de fonctionnement 0 - 55 ℃
Chocs 1.500 G & 0,5 ms (Half sine)

Logiciels

Logiciel de gestion Samsung SSD DC Tool kit

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Fiche produit

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