三星推出 1TB 内嵌式通用闪存存储的正面和背面

韩国首尔—2019 年 1 月 30 日—内存技术公司三星电子今日宣布，该公司已开始量产 1TB 内嵌式通用闪存存储 (UFS) 2.1，用于下一代移动应用程序。在推出其 UFS 解决方案——128 GB 内嵌式通用闪存存储——仅四年之后，三星跨越了业界渴望已久的智能手机存储兆兆字节门槛。智能手机支持者们将很快体验到可与较优质笔记本电脑相媲美的存储能力，而无需将其手机与额外的内存卡进行配对。 “1TB 内嵌式通用闪存存储将起到较为关键的作用，为下一代移动设备提供更类似于笔记本电脑的用户体验。”三星电子公司内存销售与市场营销执行副总裁崔义哲 (Cheol Choi) 说，“此外，三星致力于确保可靠的供应链和充足的产量，以支持今后旗舰手机的及时发布，加速全球手机市场发展。” 在相同尺寸的封装 (11.5mm x 13.0mm) 内，相比于过去的 512GB 版本容量，1TB 内嵌式通用闪存存储解决方案将 16 层堆叠的三星 512Gb V-NAND 快闪存储器和新开发的专有调控器组合在一起，使其容量有所大大提高。智能手机用户现在可存储 260 个 10 分钟的 4K UHD (3840x2160) 格式的视频，而目前许多较高端智能手机中广泛使用的 64GB 内嵌式通用闪存存储仅能够存储 13 个相同大小的视频。 1TB 内嵌式通用闪存存储在速度方面同样表现较为卓越，允许用户在较短的时间内传输大量多媒体内容。新款内嵌式通用闪存存储的速度可达 1000 MB/s，相比于传统 2.5 英寸 SATA 固态硬盘 (SSD)，其连续读取速度更快。这意味着，用户仅需五秒钟即可将一部 5GB 大小的完整高清视频下载到 NVMe 固态硬盘中，与典型 microSD 卡相比，其速度更快。此外，相比于 512GB 版本，其随机读取速度也有所提高，可达 58,000 IOPS。相比于高性能 microSD (100 IOPS) 卡，随机写入速度更快，可达 50,000 IOPS。其随机速度可实现以每秒钟 960 帧的速度进行较高速连续拍摄，确保智能手机用户能够充分利用现有及未来旗舰手机的多摄像头功能。 三星计划于 2019 年上半年在其位于韩国 平澤 (Pyeongtaek) 的工厂扩大其第五代 512 Gb V-NAND 的产量，全力应对全球移动设备制造商对 1TB 内嵌式通用闪存存储的强大需求。

三星电子株式会社简介

三星以变革性的想法和技术激发世界，创造未来。该公司正在重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统和内存、系统 LSI、晶圆代工和 LED 解决方案。有关最新资讯，请登录三星新闻中心 http://news.samsung.com。

* 参照 : 内藏存储器之间的性能比较

内存	连续 读取速度	连续 写入速度	随机 读取速度	随机 写入速度
三星 1TB UFS 2.1 (2019 年 1 月)	1000MB/s	260MB/s	58,000 IOPS	50,000 IOPS
三星 512GB UFS 2.1 (2017 年 11 月)	860MB/s	255MB/s	42,000 IOPS	40,000 IOPS
三星 UFS 2.1 用于汽车的 (2017 年 9 月)	850MB/s	150MB/s	45,000 IOPS	32,000 IOPS
三星 256GB UFS 卡 (2016 年 7 月)	530MB/s	170MB/s	40,000 IOPS	35,000 IOPS
三星 256GB UFS 2.0 (2016 年 2 月)	850MB/s	260MB/s	45,000 IOPS	40,000 IOPS
三星 128GB UFS 2.0 (2015 年 1 月)	350MB/s	150MB/s	19,000 IOPS	14,000 IOPS
eMMC 5.1	250MB/s	125MB/s	11,000 IOPS	13,000 IOPS
eMMC 5.0	250MB/s	90MB/s	7,000 IOPS	13,000 IOPS
eMMC 4.5	140MB/s	50MB/s	7,000 IOPS	2,000 IOPS