Divízia Device Solutions

Možnosti

Robíme všetko pre to, aby vaše IT riešenia fungovali bezchybne a aby všetky elektronické zariadenia, ktoré používate, pracovali na maximálny výkon, maximálne spoľahlivo a čo najdlhšie

 

Spoločnosť Samsung Electronics posilňuje svoje vedúce postavenie na trhu pamäťových zariadení zavádzaním špičkových technológií a dramatickým znižovaním nákladov. To jej otvára nové príležitosti. Rozširujeme portfólio našich mimoriadne efektívnych a jedinečných produktov, najmä v oblasti mobilných zariadení, urýchľujeme premenu celého procesu a zároveň sa zameriavame na vývoj produktov novej generácie. Vďaka vyššiemu dopytu po snímačoch AP a CIS dosiahla naša divízia System LSI vysoký rast a zníženie nákladov, čo nám umožnilo ešte rýchlejšie uvádzať produkty novej generácie na trh.

Divízia Memory

Vytvárame jednoduchší svet výrobou špičkových ekologických pamätí s najvyšším výkonom na svete.
 

Od roku 1993 si udržiavame prvenstvo na globálnom trhu s polovodičovými pamäťami, zároveň prispievame k celkovému rastu celosvetového IT trhu a naďalej pokračujeme v posilňovaní svojej bezkonkurenčnej pozície. V roku 2016 sme posunuli možnosti technológie polovodičových pamätí ešte ďalej uvedením viacerých absolútne jedinečných produktov: 16 GB čipy LPDDR4 DRAM vyrobené 10-nanometrovou technológiou výroby, ktoré sa používajú v 8 GB DRAM pamätiach pre špičkové smartfóny a tablety, alebo disky SAS SSD s kapacitou 15,36 TB vyrobené na základe V-NAND technológie, pri ktorej sa bunky pamäte ukladajú do 48 vrstiev, čím vytvárajú 256 GB viacúrovňové bunky a poskytujú najvyššiu úložnú kapacitu na trhu pre popredných firemných zákazníkov. Uvedením nových riešení DRAM a NAND týkajúcich sa flash pamätí sme výrazne prispeli k ďalšiemu rastu segmentu pokročilých pamätí. Medzi nimi ponúkajú 8 GB HBM2 DRAM pamäte a 8 GB LPDDR4/4X DRAM pamäte pre mobilné zariadenia výnimočnú rýchlosť a šírku pásma, ktoré sú potrebné pre najnovšie mobilné aplikácie a na splnenie grafických nárokov ďalšej generácie. V sektore NAND flash pamätí pomohli komerčné disky SSD ako napríklad 2 TB 960 PRO (M.2 NVMe SSD) a 2 TB T3 (prenosný disk SSD) celému trhu posunúť sa vpred smerom k úložným médiám s vyššou hustotou. Disk BGA NVMe SSD s kapacitou 512 GB v sebe spája všetky hlavné komponenty technológie SSD do jedného kompaktného balíka a umožňuje zvýšiť flexibilitu pri návrhu a výrobe výpočtovej techniky. V roku 2017 sme proaktívne reagovali na požiadavky širšieho trhu týkajúce sa mobilných, desktopových, firemných a cloudových služieb v súvislosti s rozšírenou realitou (AR), virtuálnou realitou (VR) a automobilovým priemyslom. V blízkej budúcnosti plánujeme na trh uviesť ešte širší sortiment pokročilých pamäťových médií s bezkonkurenčným výkonom a kapacitou, vrátane 64-vrstvových diskov SSD vyrobených technológiou V-NAND pre spotrebiteľov a firemných zákazníkov, ultra kompaktných pamätí eUFS a vysokorýchlostných Z-SSD. Takisto budeme pokračovať v našom vývoji v súvislosti 10-nanometrovou technológiou výroby pre pamäte DRAM a vo vývoji ďalšej generácie technológie V-NAND, aby sme si udržali prvenstvo na trhu a prispeli k celkovému rastu globálneho trhu s pamäťami.

