サムスン960 EVOとサムスンV-NANDが宇宙から地球に向かう画像

SSD 960 EVO

NVMe SSDをより身近に

NVMe SSDをより身近に

Samsung 960 EVO SSDを使用して、NVMe SSDのパフォーマンスをより身近に感じてください。960 EVOは、 Samsung V-NANDベースのアーキテクチャを採用しています。これにより、コンパクトなM.2フォームファクタで次世代のパフォーマンスを実現します。

Samsung Semiconductor JP Samsung V-NAND LOGO

ハイパフォーマンスをより手軽に

960 EVOは、SATA インターフェースよりも広帯域で低レイテンシのPCIe® Gen 3 x4レーンをサポートするNVMeネイティブのSSDです。 最大3,200/1,900 MB/sのシーケンシャルR/W (リード/ライト)速度と、最大380/360K IOPSのランダムR/W速度を体験できます*。また、新しいIntelligent Turbowrite テクノロジーが書き込み速度をさらに加速させます**。

*シーケンシャルのパフォーマンス測定値はCrystalDiskMark 5.0.2/IOmeter 1.1.0に基づき、ランダムのパフォーマンス測定値はIOmeter 1.1.0.Performanceに基づいています。これらの測定値は、SSDのファームウェアバージョン、システムのハードウェアおよび構成によって異なります。テストシステムの構成は次のとおりです。

インテル® Core i7-6700K CPU@4.0 GHz、DDR4 1700MHz 16GB、OS-Windows 10 Pro x64、チップセット-ASROCK Z170 EXTREME 7。

**シーケンシャルライトのパフォーマンス測定値はIntelligent TurboWriteテクノロジーに基づきます。Intelligent TurboWrite領域を適用した後のシーケンシャルライトのパフォーマンスは、300 MB/s(250GB)、600 MB/s(500GB)、および1200 MB/s(1TB)です。

確かな信頼性による安心感

優れたパフォーマンスというものは、速度だけで判断すべきではありません。パフォーマンスを維持できる期間も重要になります。960 EVOは、1TBモデルで最大400 TBまで書き込み保証値(TBW*)を引き上げることにより、パフォーマンスを維持します。また、ダイナミック サーマル ガードによって過熱を防ぎ、データを保護し、最適な応答性を実現します。さらに960EVOは3年間の限定保証でサポートされます**。

*TBW:書き込みテラバイト数 
**SSDのオーバーホール/アセンブリや、修理または交換の際のデータ復旧に関連する費用および経費は、Samsungの保証の対象外となります。

充実のドライブ管理ソフトウェア

新たにアップグレードされた高度なソフトウェアソリューションであるMagicianを使用して、960 EVOを管理、監視、および保守できます。Magicianは、個々のユーザーのドライブに合わせてパーソナライズされたファームウェアチェックなどの追加機能を提供します。ファームウェアのアップデートも自動的に行うため、ドライブのパフォーマンスを常に最新の状態に保つことができます。

スペック

  • Form Factor
  • M.2
  • Capacity
  • 250 GB, 500 GB, 1,000 GB
  • Sequential Read Speed
  • Max 3,200 MB/sec
  • Sequential Write Speed
  • Max 1,900 MB/sec
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MORE SPECS

Model Code (Capacity)1)

  • MZ-V6E250 (250 GB)

  • MZ-V6E500 (500 GB)

  • MZ-V6E1T0 (1,000 GB)

General Feature

  • Application

    Client PCs

  • FORM FACTOR

    M.2

  • INTERFACE

    PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2

  • DIMENSION (WxHxD)

    Max. 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)

  • WEIGHT

    250 GB: Max 7.7g
    500 GB: Max 8g
    1,000 GB: Max 8g

  • STORAGE MEMORY

    Samsung V-NAND

  • CONTROLLER

    Samsung Polaris controller

  • CACHE MEMORY

    512 MB Low Power DDR3 (250 GB, 500 GB)
    1 GB Low Power DDR3 (1,000 GB)

Special Feature

  • TRIM Support

    TRIM Supported

  • S.M.A.R.T Support

    S.M.A.R.T Supported

  • GC (GARBAGE COLLECTION)

    Auto Garbage Collection Algorithm

  • ENCRYPTION SUPPORT

    AES 256-bit for User Data Encryption,
    TCG Opal

  • WWN SUPPORT

    N/A

  • DEVICE SLEEP MODE SUPPORT

    5mW (L1.2)

Performance2)

  • SEQUENTIAL READ

    Up to 3,200 MB/sec

  • SEQUENTIAL WRITE

    250 GB: Up to 1,500 MB/sec
    500 GB: Up to 1,800 MB/sec
    1,000 GB: Up to 1,900 MB/sec

  • RANDOM READ (4KB, QD32)

    250 GB: Up to 330,000 IOPS (Thread 4)
    500 GB: Up to 330,000 IOPS (Thread 4)
    1,000 GB: Up to 380,000 IOPS (Thread 4)

  • RANDOM WRITE (4KB, QD32)

    250 GB: Up to 300,000 IOPS (Thread 4)
    500 GB: Up to 330,000 IOPS (Thread 4)
    1,000 GB: Up to 360,000 IOPS (Thread 4)

  • RANDOM READ (4KB, QD1)

    Up to 14,000 IOPS (Thread 1)

  • RANDOM WRITE (4KB, QD1)

    Up to 50,000 IOPS (Thread 1)

Environment

  • AVERAGE POWER CONSUMPTION
    (System Level)3)

    Typ. 5.3 Watts (250 GB)
    Typ. 5.4 Watts (500 GB)
    Typ. 5.7 Watts (1,000 GB)

  • POWER CONSUMPTION (IDLE)3)

    40mW

  • RELIABILITY (MTBF)

    1.5 Million Hours Reliability

  • OPERATING TEMPERATURE

    0°C to 70°C (Measured by SMART Temperature. Proper airflow recommended)

  • Shock

    1500G, duration 0.5m sec, 3 axis

Accessories

  • INSTALLATION KIT

    N/A

Software

  • MANAGEMENT SW

    Magician Software for SSD management

Warranty

  • MZ-V6E250 (250 GB)

    3 Years or 100 TBW

  • MZ-V6E500 (500 GB)

    3 Years or 200 TBW

  • MZ-V6E1T0 (1,000 GB)

    3 Years or 400 TBW

  • 1) 1 GB=1 Billionbyte by IDEMA. Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise).
  • 2) Performance may vary based on system hardware & configuration
  • 3) Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration

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