Аппараттық шешімдер

Мүмкіндік

АТ шешімдерінің үздіксіз жұмысын қамтамасыз ету үшін, электрондық құрылғылардың толық ретінің ішкі механизмдері максималды тиімділікті, сенімділікті және ұзақтылықты қамтамасыз етуге әрекет жасаймыз

Основное рекламное изображение, символизирующее аппаратные решения в разделе бизнеса

Samsung Electronics компаниясы тамаша технологиялар мен біршама үнемділікті ұсына отырып, есте сақтау құрылғылары нарығында көшбасшылығын кеңейтеді. Бұның барлығы болашаққа керемет әлеуеттер құрады. Біз жоғары табысты сараланған өнімдер (әсіресе, мобильді құрылғылар) өндірісін кеңейтудеміз және жаңа буындық өнімдерді әзірлеу арқылы бір уақытта түрлендіруді жетілдірудеміз. Автоматты өндірістің сенсорлары мен суреттердің байланыс сенсорларына сұраныстың артуымен біздің жүйелік жартылай өткізгіштер (System LSI) өндірісі бойынша бөлімше қарқынды дамиды және біз үнемділік көшбасшылығын сақтаймыз әрі бұл нарыққа келесі буындық өнімдерді жылдамырақ шығаруға мүмкіндік береді.

Жады құрылғысы

Әлемдегі ең жоғары өнімділікті, заманауи, экологиялық жады ыңғайлы болашақты құруға өз үлесін қосады.
Изображение, символизирующее производство устройств памяти

Біз 1993 жылдан бастап әлемдік АТ нарығы өсіміне мүмкіндік беру және шексіз бәсекеге қабілетті артықшылық құру арқылы әлемдегі жартылай өткізгіш жады құрылғылары нарығында өзгермейтін көшбасшылықты сақтаймыз. Біз 2016 жылы салаға бірнеше ерекше өнім бере отырып, жартылай өткізгіш жады құрылғылары технологиялары мүмкіндіктерін кеңейтеміз. Осылайша, 16 ГБ 10-кластағы LPDDR4 DRAM микросхемаларында озық смартфондар мен планшеттерге арналған 8 ГБ DRAM мобильді жадыға қолдау көрсетіледі. 256 ГБ сыйымдылықты V-NAND 48 қабатты технологиясы негізіндегі 15,36 ТБ сыйымдылықты SAS SSD қатты тасушысы саладағы ең үлкен корпоративтік клиенттерге арналған сақтау орнын береді. Сонымен қатар, нарыққа революциялық DRAM және NAND флэш-шешімін шығару арқылы жетілдірілген жады сегментінің өсімін жетілдірдік. Оның құрамына кіретін 8 ГБ сыйымдылықты HBM2 DRAM жады модулі және 8 ГБ сыйымдылықты LPDDR4/4X DRAM мобильді жадысы жаңа буындық мобильді және графикалық қолданбаларға қажет ерекше жоғары жылдамдықты және өткізу мүмкіндігін қамтамасыз етеді. 2 ТБ сыйымдылықты 960 PRO (M.2 NVMe SSD) және 2 ТБ сыйымдылықты T3 (тасымал SSD тасушысы) сияқты тұтынушы класындағы NAND SSD тасушысының флэш-жадысы нарықты үлкен тығыздықты тұтынушылық сақтау шешіміне өткізуге көмектеседі. 512 ГБ сыйымдылықты BGA NVMe SSD тасушысында есептеу құрылғысын жобалау кезінде максималды иілгіштікті қамтамасыз ететін, салмағы 1 грамм модуліндегі барлық қажетті SSD құрамдастары бар. Біз 2017 жылы мобильді құрылғылар, компьютерлер, корпоративтік технологиялар, бұлт қызметтері, толықтырылған және виртуалды шынайылық технологиялары мен автокөлік шешіміне сұраныстың өсімін дәл болжай алдық. Осылайша, біз теңдесі жоқ өнімділікті және сыйымдылықты, жады жетілдірілген өнімдердің кең желісін ендіруді жоспарлап жатырмыз. Оның ішінде, тұтынушылық және корпоративтік сценарийлерге арналған V-NAND негізіндегі жаңа SSD тасушылары, eUFS өте ықшам тасушылары және жоғары жылдамдықты Z-SSD. Сонымен қатар, глобалдық жад нарығын дамыту көшбасшылығы мен қабілетін сақтау үшін, жаңа буындық DRAM шешімдері мен V-NAND технологияларына арналған 10 нм класты микросхемаларды өндіру процестері саласында әзірлеу жұмыстарын жалғастырудамыз.

