Seadmelahendused

Võimalus

Teie IT-lahenduste sujuva töö tagamiseks veendume, et terve rea elektronseadmete sisemuses on maksimaalset jõudlust, usaldusväärsust ja pikaealisust tagavad komponendid.

 

Samsung Electronics laiendab oma turuliidri positsiooni mäluseadmete turul ning demonstreerib parimat tehnoloogiat ning olulist kulude kokkuhoidu. See tähendab põnevate tulevikuväljavaadete loomist. Laiendame oma erakordselt kasumlikku diferentseeritud toodete valikut peamiselt mobiilsideseadmete osas ning kiirendame protsesside muundamist, keskendudes samal ajal ka järgmise põlvkonna toodete arendamisele. AP- ja CIS-andurite suureneval nõudlusel tuginev System LSI ärivaldkond näitas tugevat kasvu ja kulujuhtimist, mis annab võimaluse järgmise põlvkonna toodete kiiremaks turule toomiseks.

Mäluseadmete ärivaldkond

Loome lihtsamat maailma, kasutades selleks uusimat rohelist ja maailma parima jõudlusega mälu.
Mäluseadmete turgu näitav kujutis

Oleme üleilmse mäluseadmete pooljuhtide turu liidripositsiooni hoidnud tugevalt juba alates 1993. aastast. Samal ajal oleme panustanud üleilmse IT-turu kasvu ja saavutanud võrreldamatu konkurentsieelise. 2016. aastal nihutasime mäluseadmete pooljuhttehnoloogia piire veel kaugemale ja tõime turule terve rea turu esimesi tooteid: 10-nanomeetri klassi 1 GB LPDDR4 DRAM kiibid võimaldavad 8 GB mobiilse DRAM paketi lisamist tipptaseme nutitelefonidesse ja tahvelarvutitesse ning 15,36 TB SAS SSD, mille aluseks on 48-kihiline 256 GB V-NAND tehnoloogia, pakub juhtivatele äriklientidele oma ala suurimat mälumahtu. Lisaks sellele saavutasime kiirema kasvu ka tipptasemel mäluseadmete turul, sest tõime turule eesrindlikud DRAM ja NAND välkmälu-põhised lahendused. Sealhulgas ka 8 GB HBM2 DRAM ja 8 GB LPDDR4/4X mobiilne DRAM, mis pakuvad erakordselt suuri kiirusi ning ribalaiust, mida vajavad uue põlvkonna graafikakaardid ja mobiilirakendused. NAND välkmälude valdkonnas aitasid suure tihedusega mälulaheduste turu kasvule kaasa tarbijatele suunatud SSD-kettad, nagu näiteks 2 TB 960 PRO (M.2 NVMe SSD) ja 2 TB T3 (kaasaskantav SSD). 512 GB BGA NVMe SSD integreerib kõik olulised SSD komponendid ühele vaid grammi kaaluvale paketile ja võimaldab arvutiseadmeid kavandada maksimaalse paindlikkusega. 2017. aastal oleme ennetavalt reageerinud laiema turu vajadustele mobiiltelefonide, arvutite, ärilahenduste ja pilveteenuste valdkondadest täiendatud reaalsuse (AR), virtuaalreaalsuse (VR) ja autotööstuse lahendusteni. Seetõttu plaanime turule tuua laiema valiku tipptasemel mäluseadmeid, mis pakuvad seninägematut jõudlust ja mahtu, sealhulgas uusimad 64-kihilisel V-NAND mälul tuginevad SSD-kettad tarbija- ja ärilahenduste jaoks, ülikompaktsed eUFS seadmed ja kiired Z-SSD-kettad. Jätkame ka 10-nanomeetrise protsessitehnoloogia arendamist DRAM lahenduste ja uue põlvkonna V-NAND tehnoloogia jaoks, sest need aitavad säilitada liidripositsiooni ja hoida kasvu üleilmsel mäluseadmete turul.

