李禎培社长加盟三星电子 DRAM 设计组，作为 DRAM 技术专家，参与了 DDR、DDR2、DDR3、GDDR、LPDDR2、LPDDR3 等多种 DRAM 产品的开发。

2011 年，其对 DRAM 技术发展的贡献获得了肯定，被升任设计组组长，负责 DRAM 设计。

2013~2017 年，在其任商品企划组组长期间，充分发挥了出色的商务洞察力，战略化地将 3D-NAND 及 HBM（高带宽存储器）等三星电子的尖端技术产品化，在占有市场的过程中发挥了重要作用。

此外，在其担任存器储业务部质量保证室长及 DRAM 开发室长后，升任存储器业务部社长兼总负责人，目前正带领存器储业务部向前开拓。

首尔大学电子工学系学士、硕士、博士

自 2014 年加入三星电子并担任下一代产品开发团队副总裁以来，他一直负责触摸控制器 IC 和可穿戴生物处理器等下一代产品的开发。

从 2015 年至 2018 年，他领导了图像传感器和系统 LSI 产品的研发，例如显示解决方案、电源集成电路和安全解决方案。

自 2019 年起，他担任传感器业务团队的副总裁，领导先进像素技术和高分辨率传感器的研发和商业化，包括第一款 108Mp CMOS 图像传感器。

2020 年，他担任副总裁兼产品规划、销售与营销负责人，增强了整个系统 LSI 业务的战略方向。随着各种创新解决方案的开发，他不断推动着三星系统 LSI 业务的增长。

在加入三星之前，他自 2009 年起担任 Dongbu Hitek 的总裁、CEO和董事会成员。

在加入 Dongbu Hitek 之前，他于 1987 年至 1999 年在 LG 电子 (LG Electronics) 担任模拟组负责人，并于 1999 年至 2007 年在德州仪器公司 (Texas Instruments) 担任关键技术管理职位。

崔時榮社长自 1995 年入职三星电子以来，从存储器到逻辑 IC 的下一代工艺技术开发，均是不可或缺的中坚力量，为三星电子在半导体市场奠定了坚实的基础。在其领导下，三星电子在 14nm 及 10nm FinFET 工艺技术的基础之上，成功推出了 SoC。

在成为代工厂业务部社长之前，2017 年起，任制造技术中心长官，成功构建了世界上规模较大的半导体制造集群。此外，他还大大提高了加工运营的效率，为了将竞争力不断扩大，还主导了生产系统的革新。

在经历半导体业务的核心职务变更的同时作为工艺制造专家，引领着半导体产品相关工艺的开发及制造。现升任代工厂业务部社长兼总负责人，继续推动代工厂业务的发展。

崔時榮社长在学术杂志上发表过 100 余篇学术论文，保有 100 余项美国专利。此外，他也作为 VLSI、ITRS 及 IMEC 等数字技术委员会委员贡献着自己的力量。

延世大学材料工学系学士（1986 年）及硕士（1988 年）
俄亥俄州立大学材料工学系博士（1994 年）