Rešenja za razvoj uređaja

Mogućnost

Osiguravajući da vaša IT rešenja rade nesmetano, mi se staramo da radne komponente celokupnog opsega elektronskih uređaja budu projektovane tako da pruže maksimalne performanse, pozdanost i dugotrajnost

 

Samsung Electronics širi svoju lidersku poziciju na tržištu memorije demonstracijom superiorne tehnologije i drastičnim uštedama troškova. To stvara uzbudljive perspektive. Mi širimo svoje visokoprofitabilne diferencirane proizvode, uglavnom za mobilne uređaje i ubrzanje konverzije procesa dok se takođe fokusiramo na razvoj proizvoda naredne generacije. Uz podršku veće potražnje za AP i CIS senzorima, naše odeljenje za LSI sistem beleži snažan rast i smanjenje troškova, što nam omogućava da brže predstavljamo proizvode naredne generacije.

Odeljenje za proizvodnju memorije

Stvaramo jednostavniji svet kroz ekološku memoriju najviše klase sa najboljim performansama na svetu.
Slika koja predstavlja odeljenje za proizvodnju memorije

Od 1993. godine čvrsto uspostavljamo našu poziciju broj jedan na globalnom tržištu poluprovodnika za memorije dok doprinosimo ukupnom rastu globalnog IT tržišta i gradimo konkurentnu prednost bez premca. U 2016. godini pomerili smo granice tehnologije poluprovodnika za memorije još dalje tako što smo predstavili niz proizvoda bez premca u industriji: 10-nanometarska klasa LPDDR4 DRAM čipova od 16 GB i mobilni DRAM paket od 8 GB za smart telefone i tablete visoke klase, kao i SAS SSD kapaciteta 15,36 TB zasnovan na 48-slojnoj V-NAND tehnologiji kapaciteta 256 GB koja donosi najveći kapacitet za skladištenje u industriji za vodeće poslovne korisnike. Takođe, dalje ubrzavamo rast segmenta napredne memorije tako što predstavljamo vrhunska DRAM i NAND rešenja zasnovana na fleš memoriji na tržištu. Među njima, HBM2 DRAM kapaciteta 8 GB LPDDR4/4X i DRAM memorija kapaciteta 8 GB nude izuzetno visoke brzine i propusni opseg potrebne za grafičke i mobilne aplikacije naredne generacije. U sektoru NAND fleš memorije, potrošački SSD diskovi, kao što je 960 PRO kapaciteta 2 TB (M.2 NVMe SSD) T3 (prenosivi SSD) kapaciteta 2 TB pomažu da se tržište kreće prema rešenjima potrošačkih uređaja za skladištenje većih gustina. BGA NVMe SSD kapaciteta 512 GB integriše sve osnovne SSD komponente u pojedinačnom pakovanju težine jednog grama, što omogućava povećanu fleksibilnost prilikom projektovanja računarskih uređaja. U 2017. godini proaktivno smo reagovali na šire potrebe tržišta, od mobilnih, računarskih, poslovnih i cloud usluga do izmenjene stvarnosti (AR), virtuelne realnosti (VR) i automobilskih aplikacija. U tom pogledu planiramo da predstavimo opširniju liniju naprednih memorijskih proizvoda koji pružaju performanse i kapacitet bez premca, uključujući najnovije 64-slojne V-NAND SSD diskove za potrošačke i poslovne primene, ultra kompaktne eUFS-ove i Z-SSD diskove visoke brzine. Takođe ćemo nastaviti sa razvojem tehnologije 10-nanometarskog procesa za DRAM rešenja i tehnologija V-NAND naredne generacije da bismo održali liderski položaj i doprineli rastu globalnog tržišta memorija.

