Samsung je začel proizvajati prvi 512-gigabajtni univerzalni bliskovni pomnilnik za naslednje generacije mobilnih naprav

06/12/2017

Samsung je postavil nove mobilne pomnilnike za ravnanje z vedno večjimi količinami večpredstavnostnih vsebin

Samsung 512 GB bliskovni disk

Seul, Koreja – 6. december 2017 – Samsung Electronics, svetovno vodilno podjetje na področju naprednih pomnilniških tehnologij, je danes napovedal pričetek množične proizvodnje prvega 512-gigabajtnega (GB) vgradljivega univerzalnega bliskovnega pomnilnika (embedded Universal Flash Storage - eUFS) za uporabo v mobilnih napravah naslednje generacije. Novi 512-gigabajtni eUFS paket z uporabo najnovejših 64-plastnih 512-gigabajtnih Samsung V-NAND čipov zagotavlja neprimerljivo zmogljivost pomnilnika in izjemne zmogljivosti za nove, napredne, pametne telefone in tablične računalnike.

“Novi Samsung 512-gigabajtni eUFS s premagovanjem potencialnih omejitev delovanja sistema, ki se lahko pojavijo pri uporabi kartic microSD ponuja najboljšo vgradljivo rešitev za shranjevanje za naslednje generacije pametnih telefonov,” je dejal Jaesoo Han, izvršni podpredsednik za prodajo in trženje pomnilnikov pri Samsung Electronics. “Samsung je z zgodnjo in stabilno ponudbo tega naprednega vgradljivega pomnilnika naredil velik korak naprej k pravočasni predstavitvi mobilnih naprav vseh mobilnih proizvajalcev po svetu.”

Novi Samsung 512-gigabajtni eUFS, ki je sestavljen iz osmih 64-plastnih 512-gigabajtnih V-NAND čipov, podvoji gostoto prejšnjega Samsung 48-plastnega V-NAND 256-gigabajtnega eUFS. Povečana zmogljivost shranjevanja eUFS bo zagotovila veliko boljšo mobilno izkušnjo. Na primer, novi visoko zmogljivi eUFS omogoča shranjevanje približno 130 4K Ultra HD (3840x2160) video posnetkov z 10-minutnim trajanjem*, kar je približno desetkrat več kot pri 64-gigabajtnem eUFS, ki omogoča shranjevanje le približno 13 video posnetkov enake velikosti.

Samsung je za povečanje zmogljivosti in energetske učinkovitost novega 512-gigabajtnega eUFS uvedel nov sklop lastnih tehnologij. 64-plastna 512-gigabajtna V-NAND oblika za napredno vezje in nova tehnologija za upravljanje porabe v krmilniku 512-gigabajtnega eUFS zmanjšata neizogibno povečanje porabe energije. To je pomembno izpostaviti, saj novi 512-gigabajtni eUFS vsebuje dvakrat več celic v primerjavi z 256-gigabajtnim eUFS. Poleg tega 512-gigabitni eUFS krmilniški čip pospeši proces razporejanja, saj naslove logičnih blokov spremeni v naslove fizičnih blokov.

Samsung 512-gigabajtni eUFS ima tudi močno zmogljivost branja in pisanja. S svojim zaporednim branjem in pisanjem doseže do 860 in 255 megabajtov na sekundo. 512 gigabajtov vgradljivega pomnilnika omogoča prenos HD video posnetka velikosti 5 gigabajtov v približno 6 sekundah, kar je osemkrat hitreje kot je to pri običajni kartici microSD.

Za naključne operacije lahko novi eUFS bere 42.000 IOPS in piše 40.000 IOPS. Novi eUFS z novimi hitrimi naključnimi zapisi, ki so približno 400-krat hitrejši od 100-kratne hitrosti IOPS običajne kartice microSD, uporabnikom omogoča brezskrbno uživanje v brezhibnih multimedijskih izkušnjah, kot so snemanje v visoki ločljivosti, iskanje datotek in prenos video posnetkov.

Samsung, poleg razširitve proizvodnje 256-gigabajtnih V-NAND čipov, namerava dolgoročno povečevati obseg proizvodnje svojih 64-plastnih 512-gigabajtnih V-NAND čipov. To bi moralo ustrezati povečanju povpraševanja po naprednem vgradljivem mobilnem pomnilniku, hkrati tudi za premijske SSD in snemljive pomnilniške kartice z veliko gostoto zapisa in zmogljivostjo.