Soluciones para dispositivos

Posibilidad

Al garantizar que sus soluciones informáticas funcionan sin problemas, nos aseguramos de que los mecanismos internos de una amplia gama de dispositivos electrónicos estén diseñados para proporcionar el máximo rendimiento, confiabilidad y longevidad.

 

Samsung Electronics está expandiendo su liderazgo de mercado en el negocio de memorias gracias a su tecnología superior y a una reducción importante de los costes. Eso está generando perspectivas interesantes. Estamos ampliando nuestros productos muy diferenciados y rentables, principalmente para dispositivos móviles y acelerando la conversión de procesos, al tiempo que nos centramos en el desarrollo de productos de última generación. Respaldado por el aumento de la demanda de sensores AP y CIS, nuestra división de System LSI registró un fuerte crecimiento y liderazgo en costos, lo que nos permite lanzar productos de última generación más rápidamente.

Negocio de memorias

Creación de un mundo más fácil mediante memorias ecológicas punteras con el mayor rendimiento del mundo.
 

Desde 1993, conservamos firmemente nuestro liderazgo en el mercado mundial de semiconductores para memorias y, al mismo tiempo, contribuimos al crecimiento global del mercado informático mundial y creamos una ventaja competitiva sin igual. En 2016, impulsamos aún más el límite de la tecnología de semiconductores para memorias mediante la presentación de una serie de productos innovadores para la industria: el chip LPDDR4 DRAM con capas de 16 GB y sistema de 10 nanómetros permite un paquete DRAM móvil de 8 GB para smartphones y tabletas de gama alta, y el SAS SSD de 15,36 TB basado en la tecnología V-NAND de 48 capas con 256 GB de capacidad ofrece la mayor capacidad de almacenamiento de la industria para clientes empresariales líderes. Además, hemos acelerado aún más el crecimiento del segmento de memorias avanzadas al ofrecer al mercado innovadoras soluciones de DRAM y NAND basadas en flash. Entre ellas, la HBM2 DRAM de 8 GB y la DRAM móvil LPDDR4/4X de 8 GB ofrecen una increíble velocidad y ancho de banda necesarios para las aplicaciones móviles y gráficos de última generación. En el sector flash NAND, los SSD de consumo como, por ejemplo, el 960 PRO de 2 TB (M.2 NVMe SSD) y el T3 de 2 TB (SSD portátil) ayudaron al mercado a avanzar hacia soluciones de almacenamiento de consumidores de mayor densidad. El BGA NVMe SSD de 512 GB integra todos los componentes esenciales del SSD en un solo paquete de un gramo, lo que permite aumentar la flexibilidad durante el diseño de dispositivos informáticos. Durante el 2017, hemos estado respondiendo de manera proactiva a las necesidades más amplias del mercado, desde dispositivos móviles, ordenadores, servicios empresariales y en la nube, hasta la realidad aumentada (AR, por sus siglas en inglés), la realidad virtual (VR, por sus siglas en inglés) o aplicaciones automotrices. Con este fin, planeamos introducir una línea más extensa de productos de memoria avanzada que ofrecen unos niveles de rendimiento y capacidad incomparables, incluidos los últimos SSD basados en V-NAND de 64 capas para aplicaciones empresariales y de consumo, las memorias eUFS ultra compactas y los Z-SSD de alta velocidad. También seguiremos con nuestros avances en la tecnología de procesos de 10 nanómetros para soluciones de DRAM y en tecnologías V-NAND de última generación para mantener nuestro liderazgo y contribuir al crecimiento del mercado global de memorias.

División de System LSI

Innovación líder en dispositivos electrónicos con tecnología competitiva en I+D y procesos pioneros.
 

Nuestra división de System LSI se centra en el desarrollo de productos de última generación para fortalecer nuestra ventaja competitiva tecnológica en el segmento de las fabless y consolidar nuestra posición en el mercado global. En el 2016, la división System LSI Business presentó una gama completa de System-on-Chip (SoC) móvil con tecnología de procesos FinFET de 14 nanómetros (nm), incluyendo el Exynos 8 Octa para dispositivos móviles premium, el Exynos 7 Quad, una solución con conectividad completa integrada para dispositivos de iniciación y el Exynos 7 Dual, el primer SoC de 14 nm de la industria para wearables. La compañía también presentó su sensor de imagen Dual-Pixel que ofrece un enfoque automático de detección de fase a nivel de cámara DSLR en una plataforma móvil para proporcionar a los usuarios fotografías rápidas y una calidad de imagen excelente, incluso en entornos con poca luz. En el 2017, nuestra división de System LSI tiene previsto catalizar el desarrollo de productos innovadores como, por ejemplo, teléfonos de última generación, dispositivos de RV y AR con el último Exynos 9 basado en la tecnología de procesos FinFET de 10 nm. La prioridad principal de la división de System LSI en los próximos años es avanzar en su cartera de negocios mediante la creación de funciones de diseño del núcleo más potentes en diversos sectores – módem 5G, sensores de imagen de última generación e IC de gestión energética (PMIC) – además de sus áreas emblemáticas actuales.

División de fundición

Brinda una gama completa de soluciones de fundición, desde la tecnología de procesos avanzada hasta un ecosistema de IP y diseño probado.

 

En enero de 2016, el negocio de fundición de Samsung demostró con éxito su continuo liderazgo tecnológico mediante la producción en masa del SoCs (System-on-Chips) para móvil con FinFET de 14 nanómetros. Asimismo, el negocio de fundición empezó la producción en masa del primer SoC de la industria para móvil con la tecnología de procesos FinFET de 10 nm en octubre de 2016. En base a esa capacidad tecnológica, estamos ampliando nuestra colaboración estratégica de fundición con los principales clientes globales y proporcionando SoC móviles de última generación que alimentan una amplia gama de dispositivos móviles avanzados y productos de IoT. Desde su creación en el 2005, el negocio de fundición de Samsung ofrece servicios y productos optimizados a los clientes. En mayo de 2017, el negoció de fundición se separó de la división de System LSI con el objetivo de reforzar su experiencia empresarial y de acelerar el crecimiento de su presencia en el mercado. El negocio de fundición planea iniciar la producción en masa del proceso FinFET de 10 nm de segunda generación a finales del 2017 y ampliará su capacidad de producción de 10 nm para responder a la demanda cada vez más creciente. Además, continuará desarrollando tecnologías de vanguardia, que incluyen nodos de diseño de última generación más allá de los FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) de 8 nm y 18 nm para satisfacer mejor las necesidades de soluciones lógicas.