منذ عام 1993، ونحن نحافظ باستمرار على مكانتنا الرائدة الأولى في سوق أشباه موصلات الذاكرات العالمية مع إسهامنا في النمو الشامل لسوق تقنية المعلومات العالمية وبناء مستوى تنافسي منقطع النظير. في عام 2016، وسّعنا حدود تقنية أشباه موصلات الذاكرات أكثر بطرحنا مجموعة من المنتجات الأولى في الصناعة وهي: شرائح LPDDR4 DRAM سعة 16 جيجابايت فئة 10 نانومتر والتي تتيح استخدام حزمة DRAM محمولة سعة 8 جيجابايت للهواتف الذكية والأجهزة اللوحية المتطورة، ومحركات الأقراص الصلبة SAS SSD سعة 15.36 تيرابايت المعتمدة على تقنية V-NAND سعة 256 جيجابايت من 48 طبقة والتي توفر أعلى سعة تخزين في الصناعة لعملائنا من المؤسسات الرائدة. وكذلك فقد سرّعنا من نمو قطاع الذاكرات المتقدمة بطرح حلول DRAM وNAND المتطورة المعتمدة على تقنية الفلاش في السوق. ومن بين تلك الحلول، توفر الذاكرة HBM2 DRAM سعة 8 جيجابايت والذاكرة LPDDR4/4X mobile DRAM سعة 8 جيجابايت مستوى استثنائيًا من السرعة العالية وعرض النطاق وهما مطلوبان للجيل التالي من الرسومات وتطبيقات الهاتف المحمول. وفي قطاع ذاكرات الفلاش NAND، ساعدت محركات الأقراص الصلبة SSD المخصصة للمستهلكين مثل محرك الأقراص الصلبة ‎960 PRO ‏(M.2 NVMe SSD) سعة 2 تيرابايت ومحرك الأقراص الصلبة T3 (SSD محمول) سعة 2 تيرابايت في تحريك السوق باتجاه حلول التخزين الأعلى كثافة. ويُدمج محرك الأقراص الصلبة BGA NVMe SSD سعة 512 جيجابايت كل مكونات SSD الأساسية في حزمة واحدة زنة جرام واحد، مما يسمح بتحقيق أقصى قدر من المرونة عند تصميم أجهزة الحوسبة. وفي عام 2017، استجبنا بشكل استباقي لاحتياجات السوق الأوسع التي تنوعت من الأجهزة المحمولة وأجهزة الكمبيوتر والمؤسسات وخدمات السحابة وحتى الواقع المعزز (AR)، والواقع الافتراضي (VR)، وتطبيقات السيارات. وحتى هنا، فنحن نخطط لتقديم تشكيلة أكثر شمولاً من منتجات الذاكرات المتقدمة والتي توفر مستويات أداء وسعة لا مثيل لها، ومن بينها محركات الأقراص الصلبة SSD المعتمدة على تقنية V-NAND الأحدث من 64 طبقة لتطبيقات المستهلكين والمؤسسات، وبطاقات تخزين الفلاش العالمية المضمنة (eUFS) فائقة الصغر ومحركات الأقراص الصلبة Z-SSD عالية السرعة. وسنواصل كذلك ترقياتنا في تقنية المعالجة بدقة 10 نانومتر لحلول الذاكرات DRAM والجيل التالي من تقنيات V-NAND للحفاظ على ريادتنا والمساهمة في نمو سوق الذاكرات العالمية.