设备解决方案

无限可能

为保障您的IT解决方案能够顺利运行,我们严格审视所有电子设备的设计与制造供应,旨在为您提供最佳的产品性能、可靠的品质保障和长久的使用寿命。

 

三星电子通过卓越的技术和集约化优势,不断扩大其在内存领域中领先地位。这给我们带来了令人兴奋的光辉前景。我们不断在强化高收益、差异化产品,同时更专注于下一代产品的开发。在对AP和CIS传感器需求不断增加的支持下,我们的系统LSI业务显示出强劲的增长和成本领先优势,使我们能够更快地推出下一代产品。

存储器业务

利用性能强劲的环保存储器,创建一个更简单的世界。
 

自1993年以来,不断的创新使我们推动着全球IT市场的整体发展,这也使我们牢固地保持着全球储存器半导体市场第一的领先地位,建立起无与伦比的竞争优势。2016年,我们通过引入大量业界首创产品,进一步打破存储器半导体技术的应用局限:10纳米级16GB LPDDR4 DRAM芯片为高端智能手机和平板电脑提供了8GB移动DRAM封装,同时,15.36TB 基于48层256GB V-NAND技术的SAS SSD为领先的企业客户提供了业界最高的存储容量。此外,我们通过将尖端的DRAM和基于NAND闪存的解决方案推向市场,进一步推动了高端内存市场分割的发展。其中,8GB HBM2 DRAM和8GB LPDDR4 / 4X移动DRAM为下一代图形和移动应用提供了极高的速度和带宽。在NAND闪存行业,诸如2TB 960 PRO(M.2 NVMe SSD)和2TB T3(便携式SSD)这样的消费类SSD 有效地推动了市场向更高密度的消费类存储解决方案发展。512GB BGA NVMe SSD将所有必需的SSD组件集成在一个单一的一克封装中,从而保证了在设计计算设备时获得最大的灵活性。2017年,我们一直在积极应对来自从移动设备、PC、企业和云服务到增强现实(AR)、虚拟现实(VR)和汽车应用的更广泛的市场需求。 为此,我们计划推出覆盖范围更广的高端存储产品系列,提供更具优势的性能和容量水平,包括面向消费者和企业应用的最新64层 V-NAND SSD,超紧凑型eUFS和高速Z-SSD产品。我们将一如既往地继续推进用于DRAM解决方案的10纳米制程技术和新一代V-NAND技术,以保持我们的领导地位,并为全球内存市场的增长做出贡献。

System LSI 业务

利用强劲的研发实力和开创性的工艺技术,引领电子设备不断创新。
 

我们的System LSI 业务专注于开发下一代产品,以加强我们在无晶圆厂领域的技术竞争优势,巩固我们在全球市场中的地位。在2016年,System LSI 业务部门推出了采用14纳米(nm)FinFET 制程技术的全系列移动片上系统(SoC)产品阵容,其中包括用于高端移动设备的Exynos 8 Octa,集成了完整连接的入门级设备解决方案 Exynos 7 Quad,以及业界第一款用于可穿戴产品的14nm 制程 SoC - Exynos 7 Dual。公司还推出了可在移动设备平台上实现DSLR相机级相位检测自动对焦的双像素图像传感器,即使在低光照环境下,也能为设备用户提供快速的照片拍摄和卓越的图像质量。2017年,我们的System LSI 业务预计将通过其基于10nm FinFET工艺技术的最新Exynos 9,进一步推动下一代智能手机、VR和AR设备等创新产品的开发。 系统LSI业务在未来几年中的首要任务将是在目前的旗舰业务领域基础上,通过在5G调制解调器、下一代图像传感器以及电源管理IC(PMIC)等多个领域建立更强大的核心设计能力来推进其业务组合。

代工业务

提供全系列代工业务解决方案,包括先进的工艺技术、经过验证的IP和设计生态系统。

 

2016年1月,三星的代工业务部通过批量生产第二代14纳米(nm)FinFET移动SoC(片上系统)成功证明了其稳固的技术领先地位。 代工业务部还于2016年10月开始量产业界首款采用10nm FinFET工艺技术的移动SoC。凭借如此雄厚的技术实力,我们正在扩大与全球领先客户的战略代工合作,并提供作为各种先进移动设备和物联网(IoT)产品系列核心的下一代移动SoC 。 自2005年成立以来,三星的代工业务部一直为客户提供最优化的产品和服务。2017年5月,代工业务部与系统LSI业务部分离,以更好地强化其业务专长,并促进其在市场上的发展。 代工业务部计划在2017年底前开始实现第二代10nm FinFET工艺产品量产,并扩大其10nm生产能力以应对日益增长的需求。 此外,它将继续及时开发尖端技术,包括超过8nm和18nm 全空乏绝缘上覆硅 (Fully Depleted Silicon on Insulator,FD-SOI)技术的下一代设计节点,以更好地满足客户对逻辑解决方案的需求。