Жүйелік жартылай өткізгіштер өндірісі

Бәсекеге қабілетті зерттеулер мен әзірлеулер арқасында электрондық құрылғылар өндірісінде және технологиялық пионерлікте көшбасшылыққа ие болдық.
Изображение, символизирующее производство системных полупроводников

Жеке өндіріс қуаттарынсыз әзірлеуші компанияларға арналған өндіріс саласында технологиялық бәсекеге қабілетті артықшылықты күшейту және глобалдық нарықта орындарымызды нығайту үшін, жүйелік жартылай өткізгіштерді өндіру саласында жаңа буындық өнімдерді әзірлеуге ерекше назар бөлеміз. 2016 жылы жүйелік жартылай өткізгіштер өндірісіндегі бөлімше 14 нм класындағы FinFET технологиясы бар мобильді бір кристалды жүйелердің толық тізбегін шығарды, оның ішінде премиум кластағы мобильді құрылғыларға арналған Exynos 8 Octa, бастапқы деңгейдегі құрылғыларға арналған толығымен қосылатын Exynos 7 Quad және тасымал құрылғыларға арналған 14 нм класындағы бір класты жүйелер саласындағы бірінші Exynos 7 Dual. Сонымен қатар, компания тіпті төмен жарықтанған жағдайларда пайдаланушыларға фотосуретке жылдам түсіру және жоғары сурет сапасы функцияларын ұсынатын, мобильді платформадағы DSLR камерасының фазасезгіш автофокус деңгейіндегі Dual-Pixel кескін датчигін көрсетті. 2017 жылы біздің жүйелік жартылай өткізгіштер бөлімшесі инновациялық өнімдерді жаю жұмысын жеделдетеді деп күтіледі, оның ішінде жаңа буындық смартфондар, 10 нм кластағы FinFET технологиясына негізделген жаңа Exynos 9 бір кристалды жүйесі арқасында виртуалды және толықтырылған шынайылық құрылғысы. Бұл бөлімшенің алдағы жылдардағы негізгі артықшылығы - негізгі бизнес бағыттарына қоса, 5G модемдері, жаңа буындық кескін датчиктері, қуатты басқару ИС (PMIC) сияқты әр түрлі секторлардағы бәсекеге қабілетті конструкторлық мүмкіндіктерді жасау арқылы жеке бизнес-портфелін дамыту.

Микроэлектрондық құралдардың келісімшарттық өндірісі

Біз келісімшарттық микроэлектрондық өндіріс (фаундри) шешімдерінің толық ауқымын ұсынамыз— озық операциялық технологиялардан интеллектуалдық меншіктер мен дизайнның тексерілген экожүйелеріне дейін.

Изображение, символизирующее микроэлектронное производство

Samsung микроэлектрондық өндірісі 2016 жылы екінші буындық 14 нм кластағы FinFET технологиясы бар мобильді бір кристалды жүйелерді жаппай шығарып, өзінің өзгермейтін технологиялық көшбасшылығын дәлелдеді. Сонымен қатар, 2016 жылы 10 нм кластағы FinFET технологиясы бар мобильді бір кристалды жүйелер саласында алғашқы жаппай өндіріс басталды. Біз осындай технологиялық кешенділік арқылы микроэлектрондық өндіріс саласындағы жетекші глобалдық клиенттермен стратегиялық серіктестікті кеңейтудеміз және озық мобильді құрылғылар мен IoT өнімдерінің кең ауқымы жұмыс істейтін мобильді бір кристалды жүйелерді ұсынамыз. Өзінің негізі қаланған сәтінен бастап 2005 жылы Samsung микроэлектрондық өндіріс бөлімшесі клиенттерге оңтайландырылған өнімдер мен қызметтерді ұсынады. 2017 жылдың мамыр айында микроэлектрондық өндіріс бөлімшесі өз саласында жеке тәжірибесін нығайту және нарыққа қатынасын жеделдету арқылы жүйелік жартылай өткізгіштер өндірісінен бөлінді. 2017 жылдың аяғында микроэлектрондық өндіріс бөлімшесі 2-буындық 10 нм кластағы FinFET микросхемасын жаппай өндірісін бастауды және өсіп келе жатқан сұранысқа қоса өндірістік қуатты кеңейтуді жоспарлайды. Одан кейін бөлімше логикалық шешімдерде клиенттер тұтынушыларын жетілдіру үшін, 8 және 18 нм FD-SOI (изолятардағы толығымен біріккен кремний, КНИ) құралдарымен қатар жаңа буындық дизайнды тораптармен қоса озық технологияларды уақытылы әзірлеуді жалғастырады.