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TECNOLOGIA V-NAND

01-11-2017
Un nuovo standard di potenza e prestazioni.

L’espansione verticale sfonda il limite orizzontale.
L’espansione verticale sfonda il limite orizzontale.

Samsung ha rivoluzionato il settore dello storage passando dal classico NAND planare a una struttura verticale . La tecnologia V-NAND di Samsung presenta un esclusivo design che impila 48 strati uno sopra l'altro, anziché cercare di ridurre le dimensioni dello spazio occupato dalle celle . Samsung ha utilizzato la Tecnologia Channel Hole ( CHT ) per permettere alle celle di collegarsi verticalmente attraverso un canale cilindrico che le attraversa.

Innovazione dei materiali ineguagliabile.
Innovazione dei materiali ineguagliabile.

Samsung sposta il paradigma del materiale utilizzato tradizionalmente per la tecnologia NAND applicando l'innovativa tecnologia CTF, che utilizza uno strato non conduttivo di nitruro di silicio ( SiN ) , intrappolando temporaneamente cariche elettriche per mantenere l'integrità delle celle .

Questo strato non conduttivo avvolge il control gate della cella e agisce come un isolante che trattiene la carica per prevenire la corruzione dei dati causata da interferenze cell-to-cell.

L’architettura verticale apre la strada per una capacità amplificata.
L’architettura verticale apre la strada per una capacità amplificata.

La stratificazione verticale delle celle in pile tridimensionali fornisce una maggiore densità. La tecnologia V- NAND di Samsung permette agli utenti e ai data center di gestire pesanti carichi di lavoro e di archiviare con una potenza notevolmente migliorata.

Samsung V-NAND consente di impilare fino a 100 strati di celle con un potenziale di densità scalare fino a 1 Terabit . La tradizionale NAND planare 2D può raggiungere al massimo la densità minima di V-NAND .

Algoritmi innovativi garantiscono prestazioni più veloci.
Algoritmi innovativi garantiscono prestazioni più veloci.

La tradizionale memoria NAND planare richiede la creazione di una serie di programmi di algoritmi complessi per prevenire la corruzione dei dati, causata da interferenze cell-to-cell . Tuttavia, Samsung V-NAND è praticamente immune alle interferenze cell-to-cell.

V-NAND non ha bisogno di un programma di algoritmo complesso per scrivere i dati e questo permette alla memoria di scrivere con una velocità fino a due volte superiore della memoria flash NAND planare 2D tradizionale .

Efficienza energetica senza precedenti.
Efficienza energetica senza precedenti.

Poiché la tecnologia V-NAND ha eliminato il problema dell'interferenza cell-to-cell , le sue fasi di programmazione sono notevolmente ridotte . Di conseguenza, il consumo di energia è sostanzialmente diminuito fino al 45 percento rispetto alla memoria NAND planare .

Alta affidabilità per memorizzare i vostri dati.
Alta affidabilità per memorizzare i vostri dati.

Samsung V-NAND fornisce fino a due volte la resistenza garantita da una tecnologia NAND planare. V-NAND diminuisce, infatti, il suo campo elettrico perché le sue celle sono leggermente più grandi, e impiega isolanti basati CTF eliminando il rischio di interferenza cell-to-cell, garantendo cosi prestazioni superiori.