Divízia System LSI

Určujeme trendy v oblasti elektronických zariadení vďaka rozsiahlemu výskumu a vývoju a uvádzaniu nových inovatívnych výrobných technológií.
 

Naša divízia System LSI sa zameriava na vývoj ďalšej generácie produktov, čo posilňuje našu pozíciu na globálnom trhu a konkurenčnú technologickú výhodu v tzv. fabless segmente, čiže medzi firmami, ktoré neprevádzkujú vlastné výrobné závody. V roku 2016 divízia System LSI uviedla kompletný sortiment systémov SoC (System-on-Chip) vyrobených 14-nanometrovou (nm) technológiou FinFET, v rámci ktorého sú aj systémy Exynos 8 Octa pre prémiové mobilné zariadenia, Exynos 7 Quad, riešenie s integrovanou maximálnou konektivitou pre vstupné zariadenia, a takisto Exynos 7 Dual, ktorý je považované za prvý systém SoC v segmente vyrobený 14 nm technológiou pre nositeľné príslušenstvo. Spoločnosť takisto predstavila svoj snímač obrazu s technológiou Dual Pixel, ktorý prináša automatické zaostrovanie s fázovou detekciou na úrovni DSLR fotoaparátov aj na mobilnú platformu a umožňuje používateľom snímať zábery rýchlejšie a v prvotriednej kvalite dokonca aj v prostredí so slabým svetlom. V roku 2017 sa od našej divízie System LSI očakáva urýchlenie vývoja inovatívnych produktov, akými sú napríklad smartfóny ďalšej generácie, zariadenia VR a AR s najnovším systémom Exynos 9 vyrobené 10-nanometrovou (nm) technológiou FinFET. Najvyššou prioritou pre divíziu System LSI v nadchádzajúcich rokoch bude posun v portfóliu jej produktov posilnením kľúčových parametrov dizajnu a výroby vo viacerých segmentoch – 5G modem, obrazové snímače ďalšej generácie a správa napájania integrovaných obvodov (PMIC) – okrem toho sa budeme aj naďalej zameriavať na naše najsilnejšie oblasti.

Výrobná divízia

Prinášame množstvo výrobných riešení od pokročilých technológií výroby až po ekosystémy IP a dizajnu.

 

V januári 2016 výrobná divízia spoločnosti Samsung úspešne potvrdila svoje pretrvávajúce technologické prvenstvo a začala masovú výrobu druhej generácie systémov SoC (System-on-Chips) pre mobilné zariadenia, ktoré sa vyrábajú 14-nanometrovou technológiou FinFET. Výrobná divízia v októbri 2016 spustila takisto výrobu prvého systému SoC na trhu pre mobilné zariadenia, ktorý sa vyrába 10-nanometrovou technológiou výroby FinFET. Vďaka výraznej technologickej odbornosti rozširujeme svoju strategickú spoluprácu s poprednými globálnymi spoločnosťami a vyrábame systémy SoC ďalšej generácie pre mobilné zariadenia, ktoré poháňajú množstvo rôznych pokročilých mobilných zariadení a IoT produktov. Výrobná divízia spoločnosti Samsung od svojho vzniku v roku 2005 poskytuje svojim zákazníkom optimalizované produkty a služby. V máji 2017 sa výrobná divízia oddelila od divízie System LSI s cieľom posilniť svoju odbornosť na tomto poli a urýchliť rast svojho podielu na trhu. Výrobná divízia plánuje do konca roku 2017 spustiť masovú výrobu druhej generácie systémov vyrobených 10-nanometrovou technológiou výroby FinFET a rozšírenie svojej 10-nanometrovej výrobnej kapacity, aby dokázala reagovať na zvýšený dopyt. Okrem toho bude pokračovať na ďalšom vývoji špičkových technológií, vrátane ďalšej generácie dizajnových uzlov prekračujúcich 8-nanometrové a 18-nanometrové technológie výroby FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator), aby sme dokázali lepšie naplniť potreby našich zákazníkov týkajúce sa logických riešení.