H Samsung Ανακοινώνει Mobile DRAM Ύψιστης Χωρητικότητας για Smartphones Επόμενης Γενιάς

14 Μαρ. 2019

Η νέα μνήμη 12GB LPDDR4X προστίθεται στην 512GB eUFS επιτρέποντας απρόσκοπτη εμπειρία χρήσης σε smartphones με πολλαπλές κάμερες, 2Χ μέγεθος οθόνης, και λειτουργίες ΑΙ και 5G

Mobile DRAM
Mobile DRAM Mobile DRAM

Αθήνα—14 Μαρτίου 2019 — Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε την μαζική παραγωγή της mobile DRAM με την ύψιστη χωρητικότητα. Η νέα mobile DRAM είναι η πρώτη 4Χ στη βιομηχανία με μέγεθος 12-gigabyte (GB), χαμηλής ισχύος, με διπλή ταχύτητα δεδομένων (LPDDR4X)- βελτιστοποιημένη για τα premium smartphones του αύριο. Με υψηλότερη χωρητικότητα από τα περισσότερα πολύ λεπτά notebooks, η νέα mobile DRAM θα επιτρέψει στους χρήστες να αξιοποιήσουν στο έπακρο όλες τις λειτουργίες ενός smartphone επόμενης γενιάς.

«Με την έναρξη μαζικής παραγωγής της νέας LPDDR4X, η Samsung ολοκληρώνει μια πλήρη σειρά προϊόντων προηγμένης μνήμης που θα ενισχύσουν την νέα εποχή των smartphones, που περιλαμβάνει λύσεις αποθήκευσης από 12GB mobile DRAM μέχρι 512GB eUFS 3» δήλωσε ο Sewon Chun, Executive Vice President of Memory Marketing της Samsung Electronics. «Επιπλέον, με την LPDDR4X, ενδυναμώνουμε τη θέση μας ως κατασκευαστής premium mobile μνήμης με στόχο την αποτελεσματική εξυπηρέτηση της ραγδαίας αυξανόμενης ζήτησης των κατασκευαστών smartphone διεθνώς».

Χάρη στην 12GB mobile DRAM, οι κατασκευαστές smartphones μπορούν να μεγιστοποιήσουν τις δυνατότητες των συσκευών που διαθέτουν περισσότερες από πέντε κάμερες, συνεχώς αυξανόμενο μέγεθος οθόνης καθώς και λειτουργίες τεχνητής νοημοσύνης (ΑΙ) και 5G. Με την νέα 12GB DRAM οι χρήστες των smartphones μπορούν να εκτελούν πολλές εργασίες ταυτόχρονα και απρόσκοπτα, να αναζητούν ταχύτερα, να πλοηγούνται αβίαστα μεταξύ πολυάριθμων εφαρμογών, σε πολύ μεγάλες οθόνες υψηλότερης ανάλυσης. Επίσης, ο λεπτός σχεδιασμός της (μόλις 1.1 χιλιοστά) εξυπηρετεί το κομψό, λιτό design των smartphones.

Η χωρητικότητα 12GB επετεύχθη με τον συνδυασμό έξι (6) LPDDR4X τσιπ, 16-gigabit έκαστο, με βάση την επεξεργασία δεύτερης γενιάς της τάξεως 10nm (1y-nm), σε μια μόνο συσκευασία, απελευθερώνοντας περισσότερο χώρο για την μπαταρία του smartphone. Επιπρόσθετα, χρησιμοποιώντας την τεχνολογία 1y-nm της Samsung, η νέα 12GB mobile μνήμη εξασφαλίζει ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων που φτάνει τα 34.1GB ανά δευτερόλεπτο, ενώ μειώνει την αναπόφευκτη αύξηση κατανάλωσης ενέργειας που προκαλείται από την ενίσχυση της DRAM χωρητικότητας. 

Από την κυκλοφορία της 1GB mobile DRAM το 2011, η Samsung συνεχίζει να οδηγεί τις εξελίξεις στην αγορά mobile DRAM, με την παρουσίαση της 6GB mobile DRAM το 2015, της 8GB το 2016 και την παρουσίαση της πρώτης 12GB LPDDR4X. Από την υπερσύγχρονη γραμμή παραγωγής μνήμης στην Κορέα, η Samsung σχεδιάζει να υπερτριπλασιάσει την προσφορά 8GB και 12GB mobile DRAM που βασίζονται σε 1y-nm, το δεύτερο εξάμηνο του 2019 για να καλύψει την αναμενόμενη μεγάλη ζήτηση.

# # #

Σχετικά με τη Samsung Electronics Co., Ltd.

Η Samsung Electronics Co, Ltd. εμπνέει τον κόσμο και διαμορφώνει το μέλλον με ανατρεπτικές ιδέες και τεχνολογίες, επαναπροσδιορίζοντας τον κόσμο των τηλεοράσεων, smartphones, wearable συσκευών, tablets, οικιακών συσκευών, συστημάτων δικτύου, μνήμης, συστημάτων LSI και LED λύσεων. Για περισσότερες πληροφορίες, επισκεφθείτε το επίσημο site μας στο www.samsung.com/gr και το Samsung Newsroom στο https://news.samsung.com/global/.

[Παραπομπή] Χρονοδιάγραμμα Παραγωγής Samsung Mobile DRAM: Μαζική Παραγωγή

Ημερομηνία

Χωρητικότητα

Mobile DRAM

Φεβ. 2019

12GB

1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

Ιούλ. 2018

8GB

1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

Απρ. 2018

8GB (development)

1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s

Σεπτ. 2016

8GB

1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

Αυγ. 2015

6GB

20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s

Δεκ. 2014

4GB

20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s

Σεπτ. 2014

3GB

20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s

Νοέμ. 2013

3GB

2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s

Ιούλ. 2013

3GB

2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s

Απρ. 2013

2GB

2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s

Αυγ. 2012

2GB

30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s

2011

1/2GB

30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s

2010

512MB

40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s

2009

256MB

50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s

 

ΛΙΣΤΑ ΚΑΜΙΑ ΠΡΟΗΓΟΥΜΕΝΗ ΣΕΛΙΔΑ ΕΠΟΜΕΝΟ