Λύσεις συσκευών

Δυνατότητα

Εξασφαλίζοντας ότι όλες οι λύσεις πληροφορικής λειτουργούν ομαλά, διασφαλίζουμε ότι οι εσωτερικές λειτουργίες μιας ολόκληρης σειράς ηλεκτρονικών συσκευών έχουν σχεδιαστεί για να παρέχουν μέγιστη απόδοση, αξιοπιστία και μεγάλη διάρκεια ζωής

 

Η Samsung Electronics διευρύνει την ηγετική της θέση στον τομέα της μνήμης, επιδεικνύοντας κορυφαία τεχνολογία και θεαματική εξοικονόμηση κόστους. Αυτό δημιουργεί συναρπαστικές προοπτικές. Επεκτείνουμε τα υψηλά κερδοφόρα διαφοροποιημένα προϊόντα μας, κυρίως για κινητές συσκευές και επιταχύνουμε τη μετατροπή των διαδικασιών, εστιάζοντας στην ανάπτυξη προϊόντων επόμενης γενιάς. Με κίνητρο την αυξημένη ζήτηση για αισθητήρες AP και CIS, ο τομέας System LSI παρουσίασε ισχυρή ανάπτυξη και ηγεσία κόστους δίνοντάς μας τη δυνατότητα να διαθέσουμε στην αγορά προϊόντα επόμενης γενιάς πολύ πιο γρήγορα.

Τομέας μνήμης

Δημιουργήστε έναν ευκολότερο κόσμο χάρη στην κορυφαία «πράσινη» μνήμη με την υψηλότερη απόδοση παγκοσμίως.
 

Από το 1993, διατηρούμε σταθερά τη νούμερο 1 ηγετική μας θέση στην παγκόσμια αγορά ημιαγωγών μνήμης, συμβάλλοντας στη συνολική ανάπτυξη της παγκόσμιας αγοράς τεχνολογίας πληροφοριών και δημιουργώντας ένα ασυναγώνιστο ανταγωνιστικό πλεονέκτημα. Το 2016, εξελίξαμε την τεχνολογία ημιαγωγών μνήμης ακόμη περισσότερο, εισάγοντας μια σειρά από κορυφαία στον τομέα προϊόντα: τα τσιπ 16GB LPDDR4 DRAM κλάσης 10 νανομέτρων δίνουν τη δυνατότητα κινητού πακέτου DRAM 8GB για κορυφαία smartphones και tablets και η SSD 15,36 TB που βασίζεται σε τεχνολογία V-NAND 256 GB 48 στρωμάτων δίνει την υψηλότερη χωρητικότητα αποθηκευτικού χώρου στον τομέα για ηγετικούς εταιρικούς πελάτες. Επιπλέον, επιταχύνουμε περαιτέρω την ανάπτυξη του τμήματος προηγμένης μνήμης, φέρνοντας στην αγορά λύσεις κορυφαίας απόδοσης βάσει flash DRAM και NAND. Μεταξύ αυτών, η 8GB HBM2 DRAM και η κινητή 8GB LPDDR4/4X DRAM προσφέρουν εξαιρετικά υψηλή ταχύτητα και εύρος ζώνης, στοιχεία απαραίτητα για γραφικά επόμενης γενιάς και κινητές εφαρμογές. Στον τομέα των μνημών τύπου flash NAND, οι SSD ευρείας κατανάλωσης, όπως η 960 PRO 2 TB (M.2 NVMe SSD) και η Τ3 2 TB (φορητή SSD) βοήθησαν την αγορά να στραφεί σε λύσεις αποθήκευσης καταναλωτών υψηλότερης πυκνότητας. Η BGA NVMe SSD 512 GB ενσωματώνει όλα τα απαραίτητα στοιχεία SSD σε μια ενιαία συσκευασία ενός γραμμαρίου, που επιτρέπει τη μεγιστοποίηση της ευελιξίας κατά το σχεδιασμό υπολογιστικών συσκευών. Το 2017, ανταποκριθήκαμε ενεργά στις ευρύτερες ανάγκες της αγοράς από υπηρεσίες κινητής τηλεφωνίας, υπολογιστών, επιχειρήσεων και cloud έως επαυξημένη πραγματικότητα (AR), εικονική πραγματικότητα (VR) και εφαρμογές της αυτοκινητοβιομηχανίας. Γι’ αυτό το σκοπό, σχεδιάζουμε να εισαγάγουμε μια πιο εκτεταμένη σειρά προηγμένων προϊόντων μνήμης που προσφέρουν ασύγκριτα επίπεδα απόδοσης και χωρητικότητας, όπως οι τελευταίες SSDτελευταίας τεχνολογίας V-NAND 64 στρωμάτων για εφαρμογές καταναλωτών και επιχειρήσεων, εξαιρετικά πρακτικές eUFS και Z-SSD υψηλής ταχύτητας. Θα συνεχίσουμε επίσης τις εξελίξεις μας στην τεχνολογία επεξεργασίας 10 νανομέτρων για λύσεις DRAM και τεχνολογίες V-NAND για να διατηρήσουμε την ηγεσία μας και να συμβάλουμε στην ανάπτυξη της παγκόσμιας αγοράς μνήμης.

