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Il nuovo capitolo del Digital Data Storage: la tecnologia V-NAND SSD

01-11-2017

Prima dell’introduzione della tecnologia V-NAND, la quantità di memoria negli SSD veniva incrementata comprimendo più celle in un piano limitato a due dimensioni. Poiché collocare le celle troppo vicine tra loro può comprometterne l’affidabilità, questo nuovo approccio, invece, le posiziona tridimensionalmente su più livelli. In senso figurato, si può immaginare un palazzo nel quale anziché costruire un numero elevato di stanze sullo stesso piano, si incrementi lo spazio costruendo piani superiori. Questa architettura a strati riduce i problemi legati alla riduzione litografica della NAND e rende possibile per le imprese adottare soluzioni SSD con capacità superiori e tempi di risposta più veloci.
Grazie al posizionamento su più strati, Samsung ha aggiunto nuova profondità alla tecnologia delle memorie a semiconduttori. Questa innovazione non solo accelera gli sviluppi nel cloud computing, nell’analisi in real-time e nelle reti di big data, ma incentiva i progressi nell’era dell’Internet of Things, nella quale immense quantità di dati dovranno essere processati e trasferiti più rapidamente che mai.