System LSI ärivaldkond

Juhtivad uuendused elektroonikaseadmete turul, konkurentsivõimeline uurimis- ja arendustegevus ning teedrajav protsessitehnoloogia.
Kujutis LSI ärivaldkonnast

Meie System LSI ehk süsteemide lausintegratsiooni ärivaldkond on keskendunud uue põlvkonna toodete arendamisele, mis tugevdavad meie tehnoloogilist konkurentsieelist sisseostetud tootmislahendusi kasutavas turusegmendis ning kindlustavad meie positsiooni üleilmsel turul. 2016. tõime süsteemide lausintegratsiooni valdkonnas turule täieliku süsteemikiipide (System-on-Chip ehk SoC) seeria, mis kasutab 14-nanomeetrist (nm) FinFET protsessitehnoloogiat. Sealhulgas tipptaseme mobiiltelefonides kasutatav Exynos 8 Octa, madalaima taseme seadmetele mõeldud täielikult integreeritud ühenduvusega Exynos 7 Quad ja Exynos 7 Dual, mis oli tööstusharu esimene SoC 14 nm kantava tehnoloogia jaoks. Tutvustasime ka Dual-Pixel tehnoloogiat kasutavat pildisensorit, mis tagab mobiilsetel platvormidel DSLR-kaameratega võrdväärse faasituvastusega autofookuse ja võimaldab seadmete kasutajatele kiiret pildistamist ning tipptasemel pildikvaliteeti ka hämaras valguses. 2017. aastal loodab LSI ärivaldkond ära kasutada uuenduslikke toodete arendusi, nagu näiteks uue põlvkonna nutitelefonid, VR- ja AR-seadmed ja uusim Exynos 9 baasil 10 nm FinFET protsessitehnoloogia. Eelolevatel aastatel on süsteemide lausintegratsiooni ärivaldkonna esmaseks eesmärgiks ärirakenduste portfelli laiendamine läbi jõuliste disainilahenduste erinevates sektorites – 5G modem, järgmise põlvkonna pildisensorid ja energiahalduse integreeritud kiibid (PMIC), mis kõik lisanduvad juba olemasolevatele juhtivatele ärivaldkondadele.

Pooljuhtide tootmise ärivaldkond

Pakume täielikku valikut pooljuhtide tehastele suunatud lahendusi, arenenud protsessitehnoloogiast ennast tõestanud intellektuaalomandi ja disaini ökosüsteemini.

Pooljuhtide tootmise ärivaldkonna kujutis

2016. aasta jaanuaris tõestas Samsung pooljuhtide tootmise ärivaldkond, et on jätkuvalt tehnoloogiline liider, sest alustas 2. põlvkonna 14-nanomeetriste (nm) FinFET mobiilsete SoCs (System-on-Chips) masstootmist. Pooljuhtide tootmise ärivaldkond alustas 2016. aasta oktoobris ka tööstusala esimese mobiilse SoC, mis kasutab FinFET protsessitehnoloogiat. Sedavõrd võimsale tehnoloogilisele oskusele tuginedes laiendame strateegilist pooljuhtide tootmise kostööd juhtivate üleilmsete klientidega ning pakume järgmise põlvkonna SoC, mis joosutavad laia valikut tipptasemel mobiilseid seadmeid ja asjade interneti (IoT) tooteid. Alates asutamisest aastal 2005, on Samsungi pooljuhtide tootmise ärivaldkond pakkunud klientidele optimeeritud tooteid ja teenuseid. 2017. aasta mais eraldus pooljuhtide tootmise ärivaldkond lLSI ärivaldkonnast ja seadis eesmärgiks valdkonna oskusteabe tugevdamise ning turupositsiooni kiirema laiendamise. Pooljuhtide tootmise ärivaldkonna plaanides on alustada 2. põlvkonna 10 nm FinFET lahenduste masstootmise protsessiga juba 2017. aasta lõpuks, mistõttu laiendatakse suureneva nõudluse ootuses ka tootmisvõimsust. Lisaks sellele jätkatakse ka tipptasemel tehnoloogiate ajakohast arendamist, sealhulgas järgmise põlvkonna disainilahendused, mis järgnevad 8 nm ja 18 mn FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) kiipidele ja vastavad veelgi paremini klientide vajadustele loogikalahenduste valdkonnas.