미래를 위한
새로운시작

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메모리 기반 기술이 발전함에 따라, 더 작은 크기의 고성능 반도체에 대한 업계 요구는 점차 확대되고 있습니다.
삼성은 DRAM 확장의 한계를 앞서 극복하고 차세대 메모리 기술을 선도하기 위해 EUV 첨단 프로세싱을 구현했습니다.

EUV 첨단 공정 기술은 기존 193 nm 보다 향상된 13.5 nm의 미세한 파장을 적용했습니다.
이를 통해 메모리는 동일한 크기 내에 더 많은 용량을 저장할 수 있어 향후 대용량 메모리에 대한 수요 증가를 충족시킬 수 있습니다.

멀티 패터닝에 비해, EUV는 싱글 패터닝을 적용하여 정밀도를 높이고 공정 시간을 단축할 수 있습니다.
이를 통해 기존 공정 대비 웨이퍼 생산효율을 향상할 수 있습니다.

삼성은 그 동안의 공정 기술 노하우와 앞선 EUV 기술 도입을 통해, 선단 공정에서의 품질을 조기에 개선했으며 신뢰성을 확보했습니다.
EUV 기술을 적용한 DRAM 제품은 품질과 기술 모두 인정 받고 있습니다.

삼성은 선진적인 EUV 공정 기술을 통해 DRAM 산업의 새로운 패러다임을 제시합니다.
또한, 끊임없는 혁신을 통해 차세대 메모리 제품을 위한 길을 개척하고 있습니다.