Odeljenje za LSI sisteme

Vodeća inovacija u oblasti elektronskih uređaja sa konkurentnom tehnologijom istraživanja i razvoja i procesa pionirskog istraživanja.
Slika koja predstavlja odeljenje za LSI sisteme

Naše odeljenje za LSI sisteme fokusira se na razvoj proizvoda naredne generacije koji će osnažiti našu tehnološku prednost u segmentu angažovanja spoljašnjih proizvođača čipova i u učvršćivanju našeg položaja na globalnom tržištu. U 2016. godini odeljenje za LSI sisteme nudilo je kompletnu liniju mobilnih rešenja System-on-Chip (SoC) sa 14-nanometarskom (nm) FinFET procesnom tehnologijom, uključujući Exynos 8 Octa za premijum mobilne uređaje, Exynos 7 Quad, rešenje sa integrisanom potpunom vezom za uređaje niže klase, sve do Exynos 7 Dual, koji je bio prvo SoC rešenje za nosive uređaje u tehnologiji od 14 nm. Kompanija je takođe predstavila Dual-Pixel senzor za snimanje koji omogućava autofokus sa detekcijom faze poput DSLR foto-aparata na mobilnoj platformi da bi se korisnicima uređaja pružila mogućnost brzog snimanja fotografija i vrhunski kvalitet slike, čak i u uslovima slabog osvetljenja. U 2017. godini očekuje se da naše odeljenje za LSI sisteme omogući razvoj inovativnih proizvoda, kao što su smart telefoni naredne generacije, VR i AR uređaji koji koriste najnoviji Exynos 9 čip zasnovan na 10-nanomeatskom FinFET proizvodnom procesu. Najveći prioritet odeljenja za LSI sisteme tokom predstojećih godina biće razvoj poslovnog portfelja putem izgradnje snažnijih mogućnosti osnovnog dizajna u različitim sektorima – 5G modem, senzori za snimanje naredne generacije i integrisana kola za upravljanje napajanjem (PMIC) – pored postojećih glavnih oblasti poslovanja.

Odeljenje za proizvodnju poluprovodnika

Sa celokupnim asortimanom poluprovodničkih rešenja, od naprednih tehnoloških procesa do dokazanih IP i ekosistema dizajna.

Slika koja predstavlja odeljenje za proizvodnju poluprovodnika

U januaru 2016. godine odeljenje za proizvodnju poluprovodnika kompanije Samsung uspešno je demonstriralo svoje neprekidno liderstvo u oblasti tehnologije tako što je pokrenulo masovnu proizvodnju druge generacije 14-nanometarskog (nm) FinFET mobilnog SoCs (System-on-Chips). Odeljenje za proizvodnju poluprovodnika je takođe započelo masovnu proizvodnju prvog mobilnog SoC-a u ovoj oblasti koristeći 10-nanometarsku FinFET tehnologiju proizvodnog procesa u oktobru 2016. Na osnovu takve tehnološke snage, mi širimo našu stratešku saradnju u oblasti proizvodnje poluprovodnika sa vodećim globalnim korisnicima i nudimo mobilne SoC-eve naredne generacije koji pokreću niz naprednih mobilnih uređaja i IoT proizvoda. Od osnivanja 2005. godine, odeljenje za proizvodnju poluprovodnika kompanije Samsung nudi optimizovane proizvode i usluge svojim korisnicima. U maju 2017. godine jedinica za proizvodnju poluprovodnika odvojena je od odeljenja za LSI sisteme sa ciljem ojačanja poslovne stručnosti i ubrzanja rasta njenog prisustva na tržištu. Odeljenje za proizvodnju poluprovodnika planira da pokrene masovnu proizvodnju druge generacije 10-nanometarskog FinFET procesa do kraja 2017. godine i proširiće kapacitet za 10-nanometarsku proizvodnju da bi odgovorilo na povećanu tražnju. Pored toga, odeljenje će nastaviti sa blagovremenim razvojima vrhunskih tehnologija, uključujući dizajne naredne generacije naprednije od FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) 8 nm i 18 nm kako bi bolje zadovoljilo potrebe korisnika za logičkim rešenjima.