Τομέας System LSI

Πρωτοποριακή καινοτομία στις ηλεκτρονικές συσκευές με ανταγωνιστική Ε&Α και πρωτοποριακή τεχνολογία επεξεργασίας.
 

Ο τομέας μας System LSI επικεντρώνει στην ανάπτυξη προϊόντων επόμενης γενιάς για την ενίσχυση του τεχνολογικού ανταγωνιστικού πλεονεκτήματός μας στον τομέα fabless και την εδραίωση της θέσης μας στην παγκόσμια αγορά. Το 2016, ο τομέας System LSI παρουσίασε μια ολοκληρωμένη κινητή σειρά System-on-Chip (SoC) με τεχνολογία επεξεργασίας FinFET14 νανομέτρων, από Exynos 8 Octa για κινητές συσκευές υψηλής ποιότητας και Exynos 7 Quad, μια λύση με ενσωματωμένη πλήρη συνδεσιμότητα για συσκευές βασικής κατηγορίας, έως Exynos 7 Dual, που ήταν το πρώτο SoC για φορετά στα 14nm. Η εταιρεία εισήγαγε επίσης τον αισθητήρα εικόνας Dual-Pixel που παράγει αυτόματη εστίαση ανίχνευσης φάσης επιπέδου κάμερας DSLR σε μια κινητή πλατφόρμα για να προσφέρει στους χρήστες των συσκευών γρήγορη λήψη φωτογραφιών και κορυφαία ποιότητα εικόνας, ακόμη και σε περιβάλλοντα χαμηλού φωτισμού. Το 2017, ο τομέας μας System LSI αναμένεται να λειτουργήσει καταλυτικά στην ανάπτυξη καινοτόμων προϊόντων, όπως τα smartphones επόμενης γενιάς, οι συσκευές VR και AR με την τελευταία τεχνολογία Exynos 9 που βασίζεται σε FinFET 10 nm. Η κορυφαία προτεραιότητα για τον τομέα System LSI στα επόμενα χρόνια θα είναι η προώθηση του επιχειρηματικού χαρτοφυλακίου με την ανάπτυξη ισχυρότερων δυνατοτήτων βασικού σχεδιασμού σε διάφορους τομείς: μόντεμ 5G, αισθητήρες εικόνας επόμενης γενιάς και ολοκληρωμένα συστήματα διαχείρισης ισχύος (PMIC), σε συνδυασμό με τους σημερινούς εμβληματικούς τομείς.

Μονάδα χυτηρίου

Παρέχοντας μια πλήρη σειρά λύσεων χυτηρίου, από προηγμένη τεχνολογία επεξεργασίας έως μια αποδεδειγμένη IP και οικοσύστημα σχεδιασμού.

 

Τον Ιανουάριο του 2016, η μονάδα χυτηρίου της Samsung απέδειξε με επιτυχία τη συνεχή τεχνολογική ηγεσία της με τη μαζική παραγωγή 2ης γενιάς κινητών SoCs (System-on-Chips)FinFET 14 νανομέτρων. Ο τομέας χυτηρίου άρχισε επίσης τη μαζική παραγωγή του πρώτου κινητού SoC της βιομηχανίας με τεχνολογία επεξεργασίας FinFET 10 nm τον Οκτώβριο του 2016. Με βάση αυτήν την τεχνολογική υπεροχή, επεκτείνουμε τη στρατηγική συνεργασία του χυτηρίου μας με κορυφαίους πελάτες παγκοσμίως και παρέχουμε κινητά SoC επόμενης γενιάς που τροφοδοτούν μια μεγάλη ποικιλία προηγμένων κινητών συσκευών και προϊόντων IoT. Από την ίδρυσή του το 2005, ο τομέας χυτηρίου της Samsung προσφέρει βελτιστοποιημένα προϊόντα και υπηρεσίες στους πελάτες. Τον Μάιο του 2017, η μονάδα του τομέα χυτηρίου διαχωρίστηκε από τον τομέα System LSI με στόχο την ενίσχυση της επιχειρηματικής του εμπειρίας και την επιτάχυνση της ανάπτυξης της παρουσίας της στην αγορά. Ο τομέας χυτηρίου σχεδιάζει να ξεκινήσει επεξεργασία μαζικής παραγωγής 2ης γενιάς FinFET 10 nm μέχρι το τέλος του 2017 και θα επεκτείνει τις δυνατότητες παραγωγής 10nm ώστε να ανταποκριθεί στην αυξανόμενη ζήτηση. Επιπλέον, θα συνεχίσει την έγκαιρη ανάπτυξη τεχνολογιών αιχμής, όπως οι κόμβοι σχεδιασμού επόμενης γενιάς πέραν των 8 nm και των 18 nm FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator), με στόχο την καλύτερη κάλυψη των αναγκών των πελατών για λογικές λύσεις.